電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 , 短短兩天內(nèi),中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日,廈門(mén)瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅(SiC)外延晶片;次日, 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
2025-12-28 09:55:37
797 SOI晶圓片結(jié)構(gòu)特性由硅層厚度、BOX層厚度、Si-SiO?界面狀態(tài)及薄膜缺陷與應(yīng)力分布共同決定,其厚度調(diào)控范圍覆蓋MEMS應(yīng)用的微米級(jí)至先進(jìn)CMOS的納米級(jí)。
2025-12-26 15:21:23
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,Neway車(chē)載級(jí)模塊通過(guò)規(guī)?;a(chǎn),成本較初期降低40%。供應(yīng)鏈議價(jià)權(quán):大規(guī)模采購(gòu)GaN外延片、被動(dòng)元件等原材料,可獲得供應(yīng)商價(jià)格折扣,進(jìn)一步壓縮成本。技術(shù)路線(xiàn)選擇硅基 vs. SiC基:Neway若
2025-12-25 09:12:32
來(lái)源:維度網(wǎng)-全球簡(jiǎn)訊 米硅科技首款自研4X112G ASP(CDR)電芯片收發(fā)套片ms89040, ms88040于近日一版流片成功,完成芯片核心功能驗(yàn)證!米硅率先成為全球首家,也是目前唯一一家4
2025-12-23 17:15:45
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最近在使用你們公司的CS1180S,一片CS1180S通過(guò)模擬多路開(kāi)關(guān)切換輪詢(xún)檢測(cè)輸出電壓和輸出電流,現(xiàn)在CS1180S使用的外部4.9152MHZ晶振,數(shù)據(jù)輸出引腳30HZ速率,33.333ms
2025-12-17 15:02:16
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng): 不同交流極化參數(shù)下壓電陣子性能分析 測(cè)試設(shè)備:高壓放大器 、功能發(fā)生器、示波器、高精度自動(dòng)研磨機(jī)等。 圖1:(a)直流極化示意圖,(b)交流極化示意圖,(c)交流極化裝置 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
2025-12-15 11:44:10
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多少錢(qián)?如何判斷其性?xún)r(jià)比?本文將以?xún)?yōu)比施電源為例,從技術(shù)、服務(wù)、場(chǎng)景適配等維度拆解價(jià)格背后的價(jià)值邏輯,幫助用戶(hù)建立科學(xué)的選購(gòu)框架。一、價(jià)格背后的“隱形成本”:技術(shù)基因決定長(zhǎng)期價(jià)
2025-12-10 10:00:36
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外延片氧化清洗流程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝(如氧化層生長(zhǎng))提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實(shí)踐和技術(shù)資料的流程解析:一、預(yù)處理階段初步清洗目的:去除外延片表面的大顆粒塵埃
2025-12-08 11:24:01
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非硅型導(dǎo)熱吸波片
2025-12-05 17:38:29
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如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,特別是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)產(chǎn)業(yè)鏈中,會(huì)有襯底及外延層之分,那外延層的存在有何意義?和襯底的區(qū)別是
2025-12-04 08:23:54
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服務(wù),并新增EAP、RMS及FDC等核心CIM系統(tǒng)解決方案,雙方還約定將在未來(lái)其他工藝廠的智能化建設(shè)中保持長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,共同推動(dòng)半導(dǎo)體硅外延片制造領(lǐng)域的效率提升與技術(shù)革新。
2025-12-01 15:55:47
231 實(shí)驗(yàn)名稱(chēng): 極化后晶體的機(jī)電性能測(cè)試 測(cè)試設(shè)備:高壓放大器 、多功能合成器、示波器、LCR測(cè)量?jī)x、計(jì)算機(jī)等。 圖1:場(chǎng)冷極化裝置:(a)金屬Al制容器;(b)金屬冷卻盤(pán) 實(shí)驗(yàn)過(guò)程: 圖1展示了直流
2025-11-12 10:24:38
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近期內(nèi)存市場(chǎng)的漲勢(shì)令人震驚。行業(yè)分析報(bào)告顯示,2025年第三季度DRAM合約價(jià)格同比上漲高達(dá)171.8%,這一數(shù)字甚至超過(guò)了同期黃金的漲幅。有業(yè)內(nèi)觀察人士指出,2025年第四季度將標(biāo)志著 “DRAM牛市” 的真正開(kāi)始。市場(chǎng)普遍預(yù)期,2026年可能會(huì)出現(xiàn)更嚴(yán)重的DRAM供應(yīng)短缺。
2025-11-06 16:46:11
