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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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SGNH130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT

型號： SGNH130M1H

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 SGNH130M1H
  • 名稱 氮化鎵晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 M1H

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGNH130M1H 

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGNH130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的應(yīng)用程序。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    SGNH130M1H
名稱                    氮化鎵晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    M1H


型號參數(shù)
用于直流至3GHz的高功率GaN HEMT
高功率：130W@2.45GHz
高效率：59%@2.45GHz
CW可操作
易于匹配：輸入預(yù)匹配3GHz
小型無法蘭封裝


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