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數(shù)據(jù): 20V N 通道NexFET? 功率金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表
此NexFET功率MOSFET被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載管理應(yīng)用中大大降低功率損耗。小外形尺寸無引線(SON)2mm x 2mm封裝提供針對封裝尺寸的出色散熱性能。
頂視圖R θJA = 50,這是在1平方英寸純銅(2盎司),厚度為.060“的環(huán)氧板( FR4)印刷電路板(PCB)上測得的值。脈沖持續(xù)時間10μs,占空比≤2%
<小>
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD15571Q2 |
|---|
| 20 ? ? |
| Single ? ? |
| 19.2 ? ? |
| 15 ? ? |
| 52 ? ? |
| 2.5 ? ? |
| 0.66 ? ? |
| SON2x2 ? ? |
| 20 ? ? |
| 1.45 ? ? |
| 22 ? ? |
| Yes ? ? |