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近期,半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵材料——六氟化鎢(WF?)價(jià)格出現(xiàn)大幅上漲,預(yù)計(jì)明年漲幅將達(dá)70%至90%,這一變化已引起產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注。
2025-11-04 18:13:20
1795 近日,上揚(yáng)軟件憑借深厚的行業(yè)積淀、領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力以及眾多經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的成功案例,在激烈的競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出,成功中標(biāo)麥斯克電子材料股份有限公司(麥斯克電子)8英寸外延片工廠 CIM 系統(tǒng)實(shí)施項(xiàng)目。此次合作
2025-10-14 11:50:46
675 多個(gè)重要領(lǐng)域。 一、 工作原理:解鎖極化多樣性的關(guān)鍵 雙極化喇叭天線(xiàn)的核心優(yōu)勢(shì)在于能夠同時(shí)發(fā)射或接收兩種相互正交的極化波,通常是水平極化和垂直極化。極化是指電磁波電場(chǎng)矢量在空間中的取向。當(dāng)微波信號(hào)從喇叭天線(xiàn)的輸
2025-10-14 09:14:16
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,要看加熱片的使用溫度;另外電流大小與導(dǎo)線(xiàn)線(xiàn)徑相關(guān)。加熱片不能粘貼在結(jié)構(gòu)件上嗎?可以貼,加熱片背雙面膠或者涂導(dǎo)熱硅脂,PET背膠耐溫100℃,3M背膠耐溫150℃
2025-09-26 16:12:04
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實(shí)驗(yàn)名稱(chēng): 不同交流極化參數(shù)下壓電陣子性能分析 測(cè)試設(shè)備:高壓放大器 、功能發(fā)生器、示波器、高精度自動(dòng)研磨機(jī)等。 圖1:(a)直流極化示意圖,(b)交流極化示意圖,(c)交流極化裝置 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
2025-09-26 09:49:18
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簡(jiǎn)介:我們以前分享過(guò)《基于time-bin量子比特的高速率多路糾纏源——PPLN晶體應(yīng)用》,探討了PPLN在時(shí)間片QKD中的應(yīng)用。時(shí)間-能量糾纏雖是PPLN最基礎(chǔ)的產(chǎn)生形式,但也可以通過(guò)“加工”獲得
2025-09-22 11:11:42
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一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40
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實(shí)驗(yàn)名稱(chēng): 弛豫鐵電單晶疇工程極化實(shí)驗(yàn) 研究方向: 弛豫鐵電單晶疇工程 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容: 在弛豫鐵電單晶的居里溫度以上進(jìn)行交流直流聯(lián)合極化,以通過(guò)疇工程方法提升單晶的介電和壓電性能。 測(cè)試設(shè)備
2025-09-15 10:14:18
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電池雖低成本且光管理優(yōu),卻受困于鈣鈦礦/C??界面鈍化難題。本研究用兼容工業(yè)紋理硅的混合兩步鈣鈦礦沉積法,引入PDAI處理鈣鈦礦表面,解決全紋理電池關(guān)鍵瓶頸(金字塔高度>
2025-09-12 09:03:51
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16000片/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,到封測(cè)的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月,外延產(chǎn)能2000片/月,目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現(xiàn)通線(xiàn)。 ? 其中6英寸襯底和外延的工藝和良率持續(xù)優(yōu)化,已經(jīng)向國(guó)際客戶(hù)穩(wěn)定出貨;8英寸
2025-09-09 07:31:00
1630 碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅襯底:作為整個(gè)器件的基礎(chǔ)載體
2025-09-03 10:01:10
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濕法清洗中的“尾片效應(yīng)”是指在批量處理晶圓時(shí),最后一片(即尾片)因工藝條件變化導(dǎo)致清洗效果與前面片子出現(xiàn)差異的現(xiàn)象。其原理主要涉及以下幾個(gè)方面:化學(xué)試劑濃度衰減:隨著清洗過(guò)程的進(jìn)行,槽體內(nèi)化學(xué)溶液
2025-09-01 11:30:07
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兩極化陷阱:要么過(guò)度依賴(lài)數(shù)學(xué)推導(dǎo)(如傳遞函數(shù) T(s)=H(s)G(s)T(s)=H(s)G(s) 的抽象分析),要么流于膚淺的“試錯(cuò)法”。Basso 以工程思維破局:
關(guān)鍵參數(shù)“去玄學(xué)化”:穿越頻率
2025-08-19 10:31:57
