優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在V_DD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，V_GG1（針對(duì)IDQ調(diào)整）和V_GG2（針對(duì)增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm²

產(chǎn)品詳情

HMC637BPM5E是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、級(jí)聯(lián)分布式功率放大器，在正常工作時(shí)可實(shí)現(xiàn)自偏置且具有IDQ可選偏置控制和增益調(diào)整。該放大器的工作頻率范圍為DC至6 GHz，提供15 dB小信號(hào)增益、27.5 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮）、40 dBm典型輸出IP3和4 dB噪聲指數(shù)，采用V_DD 12 V電源電壓時(shí)功耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范圍內(nèi)的增益平坦度（典型值±0.5 dB時(shí)）非常出色，因而極為適合軍事、太空和測(cè)試設(shè)備應(yīng)用。HMC637BPM5E還具有內(nèi)部匹配至50 Ω的輸入/輸出(I/O)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的5 mm × 5 mm LFCSP預(yù)制空腔封裝，可與高容量表貼技術(shù)(SMT)裝配設(shè)備兼容。

應(yīng)用

• 軍事與太空
• 測(cè)試儀器儀表

方框圖