優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 轉(zhuǎn)換損耗： 11 dB（典型值）
• 邊帶抑制： 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的典型輸入功率：33 dBc 14 dBm（典型值）
• 輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 22 dBm（典型值）
• 輸入二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2)： -5 dBm（典型值）
• RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -27 dBm（典型值）
• RF回?fù)p： 6 dB（典型值）
• LO回?fù)p： 18 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

產(chǎn)品詳情

HMC8118是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs) 單芯片微波集成電路(MMIC)同相和正交(I/Q)上變頻器芯片，工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz。 HMC8118在整個(gè)頻段內(nèi)提供11 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和33 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用由6倍LO倍頻器驅(qū)動(dòng)的圖像抑制混頻器。 提供差分I和Q混頻器輸入。 輸入可由針對(duì)直接變頻應(yīng)用的差分I和Q基帶波形驅(qū)動(dòng)。 或者，輸入可使用針對(duì)單邊帶應(yīng)用的外部90°混合器件和兩個(gè)外部180°混合器件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。 所有數(shù)據(jù)包括中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應(yīng)。

應(yīng)用

• E頻段通信系統(tǒng)
• 高容量無(wú)線回程
• 測(cè)試與測(cè)量

方框圖