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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • CGHV59350P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:27

    產(chǎn)品型號:CGHV59350P 操作頻率:5.2 – 5.9 GHz 典型輸出功率:470 W 功率增益:10.7分貝 典型排水效率:60% 內(nèi)部匹配:50 歐姆
  • CGHV59350F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:24

    產(chǎn)品型號:CGHV59350F 操作頻率:5.2 – 5.9 GHz 典型輸出功率:470 W 功率增益:10.7分貝 典型排水效率:60% 歐姆內(nèi)部匹配:50
  • CGHV59070F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 14:13

    產(chǎn)品型號:CGHV59070F-AMP 操作頻率:4.4 – 5.9 GHz 操作 典型值為:50 V 時 POUT 功率增益:14分貝 排水效率:55 %
  • CGHV59070P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:11

    產(chǎn)品型號:CGHV59070P 操作頻率:4.4 – 5.9 GHz 典型值為:50 V 時 POUT 功率增益:14分貝 排水效率:55 %
  • CGHV59070F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:09

    產(chǎn)品型號:CGHV59070F 操作頻率:4.4 – 5.9 GHz 典型值為:50 V 功率增益:14分貝 排水效率:55 %
  • CGHV50200F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 09:19

    產(chǎn)品型號:CGHV50200F-AMP 操作頻率:4.4 – 5.0 GHz 典型 PSAT:180 W 典型功率增益:11.5 dB 典型功率效率:48% 歐姆內(nèi)部匹配:50
  • CGHV50200F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 09:17

    產(chǎn)品型號:CGHV50200F 操作頻率:4.4 – 5.0 GHz 典型 PSAT:180 W 典型功率增益:11.5 dB 典型功率效率:48% 歐姆內(nèi)部匹配:50
  • D5005UK功率晶體管TT Electronics2022-06-26 18:32

    產(chǎn)品型號:D5005UK 工作電壓:20V 功率輸出:5W 測試頻率:1GHz 應用范圍:1-1000MHz 有源FET配置:3
  • D5003UK功率晶體管TT Electronics2022-06-26 18:26

    產(chǎn)品型號:D5003UK 工作電壓:20V 功率輸出:5W 測試頻率:1GHz 應用范圍:1-1000MHz 有源FET配置:3
  • D5002UK功率晶體管TT Electronics2022-06-26 18:21

    產(chǎn)品型號:D5002UK 工作電壓:20V 功率輸出:5W 測試頻率:1GHz 應用范圍 :1-1000MHz 有源FET配置:3