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      LE25CB643TT-BH 64 kb SPI CMOS串行EEPROM

      數(shù)據(jù)：

      LE25CB643TT-BH是串行外設(shè)接口EEPROM（電可擦除和可編程ROM）。該器件采用高性能CMOS EEPROM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高速和高可靠性。該器件與SPI存儲(chǔ)器協(xié)議兼容，因此最適合需要可重寫非易失性參數(shù)存儲(chǔ)器的應(yīng)用。此設(shè)備具有32字節(jié)頁面寫入功能，用于高速數(shù)據(jù)重寫。
      高可靠性
      特性 優(yōu)勢
      • 容量：64k位（8k×8位）
      • 寬工作電壓
      • 單電源電壓： 2.7V至5.5V
      • 低功耗
      • 接口：SPI Mode0和Mode3
        對應(yīng)
      • 工作時(shí)鐘頻率：5MHz
      • 低功耗
        ：待機(jī)：3μA（最大）
        ：讀：1mA （最大）
        ：寫：3mA（最大）
      • Automa tic頁寫入模式：32字節(jié)
      • 寫循環(huán)時(shí)間：5ms
      • 擦除/寫入循環(huán)：10 6 周期
      • 數(shù)據(jù)保留期：20年
      • 高可靠性：采用專有的對稱存儲(chǔ)器陣列配置（USP6947325）
        具有禁止在低電壓條件下進(jìn)行寫操作的功能。
      應(yīng)用 終端產(chǎn)品
      • 需要可重寫非易失性參數(shù)存儲(chǔ)器的應(yīng)用程序。
      • 消費(fèi)類，無線，PC外設(shè)，每個(gè)產(chǎn)品都要求存儲(chǔ)非易失性記憶

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關(guān)資料（2）
      元器件購買 LE25CB643TT-BH 相關(guān)庫存

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