--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMTH6002LPSW
- 名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 PowerDI®5060-8
--- 產品詳情 ---

產品簡介
DIODES 的 DMTH6002LPSW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON)),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMTH6002LPSW
名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 PowerDI?5060-8
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 190 A
PD @TA = +25°C (W) 3.13 W
PD @TC = +25°C (W) 190 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 131 nC
CISS Typ (pF) 8289 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 –
確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關速度快
用于改進光學檢測的可潤濕側面
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