半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異:定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征:在單晶襯底上生長(zhǎng)一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜(外延層),強(qiáng)調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:06
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半導(dǎo)體外延工藝主要在集成電路制造的前端工藝(FEOL)階段進(jìn)行。以下是具體說(shuō)明:所屬環(huán)節(jié)定位:作為核心步驟之一,外延屬于前端制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其目的是在單晶襯底上有序沉積單晶材料以形成外延層
2025-08-11 14:36:35
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體系中,導(dǎo)熱硅脂扮演著不可替代的角色:- 微觀橋梁作用:即使肉眼觀察光滑平整的芯片表面,在微觀尺度上仍存在大量凹凸不平的間隙(可達(dá)數(shù)十微米)。這些空隙中的空氣是熱的不良導(dǎo)體,而導(dǎo)熱硅脂通過(guò)完全填充界面空隙
2025-08-04 09:12:14
實(shí)現(xiàn)兩片TC3XX芯片之間的時(shí)鐘同步,希望兩片芯片的PWM輸出能夠同步。類(lèi)似功能的芯片能實(shí)現(xiàn)上述操作嗎?期待你的答復(fù)。非常感謝?。?!
2025-08-04 07:51:08
在組裝或升級(jí)電腦時(shí),很多人會(huì)忽略一個(gè)關(guān)鍵細(xì)節(jié):如何為不同的發(fā)熱元件選擇合適的導(dǎo)熱材料。導(dǎo)熱硅脂和導(dǎo)熱片是兩種最常用的導(dǎo)熱解決方案,它們各有優(yōu)劣,適用于不同的硬件和使用場(chǎng)景。本文將從原理、性能、適用性
2025-07-28 10:53:33
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晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo),直接影響后續(xù)工藝(如外延生長(zhǎng)、光刻、金屬化等)的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn):一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量
2025-07-22 16:54:43
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在半導(dǎo)體行業(yè)中,硅基光電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵,而在硅si襯底上外延生長(zhǎng)高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺(tái)階儀作為重要的表征工具,在GaAs/Si異質(zhì)外延研究中
2025-07-22 09:51:18
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智算集群對(duì)網(wǎng)絡(luò)性能,特別是高吞吐、低延遲和無(wú)損特性有著嚴(yán)苛要求,RoCE因此被廣泛應(yīng)用。然而,在主流Clos組網(wǎng)架構(gòu)下,傳統(tǒng)的ECMP路由機(jī)制存在天然的局限性,容易引發(fā)哈希極化問(wèn)題,成為制約
2025-07-21 17:27:21
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至少有90%的企業(yè)在初次采購(gòu)高端CAE軟件時(shí),過(guò)分關(guān)注短期價(jià)格,而嚴(yán)重低估了代理商技術(shù)服務(wù)能力所帶來(lái)的長(zhǎng)期價(jià)值。Abaqus代理商碩迪科技為您介紹Abaqus應(yīng)該如何選擇代理商。
2025-07-18 11:23:26
432 決策:使用含硅油導(dǎo)熱片還是無(wú)硅油導(dǎo)熱片?事實(shí)上,這兩種材料并非替代關(guān)系,而是針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景的互補(bǔ)解決方案。理解它們各自的特性和適用領(lǐng)域,能為電子設(shè)備散熱設(shè)計(jì)提供更精準(zhǔn)的匹配方案。
一、材料特性
2025-07-14 17:04:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在AI玩具高速發(fā)展的階段,電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片作為實(shí)現(xiàn)玩具動(dòng)作交互的核心組件,隨著AI機(jī)器人、智能寵物等高端產(chǎn)品的普及,其市場(chǎng)規(guī)模占比逐步提升。以中國(guó)市場(chǎng)為例,2025年AI玩具市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)突破80億元,若按電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片占硬件成本5%-10%計(jì)算,其市場(chǎng)規(guī)模約在4-8億元區(qū)間。 ? 而一些AI陪伴機(jī)器人需要復(fù)雜動(dòng)作支持,單臺(tái)設(shè)備可能集成3-5顆電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。而技術(shù)上,也開(kāi)始從單一轉(zhuǎn)向控制向多軸協(xié)同、靜音驅(qū)動(dòng)發(fā)展,推動(dòng)
2025-06-28 00:05:00
