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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • D5007UK功率晶體管TT Electronics2022-06-27 19:00

    產(chǎn)品型號(hào):D5007UK 工作電壓:20V 功率輸出:5W 測(cè)試頻率:1GHz 應(yīng)用范圍:1-1000MHz 有源FET配置:3
  • D5006UK功率晶體管TT Electronics2022-06-27 18:58

    產(chǎn)品型號(hào):D5006UK 工作電壓:20V 功率輸出: 5W 最低效率:50 測(cè)試頻率:1GHz 應(yīng)用范圍:1-1000MHz
  • CMPA1D1E030D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:34

    產(chǎn)品型號(hào):CMPA1D1E030D 小信號(hào)增益:27 dB 工作電壓高:40 V 擊穿電壓:高 操作環(huán)境:高溫操作 典型 PSAT:30 W
  • CMPA1D1E025F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-06-27 17:26

    產(chǎn)品型號(hào):CMPA1D1E025F-AMP 小信號(hào)增益:24 dB 典型脈沖 PSAT:40 W 工作電壓高達(dá): 40 V 線性功率:OQPSK 下的 20 W A/B類高增益;:高效率50歐MMIC Ku波段大功率放大器
  • CMPA1D1E025F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:23

    產(chǎn)品型號(hào):CMPA1D1E025F 小信號(hào)增益:24 dB 典型脈沖 PSAT:40 W 工作電壓:高達(dá) 40 V A/B類高增益;:高效率50歐MMIC Ku波段大功率放大器
  • CMPA1C1D080F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:17

    產(chǎn)品型號(hào):CMPA1C1D080F 90 W 典型 P: >21% 典型功率附加效率 小信號(hào)增益: 25 dB 總輸出功率:-30 dBc IM3 時(shí)總輸出功率為 20 W 工作電壓:工作電壓高達(dá) 40 V
  • CMPA1C1D060D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:02

    產(chǎn)品型號(hào):CMPA1C1D060D 小信號(hào)增益:26 dB 典型 PSAT:60 W 工作電壓高達(dá): 40 V 高擊:穿電壓 耐高溫:高溫操作
  • CMPA0060025F1-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-06-27 16:43

    產(chǎn)品型號(hào):CMPA0060025F1-AMP 小信號(hào)增益:18 dB 工作電壓高達(dá): 50 V 擊穿電壓:高 耐高溫:高溫操作 典型 PSAT:30 W
  • CMPA0060025F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-06-27 16:41

    產(chǎn)品型號(hào):CMPA0060025F-AMP 小信號(hào)增益:18 dB 典型 PSAT:30 W 工作電壓高達(dá): 50 V 擊穿電壓:高 耐高溫:高溫操作
  • CMPA0060025F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 16:39

    產(chǎn)品型號(hào):CMPA0060025F1 小信號(hào)增益:18 dB 典型 PSAT:30 W 工作電壓:高達(dá) 50 V 擊穿電壓:高 耐高溫:高溫操作