3.3 美高森美推出新一代1200V非穿通型IGBT

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 推出新一代1200V非穿通型（non-punch through，NPT） IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8?技術(shù)，與競(jìng)爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。

　　美高森美新的分立元件產(chǎn)品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨(dú)提供，或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基（Schottky） 二極管組合封裝提供，以便簡化產(chǎn)品開發(fā)和制造。

　　APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝，APT40GR120S采用表面安裝D3 PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX? 封裝器件，包含了一個(gè)30A反并聯(lián)超快恢復(fù)二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關(guān)損耗、額定雪崩能量二極管技術(shù)制造。

　　3.4 意法半導(dǎo)體（ST）開始量產(chǎn)STM32F0系列入門型微控制器

　　中國，2012年5月15日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、世界領(lǐng)先的微控制器制造商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）開始量產(chǎn)STM32F0系列32位微控制器。設(shè)計(jì)目標(biāo)是徹底消除8位/16位微控制器在應(yīng)用上的局限性，性能差距。

　　意法半導(dǎo)體還推出一套叫做探索套件的STM32F0專用評(píng)估板，依托規(guī)模龐大的STM32開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，現(xiàn)在，工程師采用意法半導(dǎo)體的ARM Cortex-M0微控制器開發(fā)應(yīng)用萬事俱備，能夠輕松地將其應(yīng)用到成本敏感型消費(fèi)電子和工業(yè)產(chǎn)品中。

　　3.5 美高森美推出用于線性照明燈具的超快速啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)器

　　美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）推出一款針對(duì)全球各地住宅、商業(yè)和工業(yè)照明燈具而優(yōu)化的新型可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器模塊。此款新推出的30W LXMG221W-0700030-D0? LED驅(qū)動(dòng)器能實(shí)現(xiàn)150毫秒（ms）或更快的啟動(dòng)時(shí)間，高度效仿典型白熾燈的“點(diǎn)亮”性能，這對(duì)于不可接受燈具啟動(dòng)延時(shí)的家庭和商業(yè)應(yīng)用是非常重要的。美高森美新的固態(tài)LED驅(qū)動(dòng)器符合能源之星（ENERGY STAR-compliant）要求，提供過壓和過流保護(hù)，以及自動(dòng)過熱關(guān)斷，有助于實(shí)現(xiàn)安全可靠的運(yùn)作。

　　3.6 飛兆半導(dǎo)體超薄封裝技術(shù)節(jié)省線路板空間

　　便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對(duì)散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663PP溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。

　　PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件

　　這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝，最大限度地減小線路板空間和RDS（ON），并在微小外形尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)出色的散熱特性。



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