STH2N120K5-2AG STMicroelectronics SuperMESH? 高壓 MOSFET
數(shù)據(jù):
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意法半導(dǎo)體 齊納保護(hù) SuperMESH? 功率 MOSFETs 是對(duì)標(biāo)準(zhǔn)帶式 PowerMESH? 布線的終極優(yōu)化。 意法半導(dǎo)體 SuperMESH MOSFET 大幅壓低了導(dǎo)通電阻,同時(shí)為要求最高的應(yīng)用確保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的柵極電荷,并100% 通過雪崩測(cè)試,同時(shí)還改進(jìn)了 ESD 功能,并具有新的高壓基準(zhǔn)。這些意法半導(dǎo)體 MOSFET 可用于開關(guān)應(yīng)用。
汽車級(jí)產(chǎn)品
1200V汽車級(jí)電池管理設(shè)備現(xiàn)在可用。 這些器件在很高的BVDSS上具有不均勻的魯棒性,并且是AEC-Q101合格的。 這些設(shè)備的1200V擊穿電壓保護(hù)汽車電池系統(tǒng)。
K5系列產(chǎn)品有800V、850V、900V、950V、1050V、1200V、1500V和1700V。
隨著汽車級(jí)和1700V器件的引入,ST擴(kuò)展了其超結(jié)MDmeshK5MOSFET的組合。 該設(shè)備提供每個(gè)區(qū)域的最低RDS(ON)和最低的柵極電荷(下降到47nC)。 這導(dǎo)致了行業(yè)的最佳業(yè)績(FOM)。 更高的擊穿電壓確保了更高的安全裕度,以更健壯和可靠的應(yīng)用。 它們是理想的寬輸入電壓范圍輔助電源在高功率應(yīng)用,如太陽能逆變器,工廠自動(dòng)化,工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和焊接。
特性
- Industry's lowest RDS(on) for increased efficiency and more compact designs
- 業(yè)的最佳功勛人物(FOM)
- 極高的dv/dt能力
- 100%雪崩測(cè)試
- 世界最佳FOM
- 超低柵電荷
- 齊納保護(hù)
应用
- 開關(guān)模式低電源(SMPS)
- DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 低功耗,低成本CFL
- 低功率電池充電器
- 電池充電器和管理
- 切換應(yīng)用程序
- 高電流,高速開關(guān)
- 點(diǎn)火布光,燈光安排點(diǎn)燃(light的ing形式)
- 離線電源、適配器和PFC
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