特點(diǎn)
–低功耗Arm Cortex-M4F/M0+內(nèi)核
卓越的能源效率
–具有多個(gè)的電源管理控制器（PMC）
電源模式：HSRUN、RUN、STOP、VLPR和
VLPS。注：CSEc（安全）或EEPROM寫入/
擦除將觸發(fā)HSRUN模式下的錯(cuò)誤標(biāo)志（112
MHz），因?yàn)榇擞美辉试S
同時(shí)執(zhí)行。該設(shè)備需要
切換到RUN模式（80 MHz）以執(zhí)行CSEc
（安全）或EEPROM寫入/擦除。
–上支持時(shí)鐘門控和低功耗操作
特定外圍設(shè)備

描述
內(nèi)存和內(nèi)存接口
–帶ECC的高達(dá)2 MB程序閃存
–64 KB FlexNVM，用于帶ECC的數(shù)據(jù)閃存
以及EEPROM仿真。注：CSEc（安全）或
EEPROM寫入/擦除將觸發(fā)中的錯(cuò)誤標(biāo)志
HSRUN模式（112 MHz），因?yàn)榇擞美?br>不允許同時(shí)執(zhí)行。設(shè)備
將需要切換到RUN模式（80 MHz）
執(zhí)行CSEc（安全）或EEPROM寫入/擦除。
–帶ECC的高達(dá)256 KB的SRAM
–最多4 KB的FlexRAM，用作SRAM或
EEPROM仿真
–高達(dá)4 KB的代碼緩存，可最大限度地降低性能
內(nèi)存訪問延遲的影響
–支持HyperBus?的QuadSPI
?混合信號(hào)模擬
–最多兩個(gè)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器
（ADC），每個(gè)最多32通道模擬輸入
單元
–一個(gè)帶內(nèi)部8位的模擬比較器（CMP）
數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）
?調(diào)試功能
–串行線JTAG調(diào)試端口（SWJ-DP）組合
–調(diào)試監(jiān)視點(diǎn)和跟蹤（DWT）
–儀器跟蹤宏細(xì)胞（ITM）
-測(cè)試端口接口單元（TPIU）
-閃存補(bǔ)丁和斷點(diǎn)（FPB）單元
?人機(jī)界面（HMI）
–多達(dá)156個(gè)GPIO引腳，具有中斷功能
–不可屏蔽中斷（NMI