電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件,因此如何安全可靠
2021-04-06 14:38:18
電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件,因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作,也成為越來越多的設(shè)計(jì)工程師面臨需要解決的課題?! ≡谑褂?b class="flag-6" style="color: red">igbt構(gòu)成的各種主回路之中,大功率
2012-12-08 12:34:45
詳情見附件大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析1 引言由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn),在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中,除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫,是一個(gè)不可或缺的過程,功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
小IGBT居中居中,幾十KHz簡(jiǎn)單,功耗小表 1 IGBT和其他高壓器件的能能對(duì)比IGBT自20世紀(jì)70年代末發(fā)明以來,經(jīng)過30余年的發(fā)展,幾乎已成為逆變、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中的不二選擇,是新能源領(lǐng)域如
2015-12-24 18:13:54
電子元器件正進(jìn)入以新型電子元器件為主體的新一代元器件時(shí)代,它將基本上取代傳統(tǒng)元器件,電子元器件由原來只為適應(yīng)整機(jī)的小型化及新工藝要求為主的改進(jìn),變成以滿足數(shù)字技術(shù)、微電子技術(shù)發(fā)展所提出的特性要求為主,而且是成套滿足的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展階段。
2019-10-15 09:02:25
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
據(jù)最新消息獲悉,TrendForce在最新調(diào)查中預(yù)測(cè),未來全球LED智能路燈市場(chǎng)會(huì)進(jìn)入快速發(fā)展階段。截止到2024年,將以8.2%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。
2020-10-23 11:13:11
。這些器件主要有電力場(chǎng)控晶體管(即功率MOSFET)、絕緣柵極雙極晶體管(IGT或IGBT)、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)和靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)等。電力電子器件的最新發(fā)展現(xiàn)代電力電子器件仍然在向
2017-11-07 11:11:09
高頻全控型器件不斷問世,并得到迅速發(fā)展。這些器件主要有電力場(chǎng)控晶體管(即功率MOSFET)、絕緣柵極雙極晶體管(IGT或IGBT)、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)和靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)等。 電力
2017-05-25 14:10:51
如今國(guó)產(chǎn)fpga也是如火如荼,請(qǐng)問現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)fpga芯片的發(fā)展有哪些趨勢(shì)呢?
2024-06-30 08:14:55
650 V CoolSiC?混合分立
器件,該
器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP?
快速開關(guān)
IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基二極管,能夠提升性價(jià)比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
前言在功率元器件的發(fā)展中,主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里,在"將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k,同時(shí)將電壓也降低到1/k,力爭(zhēng)更低功耗"的指導(dǎo)
2019-07-08 06:09:02
服務(wù)介紹隨著技術(shù)發(fā)展,第三代半導(dǎo)體功率器件開始由實(shí)驗(yàn)室階段步入商業(yè)應(yīng)用,未來應(yīng)用潛力巨大,這些新型器件測(cè)試要求更高的電壓和功率水平,更快的開關(guān)時(shí)間。測(cè)試周期:根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、試驗(yàn)條件及被測(cè)樣品量確定
2022-05-25 14:26:58
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應(yīng)用的產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)
2009-04-27 17:04:38
24 HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測(cè)試儀 一:IGBT功率器件測(cè)試儀主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用
2024-11-11 09:39:15
蓄電池的四個(gè)發(fā)展階段
1、普通鉛酸蓄電池 在50年代,生產(chǎn)的鉛蓄電池叫普通電池,當(dāng)時(shí)的產(chǎn)品用戶啟用時(shí)都要有“初充電”工藝環(huán)節(jié)。
2009-10-29 14:15:40
1559 針對(duì)目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT,提出了一種快速損耗計(jì)算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù),就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計(jì)算
2011-09-01 16:42:33
