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      TS3DDR32611 1A 峰值灌/拉 PCDDR3 終端穩(wěn)壓器

      數(shù)據(jù)：

      描述

      TS3DDR32611是一款灌電流/拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率類(lèi)型III（PCDDR3）端接穩(wěn)壓器，此穩(wěn)壓器具有一個(gè)精度為1％的經(jīng)緩沖基準(zhǔn)輸出。它具有內(nèi)置的端接單刀單擲（SPST）開(kāi)關(guān)，此開(kāi)關(guān)可在內(nèi)存系統(tǒng)經(jīng)歷較低速運(yùn)行時(shí)被斷開(kāi)，而無(wú)需電壓端接。關(guān)閉這些開(kāi)關(guān)可在很大程度上節(jié)約內(nèi)存系統(tǒng)的能耗。此開(kāi)關(guān)具有一個(gè)典型值為1.75Ω的導(dǎo)通電阻，這有助于保持信號(hào)線路上的信號(hào)完整性。

      TS3DDR32611由一個(gè)3.3V電源供電.V DDQ 引腳汲取的輸入電壓范圍為1.2V至1.8V，而V TT 引腳上的輸出電壓隨1/2×V DDQ 的變化而變化。穩(wěn)壓器的V TT 輸出能夠灌入/拉出高達(dá)1A的電流，而V REF 引腳輸出是1 /2V DDQ ±1％×V DDQ ，具有5mA電流灌入/拉出能力.TS3DDR32611具有4個(gè)運(yùn)行模式：高速，低速，V REF 模式和斷電模式，這些運(yùn)行模式取決于控制信號(hào)VTT_EN和ODT_EN。這些不同的運(yùn)行模式提供了建立一個(gè)內(nèi)存系統(tǒng)的性能和功耗的靈活性。

      TS3DDR32611采用一個(gè)尺寸只有4mm x 4mm的小型48焊球球狀引腳柵格陣列（BGA）封裝，這使得此器件成為移動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。

      特性

      • VDD范圍 - 3.0V至3.6V
      • R ON 1.75Ω典型值< /li>
      • 通道計(jì)數(shù) - 26
      • V DDQ - 輸入電壓1.2V至3.5V
      • V TT - V DDQ /2典型值1A的灌電流/拉電流能力
      • V REF - V DDQ /2 ±1％×V DDQ
      • 開(kāi)關(guān)時(shí)間 - （T 開(kāi)/關(guān)）最大值100ns
      • I DD 電源電流
        • 高速模式（I DD，HS ）最大值220μA
        • 低速模式（I DD，LS ）最大值220μA
        • 斷電模式（I DD，PD ）最大值5μA
      • 特殊特性< ul>
      • 1.8V兼容控制輸入（VTT_EN，ODT_EN）
      • 高電流灌入/拉出能力：最大值1A
      • 48焊球ZQC封裝（4mm x 4mm，0.5mm焊球間距）

      應(yīng)用范圍

      • 移動(dòng)器件中雙倍數(shù)據(jù)速率類(lèi)型3（PCDDR3）端接和穩(wěn)壓

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 特定于協(xié)議的開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器

       
      Protocols
      Configuration
      Number of Channels (#)
      VCC (Min) (V)
      VCC (Max) (V)
      Ron (Typ) (Ohms)
      Input/Ouput Voltage (Min) (V)
      Input/Ouput Voltage (Max) (V)
      ICC (Max) (uA)
      Package Size: mm2:W x L (PKG)
      Package Group
      ESD Charged Device Model (kV)
      Ron (Max) (Ohms)
      Ron Channel Match (Max) (?)
      Turn on Time (Enable) (Max) (ns)
      VIH (Min) (V)
      VIL (Max) (V)
      TS3DDR32611
      DDR3    
      1:1 SPST    
      26    
      3    
      3.6    
      1.75    
      0    
      3.6    
      220    
      48BGA MICROSTAR JUNIOR: 16 mm2: 4 x 4(BGA MICROSTAR JUNIOR)    
      BGA MICROSTAR JUNIOR    
      0.5    
      4    
      0.2    
      100    
      1.3    
      0.6    

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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