ELM7785-7PST C波段內(nèi)部匹配 FET

C波段 FET GaN

型號： ELM7785-7PST

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 ELM7785-7PST
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的ELM7785-7PST是一種功率GaAs FET，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶，以提供最佳功率和增益。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 ELM7785-7PST
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB=39.0dBm（典型）
高增益：G1dB=9.5dB（典型值）
高PAE：ηadd=33%（典型值）
頻帶：7.7至8.5GHz
內(nèi)部匹配
SMT應(yīng)用的塑料封裝

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