114 《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線,系統(tǒng)地論述了場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識(shí),內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制
2011-11-09 18:03:37
0 大功率IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展
2012-06-06 11:52:23
8640 
本文為你介紹led照明光源的發(fā)展,經(jīng)歷的幾個(gè)發(fā)展階段,led現(xiàn)狀的處于的現(xiàn)狀,以及l(fā)ed照明未來的展望。
2012-08-13 11:36:26
3957 目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及,且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件,IGBT還處于研發(fā)階段。
2017-09-20 17:46:59
44 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應(yīng)? IGBT操作時(shí)所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)。門集-電極之間的耦合,在于IGBT關(guān)斷期間,高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通(門集電壓尖峰),這是潛在的危險(xiǎn)。 當(dāng)上半橋的I
2017-10-26 16:52:46
14 楊繼業(yè)告訴記者,我國(guó)功率半導(dǎo)體與國(guó)外IDM廠商相比在設(shè)備投入上還有待加強(qiáng),在器件設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)方面仍有差距,供應(yīng)鏈也不夠完善。究其原因,一是作為后進(jìn)者,國(guó)內(nèi)IGBT缺乏時(shí)間考驗(yàn)來建立品牌效應(yīng);二是
2018-02-19 03:24:00
6640 總結(jié)起來,我認(rèn)為中國(guó)的新能源汽車行業(yè),將會(huì)呈現(xiàn)出四大發(fā)展階段,每個(gè)階段的側(cè)重點(diǎn)都會(huì)有所不同,每一個(gè)階段都會(huì)有數(shù)量級(jí)的提升。
2018-01-30 16:01:29
7848 中國(guó)電信集團(tuán)公司電信科技委主任韋樂平表示,SDN渡過炒作期,進(jìn)入理性發(fā)展階段;NFV化已開始落地,但征程依然艱難。
2018-04-09 16:30:11
5045 自問世以來,已經(jīng)經(jīng)過了幾個(gè)不同的發(fā)展階段。驅(qū)動(dòng)每個(gè)階段發(fā)展的因素都是工藝技術(shù)和應(yīng)用需求。正是這些驅(qū)動(dòng)因素,導(dǎo)致器件的特性和工具發(fā)生了明顯的變化。
2018-05-26 01:52:00
6138 
近幾年,基因檢測(cè)行業(yè)處于高速發(fā)展階段,大變動(dòng)在行業(yè)內(nèi)接連發(fā)生。其中,入局基因檢測(cè)行業(yè)的玩家數(shù)量增幅在一定程度上就代表了該行業(yè)的蓬勃發(fā)展。根據(jù)基因慧的不完全統(tǒng)計(jì),在2017年國(guó)內(nèi)的基因行業(yè)內(nèi),共有55家企業(yè)獲得融資,融資總額達(dá)90.13億元人民幣,同比增長(zhǎng)了60%。
2018-09-28 14:54:45
3827 Mini LED擁高亮度、高對(duì)比的高顯示效果,可與OLED顯示抗衡,目前已逐漸應(yīng)用于電影院顯示屏,以及家庭電影院等家用市場(chǎng)。隨著Mini LED技術(shù)的不斷成熟,Mini LED將于2019到2020年進(jìn)入高速發(fā)展階段,2022年產(chǎn)值將達(dá)到16.99億美金。
2018-10-10 11:03:00
2678 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,包括HUD、儀表板和娛樂顯示器背光以及后視鏡在內(nèi)的汽車零件市場(chǎng)Mini LED汽車應(yīng)用,將在2019年進(jìn)入高速發(fā)展階段。
2019-03-21 15:24:21
1532 隨著我國(guó)居民生活水平不斷提高、政策扶持力度增強(qiáng),國(guó)內(nèi)醫(yī)療器械行業(yè)整體步入高速發(fā)展階段。據(jù)EvaluateMedTech的測(cè)算,全球醫(yī)療器械市場(chǎng)規(guī)模將從2016年的3980億美元增長(zhǎng)至2022年
2019-06-07 17:34:00
1606 移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)步入“四世同堂”階段,未來將是4G與5G網(wǎng)絡(luò)長(zhǎng)期共存、協(xié)調(diào)發(fā)展的局面。
2019-08-02 11:47:12
563 半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料;第二階段是以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等化合物為代表;第三階段是以氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬帶半導(dǎo)體原料為主。
2019-11-05 14:40:57
6513 隨著工業(yè)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)和數(shù)控機(jī)床行業(yè)告別高增長(zhǎng)階段,智能制造進(jìn)入高速發(fā)展階段。盡管2020年受疫情影響產(chǎn)業(yè)增速有所回落,但在國(guó)家政策的支持下,智能制造領(lǐng)域的發(fā)展前景依然被業(yè)界看好,呈現(xiàn)九大新趨勢(shì)。
2020-05-11 17:16:06
2809 中國(guó)醫(yī)療信息化建設(shè)始于上世紀(jì)80年代,至今經(jīng)歷了四個(gè)發(fā)展階段,即醫(yī)院管理信息化(HIS)階段、以電子病歷系統(tǒng)為核心的臨床信息化建設(shè)階段、醫(yī)院信息平臺(tái)和數(shù)據(jù)中心建設(shè)階段、臨床診療數(shù)據(jù)的智慧應(yīng)用階段。
2020-10-09 15:39:04
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除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:00
