? 中國(guó)北京，2022 年?5 月?6日?——設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標(biāo)志著 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:42
3097 
意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)佈碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果，協(xié)助系統(tǒng)廠(chǎng)商研發(fā)能夠?qū)⑻?yáng)能轉(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。
2012-09-19 15:59:401649 法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布與應(yīng)用材料公司啟動(dòng)聯(lián)合項(xiàng)目，展開(kāi)對(duì)新一代碳化硅襯底的研發(fā)。
2019-11-19 14:44:481151 人沒(méi)想到的是，在8英寸碳化硅還遠(yuǎn)未大規(guī)模落地時(shí)，12英寸碳化硅襯底就已經(jīng)悄然面世。 ? 天岳先進(jìn)發(fā)布300mm 碳化硅襯底 ? 在上周的德國(guó)慕尼黑半導(dǎo)體展上，天岳先進(jìn)發(fā)布了行業(yè)首款300mm（12英寸）碳化硅襯底。 圖源：天岳先進(jìn) ? 300mm碳化硅
2024-11-21 00:01:005497 
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿(mǎn)好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來(lái)越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來(lái)還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
，同比增長(zhǎng)15.77%。2020年H1，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為3539億元，同比增長(zhǎng)16.1%。碳化硅（SiC）的應(yīng)用碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應(yīng)用最廣
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來(lái)，低碳生活也是隨之而來(lái)，隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷(xiāo)售市場(chǎng)也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開(kāi)始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應(yīng)用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見(jiàn)下：原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線(xiàn)路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級(jí)下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）合作開(kāi)發(fā)Velankani為印度市場(chǎng)設(shè)計(jì)的Prysm?智能電表。 該技術(shù)合作
2018-03-08 10:17:35
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬(wàn)家客戶(hù)、成千上萬(wàn)名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱(chēng)為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化層？如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開(kāi)這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術(shù)，與硅 FRD對(duì)比的主要優(yōu)點(diǎn)有： 圖9 二極管反向恢復(fù)
2023-02-28 16:48:24
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)?！ 〗酉聛?lái)介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低
2023-02-27 16:03:36
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專(zhuān)利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來(lái)看，用
2012-03-15 10:20:43
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠(chǎng)商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:584706 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-15 10:26:284910 隨著下游新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā)，引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，今天我們首先
2021-07-29 11:01:185164 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:406521 基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429 
設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進(jìn)材料領(lǐng)域?qū)＜颐罓柹?b class="flag-6" style="color: red">達(dá)成戰(zhàn)略合作，攜手為電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17972 新加坡科學(xué)技術(shù)研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST) 共同宣布，雙方將在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)電力電子設(shè)備用碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域展開(kāi)研發(fā) (R&D) 合作。此次
2021-12-17 17:39:432752 意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:294628 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠(chǎng)商賽米控（Semikron）的eMPack?電動(dòng)汽車(chē)電源模塊提供碳化硅（SiC）技術(shù)。
2022-05-26 09:45:372791 ? 北京，2022 年 7 月 22 日——作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó) Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布選用 KLA 公司（納斯達(dá)克股票代碼：KLAC）的檢測(cè)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)碳化硅
2022-07-22 11:50:361262 
碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過(guò)程比制造硅晶圓要復(fù)雜
2022-07-28 17:05:012982 
意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠(chǎng)，以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠(chǎng)預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:032490 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠(chǎng)，以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠(chǎng)預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:551480 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應(yīng)用對(duì)碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:045801 公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計(jì)劃，由意法半導(dǎo)體在今后18個(gè)月內(nèi)完成對(duì)Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測(cè)試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術(shù)制造未來(lái)的8寸碳化硅襯底，促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，
