這種低閾值增強模式（常關）晶體管采用垂直DMOS結構和經(jīng)過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產(chǎn)生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力，并具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。該器件具有所有MOS結構的特性，不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于需要極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。

;低閾值（最高-2.4V）

高阻抗

低輸入電容（最大125pF）

＆nbsp ; 快速切換速度

低導通電阻

免于二次故障

低輸入和輸出泄漏