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邁過產(chǎn)業(yè)萌芽和培育階段,進(jìn)入以市場(chǎng)為主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展階段,并會(huì)在未來2年,迎來更快速增長(zhǎng)。 4G/5G FWA 已成為運(yùn)營(yíng)商發(fā)展家寬業(yè)務(wù)的主要選擇之一 經(jīng)過近五年多的高速發(fā)展,4G/5G FWA
2020-11-18 10:52:24
2678 近些年是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件迅猛發(fā)展的良好時(shí)機(jī),國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)在MOSFET ,IGBT及SiC等產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)秀表現(xiàn)吸引了越來越多的電力電子產(chǎn)品大廠的關(guān)注和應(yīng)用。絕緣柵雙極型晶體管IGBT
2020-12-04 10:41:49
6972 封裝技術(shù)已從單芯片封裝開始,發(fā)展到多芯片封裝/模塊、三維封裝等階段,目前正在經(jīng)歷系統(tǒng)級(jí)封裝與三維集成的發(fā)展階段。
2021-01-10 10:44:39
2979 “十二五”以來,隨著國(guó)家工業(yè)快速發(fā)展的需要、國(guó)家對(duì)工業(yè)傳感器越來越重視,相關(guān)傳感器的政策密集出臺(tái),政策環(huán)境越來越好。2011年工信部印發(fā)了《物聯(lián)網(wǎng)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》,提出提升感知技術(shù)水平,重點(diǎn)支持超高頻和微波RFID標(biāo)簽、智能傳感器、嵌入式軟件的研發(fā)
2021-03-26 15:24:41
4900 隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展,功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT,其中,IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。
2021-03-29 15:27:07
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展望“十四五”,我國(guó)數(shù)字經(jīng)濟(jì)將步入高速發(fā)展階段,新型基礎(chǔ)建設(shè)將激發(fā)潛在的活力和動(dòng)力。在當(dāng)前的形勢(shì)下,移動(dòng)轉(zhuǎn)售行業(yè)迫切需要加強(qiáng)賦能數(shù)字化轉(zhuǎn)型的能力,提升在信息產(chǎn)業(yè)鏈中的參與度和貢獻(xiàn)值。對(duì)此,陳家春提出以下三點(diǎn)建議。
2021-03-31 16:09:51
2319 可以已驗(yàn)證的、可重復(fù)利用的、具有某種確定功能的、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)功能的設(shè)計(jì)模塊,其與芯片制造工藝無關(guān),可以移植到不同的集成電路工藝中。隨著在我國(guó)對(duì)集成電路的重視程度提高,EDA/IP產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展階段。
2021-06-12 09:01:00
2384 回顧科技革命的發(fā)展歷程,每一個(gè)技術(shù)突破、技術(shù)研發(fā)的“閃光點(diǎn)”,都代表著人類世界的轉(zhuǎn)型升級(jí),代表著新領(lǐng)域、新產(chǎn)業(yè)的誕生與發(fā)展。如今,隨著一線研究學(xué)者的不斷攻堅(jiān)、不斷探索,生物科研領(lǐng)域邁入至一個(gè)全新的發(fā)展階段:AlphaFold2不僅完成了98.5%人類蛋白結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè),并且做成數(shù)據(jù)集免費(fèi)開源。
2021-08-06 18:17:31
648 IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)(通信電源技術(shù)2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)文檔,是一份不錯(cuò)的參考資料,感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:19
54 元宇宙是最近科技圈和資本圈大熱的話題。許多科技巨頭都開始局部元宇宙,元宇宙是虛擬世界和現(xiàn)實(shí)世界融合的載體,那么元宇宙的發(fā)展階段是怎么樣的呢? 元宇宙或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)展為三個(gè)階段: 1.社區(qū)+游戲 社區(qū)+游戲
2021-11-03 17:39:36
3858 長(zhǎng)盈精密:“消費(fèi)電子+新能源”雙輪驅(qū)動(dòng)公司步入發(fā)展新階段
2022-11-17 13:06:57
496 該階段也稱為“互聯(lián)網(wǎng)+制造”,是智能制造的第二個(gè)發(fā)展階段。隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)在上世紀(jì)末開始普遍應(yīng)用,為制造業(yè)注入新的活力,通過連接制造過程的人、物、環(huán)境、數(shù)據(jù)和流程,網(wǎng)絡(luò)推動(dòng)了制造要素的協(xié)同以及相關(guān)社會(huì)資源的共享與集成,重構(gòu)了制造業(yè)形態(tài)與模式,加速制造業(yè)向第二個(gè)階段發(fā)展。
2022-11-23 14:49:49
4463 IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級(jí),市場(chǎng)空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件,由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)
管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,有
2023-02-15 16:26:32
41 什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件其具有自關(guān)斷的特征。 簡(jiǎn)單講,是一
2023-02-22 15:01:42
0 IGBT是一種功率器件,在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)墓δ?。它是逆變器的心臟。同時(shí),IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對(duì)器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出,就會(huì)變得無能