8185 一、應(yīng)變片的類(lèi)型 應(yīng)變片按軸向區(qū)分有單軸應(yīng)變片、雙軸應(yīng)變片和三軸應(yīng)變片。 雙軸應(yīng)變片是兩個(gè)單軸應(yīng)變片呈90°垂直疊加。 三軸應(yīng)變片是三個(gè)單軸應(yīng)變片呈0°、45°、90°疊加。如下圖所示: 二、TSK
2025-06-18 17:32:52
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隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)新的單晶薄膜,為提升器件性能發(fā)揮了關(guān)鍵作用。本文將對(duì)外延技術(shù)的定義、分類(lèi)、原理、常用技術(shù)及其應(yīng)用進(jìn)行探討。
2025-06-16 11:44:03
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。此次IPO,公司擬募資49.65億元,用于“集成電路用 300 毫米薄層硅外延片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”“高端半導(dǎo)體硅材料研發(fā)項(xiàng)目”和“補(bǔ)充流動(dòng)資金”。 三年?duì)I收達(dá)31億元,300mm硅片貢獻(xiàn)14.2億元 半導(dǎo)體硅片根據(jù)尺寸不同劃分為6英寸(直徑150mm)及以下、8 英寸(直徑200m
2025-06-16 09:09:48
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鐵電材料以其獨(dú)特的自發(fā)極化特性及電滯回線(xiàn)行為,在存儲(chǔ)器、傳感器、換能器及微波器件中扮演著核心角色。準(zhǔn)確表征其極化性能是材料研究和器件設(shè)計(jì)的基石。在這一精密測(cè)量過(guò)程中,高壓放大器絕非簡(jiǎn)單的附屬設(shè)備
2025-06-11 15:31:30
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種寬帶雙圓極化印刷單極子天線(xiàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-28 14:09:56
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《幾類(lèi)寬帶圓極化天線(xiàn)設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-28 14:07:48
0 原料易得、工藝簡(jiǎn)單,成本較人工石墨低。天然石墨片與人工合成石墨的價(jià)格為1:4~5,人工合成石墨制造比天然石墨復(fù)雜且制作成本昂貴。 2、場(chǎng)景適配指南 ※ 天然石墨適用場(chǎng)景動(dòng)力電池電極、工業(yè)潤(rùn)滑劑、電弧爐
2025-05-23 11:22:02
隨著臺(tái)積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺(tái) CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD 聯(lián)合發(fā)布了首個(gè)使用 3D 堆疊的高帶寬存儲(chǔ)(HBM)芯片,先進(jìn)封裝技術(shù)帶來(lái)的片上互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變和帶來(lái)的集成能力的提升,成為當(dāng)前片上互連技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)因素。
2025-05-22 10:17:51
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半導(dǎo)體的破產(chǎn)重整。 ? 聚力成半導(dǎo)體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立,并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約,啟動(dòng)外延片和芯片產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目,主要業(yè)務(wù)是硅基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵外延片、功率器件晶圓代工、封裝等。 ? 該公司位
2025-05-22 01:07:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY -DTA114YE PNP硅外延平面數(shù)字晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 17:03:06
0 選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次引入了SEG技術(shù),用于pMOS源/漏(S/D
2025-05-03 12:51:00
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在我的這個(gè)電路圖里,可控硅一直處于開(kāi)啟狀態(tài),沒(méi)有給單片機(jī)信號(hào),試著換一下可控硅的方向,也沒(méi)有效果。請(qǐng)各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問(wèn)題了。
2025-04-21 15:46:54
單片LTM8067隔離輸出電流不夠,是否可將兩片或多片并聯(lián)使用
2025-04-18 07:01:20
本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39
867 一、導(dǎo)熱硅脂是什么? 導(dǎo)熱硅脂(Thermal Paste),俗稱(chēng)散熱膏或?qū)岣?,是一種用于填充電子元件(如CPU、GPU)與散熱器之間微小空隙的高效導(dǎo)熱材料。其主要成分為硅油基材與導(dǎo)熱填料(如金屬
2025-04-14 14:58:20
“今年3月,在美國(guó)關(guān)稅政策頻繁變動(dòng)、國(guó)內(nèi)品牌春季新品集中放量及“以舊換新”政策帶動(dòng)下,短期需求仍維持高位,因面板供應(yīng)端持續(xù)高稼動(dòng)出貨,面板
