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CSD95379Q3M 同步降壓 NexFE 功率級,CSD95379Q3M

數(shù)據(jù):

描述

CSD95379Q3M NexFET功率級的設(shè)計經(jīng)過高度優(yōu)化,適用于高功率,高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這個產(chǎn)品集成了驅(qū)動器集成電路(IC此和,驅(qū)動器IC支持ULQ模式,此驅(qū)動器模式支持針對Windows 8的聯(lián)網(wǎng)待機(jī)功能。借助于三態(tài)PWM輸入,靜態(tài)電流可減少至130μA,并支持立即響應(yīng)。當(dāng)跳過#保持在三態(tài)時,電流可減少至8μA(恢復(fù)切換通常需要20μs) 。這個組合在小型3.3mm x 3.3mm外形尺寸封裝中提供高電流,高效和高速開關(guān)功能。此外,PCB封裝已經(jīng)過優(yōu)化,可幫助減少設(shè)計時間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計的完成。

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特性

  • 12A電流下的系統(tǒng)效率達(dá)92.5%
  • 12A電流時1.8W的超低功率損耗
  • 最大額定持續(xù)電流為20A,峰值電流為45A
  • 高頻運(yùn)行(高達(dá)2MHz)
  • 高密度 - 3.3mm×3.3mm小外形尺寸無引線封裝(SON)尺寸
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)已優(yōu)化的印刷電??路板(PCB)封裝
  • 低靜態(tài)(LQ)和超低靜態(tài)( ULQ)電流模式
  • 與3.3V和5V脈寬調(diào)制(PWM)信號兼容
  • 支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式(FCCM)的二極管仿真模式
  • 三態(tài)PWM輸入
  • 集成型自舉二極管
  • 擊穿保護(hù)
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) - 無球引腳鍍層
  • 無鹵素

應(yīng)用范圍

  • NVDC筆記本電腦/超極本PC
  • 平板電腦
  • 網(wǎng)絡(luò)互聯(lián),電信和計算系統(tǒng)中的負(fù)載點同步降壓

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD95379Q3M
20 ? ?
1.8 ? ?
12 ? ?
20 ? ?
PowerStage ? ?
SON3x3 PowerStage ? ?
-40 to 150 ? ?
10VSON-CLIP ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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