2022-12-08 12:22:481146 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達(dá)成協(xié)議。意法半導(dǎo)體希望通過(guò)此次合作，使其未來(lái)200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:171392 碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:482004 全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠(chǎng)積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:042505 意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:486511 
? ? ?? 本報(bào)訊 6月7日，中國(guó)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體公司三安光電與全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體聯(lián)合宣布：雙方已簽署協(xié)議，擬在中國(guó)重慶合資共同建立一個(gè)新的碳化硅器件制造工廠(chǎng)。同時(shí)，三安光電將在
2023-06-08 19:05:021041 
6月7日，中國(guó)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)三安光電與全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體聯(lián)合宣布：雙方已簽署協(xié)議，擬在中國(guó)重慶合資建立一個(gè)新的8英寸碳化硅器件制造工廠(chǎng)。同時(shí)，三安光電將在當(dāng)?shù)鬲?dú)資建立一個(gè)
2023-06-09 08:37:421013 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國(guó)” ， 關(guān)注我們 ???????? ? ? 意法半導(dǎo)體和三安光電將成立一家合資制造廠(chǎng)，進(jìn)行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規(guī)模量產(chǎn) ? ? 該合資廠(chǎng)將有助于滿(mǎn)足
2023-06-09 09:30:01993 碳化硅，也稱(chēng)為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 ?意法半導(dǎo)體和三安光電將成立一家合資制造廠(chǎng)，進(jìn)行8英寸碳化硅(SiC)器件大規(guī)模量產(chǎn)?該合資廠(chǎng)將有助于滿(mǎn)足中國(guó)汽車(chē)電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用對(duì)意法半導(dǎo)體SiC器件日益增長(zhǎng)的需求?該合資廠(chǎng)將采用ST
2023-07-31 17:19:201332 
近日，意法半導(dǎo)體與知名汽車(chē)Tier 1制造商博格華納達(dá)成了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略合作協(xié)議。該協(xié)議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升級(jí)博格華納的車(chē)規(guī)功率模塊。
2023-09-06 10:07:01523 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線(xiàn)。
2023-10-18 09:17:461174 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展，多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì)，2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
碳化硅，又稱(chēng)SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233792 龍頭廠(chǎng)商 理想汽車(chē) 簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。 隨著汽車(chē)行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入，高壓純電動(dòng)車(chē)因其能效更高、續(xù)航里
2023-12-22 08:20:011199 
12 月 22 日消息，據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息，該公司與理想汽車(chē)簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
2023-12-24 10:35:241212 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:161639 
在這次考察中，考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn)，這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣，其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬(wàn)片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業(yè)預(yù)期估算，該項(xiàng)目完成后每年潛在銷(xiāo)售額將達(dá)到 15 億元。
2024-01-19 13:57:202956 1月23日，山東有研硅半導(dǎo)體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》，該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自?xún)?yōu)勢(shì)，創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場(chǎng)與客戶(hù)。
2024-01-29 14:36:571705 近日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動(dòng)半導(dǎo)體與國(guó)際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達(dá)成，標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，將共同推動(dòng)SiC芯片在新能源汽車(chē)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用。
2024-03-15 09:44:431103 羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，
2024-04-23 10:17:57957 代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴(kuò)大合作。根據(jù)新簽署的長(zhǎng)期供貨協(xié)議
2024-04-26 11:30:001058 
羅姆集團(tuán)與全球知名的半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）近日共同宣布，雙方將深化合作關(guān)系，進(jìn)一步擴(kuò)展在碳化硅（SiC）襯底晶圓領(lǐng)域的合作。此次合作基于雙方現(xiàn)有的針對(duì)150mm（6英寸）碳化硅襯底晶圓的多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議，意法半導(dǎo)體將獲得羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅襯底晶圓供應(yīng)。
2024-05-07 10:16:491123 近日，純晶圓代工廠(chǎng)X-Fab與Soitec宣布將開(kāi)展深度合作，共同推動(dòng)碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠(chǎng)，利用Soitec的SmartSiC技術(shù)生產(chǎn)碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:201196 來(lái)源：國(guó)芯網(wǎng)，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 6月2日消息，意法半導(dǎo)體宣布將在意大利卡塔尼亞建設(shè)世界首個(gè)全流程垂直集成的碳化硅工廠(chǎng)。 在該園區(qū)中，意法半導(dǎo)體將整合碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從襯底開(kāi)發(fā)到外延生長(zhǎng)