價(jià)格漲幅開(kāi)始收窄。進(jìn)入4月,隨著二季度部分需求提前釋放疊加美對(duì)華關(guān)稅貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí),面板供需進(jìn)入弱平衡狀態(tài),預(yù)計(jì)4月面板
價(jià)格將
出現(xiàn)拐點(diǎn)?!?/div>
2025-04-11 11:07:04
763 今天為您介紹觸覺(jué)技術(shù)和音響用壓電振動(dòng)片。
對(duì)壓電體施加應(yīng)力,就會(huì)產(chǎn)生成比例的電極化,由此產(chǎn)生電壓,這叫做壓電效應(yīng)。反之,對(duì)壓電體施加電壓,就會(huì)產(chǎn)生與電壓成比例的位移,這叫做逆壓電效應(yīng)。振動(dòng)片利用逆壓
2025-04-09 15:56:25
ADMV4821 是一款硅鍺 (SiGe)、24 GHz 毫米波 (mmW) 至 29.5 GHz 毫米波 5G 波束成形器。RF IC 高度集成,包含 16 個(gè)獨(dú)立通道,具有發(fā)射和接收功能。ADMV4821通過(guò)獨(dú)立的 RFV 和 RFH 輸入/輸出公共引腳支持 8 個(gè)水平和 8 個(gè)垂直極化天線(xiàn)。
2025-04-09 10:30:20
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ADMV4928是一款絕緣體上硅(SOI)、37.0 GHz至43.5 GHz、mmW 5G波束形成器。RF集成電路(RFIC)高度集成,包含16個(gè)獨(dú)立的發(fā)射和接收通道。ADMV4928通過(guò)獨(dú)立的RFV和RFH輸入/輸出支持八個(gè)水平和八個(gè)垂直極化天線(xiàn)。
2025-04-08 17:41:55
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多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱(chēng)Poly)是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如硅襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:45
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實(shí)驗(yàn)名稱(chēng): 鐵電陶瓷雙軸應(yīng)力作用下的極化研究 研究方向: 在新型鐵電陶瓷中,鈦酸鋇壓電陶瓷的居里溫度較低導(dǎo)致其無(wú)法通過(guò)提高溫度促進(jìn)極化過(guò)程;而對(duì)于新型高溫鐵電陶瓷,其矯頑電場(chǎng)較高并超過(guò)了其材料本身
2025-04-08 10:46:57
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TSMC,中芯國(guó)際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線(xiàn),服務(wù):技術(shù)部門(mén),生產(chǎn)管理部門(mén),動(dòng)力站(雙路保障),廢水處理站(環(huán)保,循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線(xiàn)主要設(shè)備: 外延爐,薄膜設(shè)備,光刻機(jī),蝕刻機(jī),離子注入機(jī),擴(kuò)散爐
2025-03-27 16:38:20
近日,上揚(yáng)軟件正式啟動(dòng)國(guó)內(nèi)SiC外延頭部企業(yè)的 CIM系統(tǒng)部署。此次部署的系統(tǒng)基于客戶(hù)在生產(chǎn)、工藝、質(zhì)量、設(shè)備等方面的管理需求,定制化部署MES、EAP、RMS、FDC以及 YMS系統(tǒng),幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率和良率的雙提升。
2025-03-26 11:21:04
959 薄膜外延生長(zhǎng)是一種關(guān)鍵的材料制備方法,其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。
2025-03-19 11:12:23
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鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來(lái),為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過(guò)控制模具中熔體凝固過(guò)程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:12
1126 使用STM32F103驅(qū)動(dòng)W5500,單臺(tái)設(shè)備連接電腦網(wǎng)絡(luò)助手通訊沒(méi)有問(wèn)題,多臺(tái)設(shè)備接入交換機(jī)的時(shí)候,偶發(fā)出現(xiàn)有兩臺(tái)設(shè)備只要同時(shí)都接入后就會(huì)互相影響,導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)交互堵塞,丟幀等問(wèn)題。這兩臺(tái)設(shè)備只要
2025-03-13 07:05:25
進(jìn)入2025年以來(lái),全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于IGBT!主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
2025-03-03 16:28:22
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公司副總裁張欣女士表示,2025年隨著結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放,公司預(yù)計(jì)全年產(chǎn)能同比增速有望突破300%,以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高質(zhì)量半導(dǎo)體硅外延片的迫切需求。