2023-03-30 10:29:45
6020 
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13
1041 
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用,但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同,那么
2023-09-04 16:10:49
9953 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān),今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:52
4889 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04
1487 半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會(huì)的物理基石,并已成為推動(dòng)各種革命性變革和創(chuàng)新的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力,這點(diǎn)已是當(dāng)前的社會(huì)共識(shí)。而功率器件正是半導(dǎo)體大產(chǎn)業(yè)的細(xì)分類別之一,在從電網(wǎng)、高鐵等高
2023-10-31 09:19:08
2228 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:28
4750 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:59
1 ?隨著云計(jì)算、虛擬化技術(shù)的發(fā)展,網(wǎng)卡也隨之發(fā)展,從功能和硬件結(jié)構(gòu)上基本可劃分為4個(gè)階段。
2023-12-19 16:37:57
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。 在同期舉辦的2023電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)上,宏微科技憑借先進(jìn)的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新的產(chǎn)品能力,榮獲“ 國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng) ”、 “ 功率器件-IGBT行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng) ” 雙料大獎(jiǎng)。 世紀(jì)電源網(wǎng)是電源行業(yè)有影響力的技術(shù)交流 平 臺(tái),此次評(píng)選通過
2023-12-26 20:00:02
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共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代,產(chǎn)品推陳出新 IGBT搭乘新能源快車打開增長(zhǎng)
2024-07-21 17:43:41
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車企進(jìn)入上述名單,拿到了L3級(jí)自動(dòng)駕駛試點(diǎn)的“入場(chǎng)券”,自動(dòng)駕駛市場(chǎng)正式步入了一個(gè)全新的發(fā)展階段。 近年來,自動(dòng)駕駛市場(chǎng)呈現(xiàn)出爆發(fā)式的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2017-2027全球及中國(guó)自動(dòng)駕駛行業(yè)深度研究報(bào)告》顯示,
2024-07-17 09:29:02
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IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率器件導(dǎo)通時(shí),產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過程中產(chǎn)生的開關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:00
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三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索,本篇章帶你了解三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史。
2024-07-24 10:17:47
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號(hào)參數(shù)意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:33
5020 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:48
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IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:43
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國(guó)產(chǎn)化破局 重構(gòu)功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應(yīng)鏈震蕩與國(guó)產(chǎn)替代浪潮中,揚(yáng)杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝矩陣精準(zhǔn)對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌,實(shí)現(xiàn)“零改設(shè)計(jì)、性能超越
2025-05-30 11:50:12
627 隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中,銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸
2025-06-03 15:43:33
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IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
評(píng)論