2024-06-04 09:34:281497 近日，汽車(chē)電子領(lǐng)域的佼佼者意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與全球知名汽車(chē)及新能源汽車(chē)制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)宣布了一項(xiàng)重要合作。雙方已簽署碳化硅（SiC）器件的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，標(biāo)志著雙方在原有合作基礎(chǔ)上，對(duì)碳化硅器件的聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471236 。 ??卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計(jì)劃，在一個(gè)園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的電氣化進(jìn)程和高能效轉(zhuǎn)型。 意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）宣布將在意大利卡塔
2024-06-06 09:15:261623 
近日，半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與領(lǐng)先的汽車(chē)制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)宣布簽署了一份長(zhǎng)期碳化硅（SiC）供應(yīng)協(xié)議。此舉不僅鞏固了雙方在SiC器件領(lǐng)域的現(xiàn)有合作，更標(biāo)志著雙方合作關(guān)系的進(jìn)一步深化。
2024-06-06 09:40:44994 全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）近日宣布，將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地，專(zhuān)注于8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊的制造、封裝、測(cè)試等全流程生產(chǎn)。這一重要舉措不僅體現(xiàn)了意法半導(dǎo)體在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力，也標(biāo)志著公司向全面垂直整合碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-06-07 18:07:053036 近日，重慶三安意法8英寸碳化硅（SiC）襯底廠(chǎng)正式投產(chǎn)，標(biāo)志著這一高科技項(xiàng)目比預(yù)期提前兩個(gè)月進(jìn)入生產(chǎn)階段，為中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。該項(xiàng)目由全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體
2024-09-04 18:07:241531 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿(mǎn)足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對(duì)
2024-10-12 11:30:592195 ????????意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
2024-12-05 10:41:211095 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331280 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門(mén)襯底選擇，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394 
在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細(xì)微
2025-01-14 10:23:10400 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料，其生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:001983 一、引言
隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286 碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì)： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352673 三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(chǎng)(安意法半導(dǎo)體有限公司，簡(jiǎn)稱(chēng)安意法)，全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠(chǎng)預(yù)計(jì)將在2025年四季度投產(chǎn)，屆時(shí)將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線(xiàn)。
2025-02-27 18:12:341593 近日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠(chǎng)正式通線(xiàn)，預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn)，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚(yú)效應(yīng)，結(jié)合過(guò)去二十年合資汽車(chē)和自主品牌的此消彼長(zhǎng)發(fā)展歷程，不難看出國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體必須走自立自強(qiáng)與突圍之路：從合資依賴(lài)到自主創(chuàng)新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141016 日前，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（ST）與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠(chǎng)通線(xiàn)儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-03-21 09:39:241358 01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19962 
摘要
本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來(lái)的干擾問(wèn)題展開(kāi)研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性，為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30659 
提供理論與技術(shù)支持。
引言
隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛，晶圓總厚度變化（TTV）作為關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)，其精確測(cè)量至關(guān)重要。激光干涉法
2025-08-12 13:20:16779 ，為半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定運(yùn)行提供支持。
引言
在碳化硅半導(dǎo)體制造過(guò)程中，TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)是評(píng)估襯底質(zhì)量的關(guān)鍵依據(jù)。然而，受測(cè)量設(shè)備性能波動(dòng)、環(huán)境變化、樣品特性
2025-08-14 13:29:381028 本文通過(guò)對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異，深入分析兩者的性?xún)r(jià)比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購(gòu)測(cè)量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31707 摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作
2025-08-20 12:01:02552 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401083 摘要
本文聚焦碳化硅襯底晶圓總厚度變化（TTV）厚度測(cè)量技術(shù)，剖析其在精度提升、設(shè)備小型化及智能化測(cè)量等方面的最新發(fā)展趨勢(shì)，并對(duì)未來(lái)在新興應(yīng)用領(lǐng)域的拓展及推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的前景進(jìn)行展望，為行業(yè)技術(shù)
2025-09-01 11:58:10840
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論