2025-02-28 09:24:27
1156 應(yīng)變片的由來(lái)和原理
2025-02-26 15:07:37
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在電子設(shè)備散熱領(lǐng)域,導(dǎo)熱硅膠片和導(dǎo)熱硅脂是兩種常用材料。如何根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇?以下從性能、場(chǎng)景和操作維度進(jìn)行對(duì)比分析。 一、核心差異對(duì)比?特性?導(dǎo)熱硅膠片?導(dǎo)熱硅脂
?形態(tài)固體片狀(厚度
2025-02-24 14:38:13
引言
碳化硅(SiC)作為新一代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延片的制備過(guò)程中,揭膜后的臟污問(wèn)題一直是影響外延
2025-02-24 14:23:16
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請(qǐng)問(wèn)下,DLPC3479+DLPA3005+4710 無(wú)HDMI輸入,兩片3479互連的PDATA可以不接嗎?應(yīng)該是可以的吧
2025-02-20 07:55:00
我司在使用一片DLP3010的時(shí)候,出現(xiàn)工作一段時(shí)間后被擊穿的現(xiàn)象,取下來(lái)進(jìn)行檢查發(fā)現(xiàn)VRST管腳對(duì)地電阻僅有5歐姆,外觀無(wú)任何異常。我們想確定問(wèn)題的原因,ESD/熱/電擊穿,結(jié)果在OM顯微鏡下出現(xiàn)了下面的圖像,猜測(cè)可能是問(wèn)題點(diǎn)。
請(qǐng)問(wèn)針對(duì)可能的原因或者下一步的排查方向,是否有什么建議呢?
2025-02-18 06:38:24
ADS1298的WCT引腳輸出的電流,是否足夠驅(qū)動(dòng)兩片,共11路的ADS1298的反相端。
2025-02-14 06:53:29
引言
碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延片的制造過(guò)程中,表面污染物的存在會(huì)嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46
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做項(xiàng)目時(shí)遇到了這樣的問(wèn)題,用了兩片TI的 ADS123424位AD,共電源、共地、共參考電壓,一個(gè)增益設(shè)置為2倍另一個(gè)是64倍,但是MSP430采集來(lái)增益設(shè)為2倍的數(shù)不穩(wěn),如果都設(shè)成2倍,數(shù)據(jù)就是
2025-02-11 07:55:39
影響外延片質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會(huì)降低外延片的良品率,還可能對(duì)后續(xù)器件的可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,對(duì)于提升Si
2025-02-10 09:35:39
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TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
2025-02-08 16:41:02
930 影響外延片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素。為了克服這一問(wèn)題,應(yīng)力消除外延生長(zhǎng)裝置及外延生長(zhǎng)方法應(yīng)運(yùn)而生。本文將詳細(xì)介紹這種裝置和方法的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)以及應(yīng)用前景。
應(yīng)力
2025-02-08 09:45:00
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解鎖晶硅切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤(rùn)濕劑
晶硅切割液中,潤(rùn)濕劑對(duì)切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤(rùn)濕劑作為廠家直銷(xiāo)產(chǎn)品,價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯,品質(zhì)有保障,供貨穩(wěn)定。
你們用的那種類(lèi)型?歡迎交流
2025-02-07 10:06:58
引言
碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過(guò)程中,硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟,用于保護(hù)外延層免受機(jī)械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37
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忽略的剩余極化和在場(chǎng)致鐵電態(tài)中的高最大極化,在高性能儲(chǔ)能方面具有重要的意義。然而,低反鐵電-鐵電相變場(chǎng)和伴隨的大磁滯損耗會(huì)降低能量密度和可靠性。
2025-02-06 10:52:38
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SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中,晶型夾雜和缺陷問(wèn)題頻發(fā),嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長(zhǎng)速率和品質(zhì)的同時(shí),有效避免這些問(wèn)題的產(chǎn)生,可以從以下幾個(gè)方面入手。?
