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      CSD17483F4 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD17483F4

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款200mΩ，30V N通道FemtoFET MOSFET技術(shù)被設(shè)計(jì)且被優(yōu)化，以最大限度地減少很多手持式和移動(dòng)類(lèi)應(yīng)用中的封裝尺寸。這個(gè)技術(shù)能夠在將封裝尺寸至少減少60％的同時(shí)，替代標(biāo)準(zhǔn)的小信號(hào)MOSFET。

      特性

      • 低導(dǎo)通電阻
      • 低Q g 和Q gd
      • 低閾值電壓
      • 超小型封裝尺寸（0402外殼尺寸）
        • 1.0mm×0.6mm
      • 超薄
        • 高度0.35mm
      • 集成型靜電放電（ESD）保護(hù)二極管
          < li>額定值＆gt; 4kV人體模型（HBM）
        • 額定值＆gt;
        • 符合RoHS環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
          • 范圍
          • 針對(duì)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
          • 針對(duì)通用開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
          • 單節(jié)電池應(yīng)用
          • 手持式和移動(dòng)類(lèi)應(yīng)用

          所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD17483F4
      30 ? ?
      Single ? ?
      260 ? ?
      230 ? ?
      5 ? ?
      1.01 ? ?
      0.13 ? ?
      LGA 1.0 x 0.6mm ? ?
      240 ? ?
      12 ? ?
      0.85 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購(gòu)買(mǎi) CSD17483F4 相關(guān)庫(kù)存

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