2025-02-06 10:10:58
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我們將兩片 TLK 3101之間用光收發(fā)模塊通過(guò)光纖互聯(lián),TLK 3101和光收發(fā)模塊之間的接口匹配不存在問(wèn)題,光功率都在正常的范圍之內(nèi) ,但在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試中經(jīng)常出現(xiàn)TLK 3101幀同步丟失
2025-02-05 07:22:59
使用兩片ADS8568進(jìn)行16通道同步采樣,原理圖在附件中,使用的是串行、軟件模式。采樣速率不高于10KHz,所以輸出只用了一個(gè)SDO_A。在采樣之前對(duì)芯片的配置應(yīng)該是SDI(pin22
2025-02-05 06:21:28
集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石,而外延片作為集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料,其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對(duì)芯片性能的影響。
2025-01-24 11:01:38
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請(qǐng)教一下,兩片ADS8568在PCB布線(xiàn)是應(yīng)該注意什么,數(shù)字地和模擬地的組合方式,或者有多片ADC的布線(xiàn)文檔沒(méi),急用,謝謝。
2025-01-21 08:25:51
現(xiàn)想把2片TLV5628并聯(lián)起來(lái)使用,數(shù)據(jù)接口采用如下時(shí)序
DATA,LOAD直接并聯(lián),分別用兩路CLK(兩路CLK信號(hào)不同時(shí)出現(xiàn))來(lái)選擇其中一路TLV5628工作,即其中一路CLK出現(xiàn)時(shí),一片TLV5628工作,另一片TLV5628沒(méi)有CLK不工作,請(qǐng)問(wèn)這樣使用是否可以?
謝謝!
2025-01-16 08:25:11
你好,請(qǐng)問(wèn):
一:心電的耐極化電壓正負(fù)300mV,算不算共模電壓?
二:ADS1298R內(nèi)部硬件有沒(méi)有去除耐極化電壓?還是直接在軟件上面設(shè)計(jì)了?
2025-01-16 07:06:57
我設(shè)計(jì)了用2片ADS1258 同時(shí)采集同一電壓信號(hào),用示波器測(cè)量時(shí)發(fā)現(xiàn),采集的模擬電壓信號(hào)出現(xiàn)了周期性的抖動(dòng)。想問(wèn)問(wèn)各位有沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。
2025-01-16 06:54:09
相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵(GaN)”,這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后,“氮化鎵”這一名詞就開(kāi)始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng):鐵電材料極化測(cè)試 實(shí)驗(yàn)原理:鐵電材料是指具有自發(fā)極化的晶體材料,具有一系列特殊的電學(xué)和物理性質(zhì)。鐵電測(cè)試是研究鐵電材料性質(zhì)的關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)手段之一。隨著新型鐵電材料的不斷涌現(xiàn),正確的獲得材料的電
2025-01-09 12:00:22
762 
一、引言
在半導(dǎo)體制造業(yè)中,外延生長(zhǎng)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?;瘜W(xué)氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長(zhǎng)方法,被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長(zhǎng)過(guò)程中,石墨托盤(pán)作為承載和支撐半導(dǎo)體
2025-01-08 15:49:10
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介紹
在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1]
耦合器由高折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]
錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
2025-01-08 08:51:53
一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延片是實(shí)現(xiàn)高性能SiC
2025-01-07 15:19:59
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近日,天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院的光子芯片實(shí)驗(yàn)室綜述了近年來(lái)硅基波導(dǎo)集成的片上光譜儀的研究成果,論文以“Integrated optical spectrometers on silicon photonics platforms”為題發(fā)表在《Laser & Photonics Reviews》上。
2025-01-06 16:30:38
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硅電容是一種采用了硅作為材料,通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容,和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:48
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片銷(xiāo)量第一,營(yíng)收受市場(chǎng)價(jià)格下跌明顯 當(dāng)前,天域半導(dǎo)體已經(jīng)成為中國(guó)首家技術(shù)領(lǐng)先的專(zhuān)業(yè)碳化硅外延片供應(yīng)商,其及其技術(shù)可以用于在汽車(chē)、5G基站、數(shù)據(jù)中心、雷達(dá)及家用電器等場(chǎng)景。同時(shí)也是中國(guó)首批實(shí)現(xiàn)4英吋及6英吋碳化硅外延片量產(chǎn)的公司之一,以及中國(guó)首
2025-01-06 06:58:00
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評(píng)論