科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“
英飛凌具有很好的美譽度，是我們長期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項
協(xié)議的
簽署，體現(xiàn)了科銳
SiC碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴充，同時將加速
SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對于實現(xiàn)更快、更小、更輕、更強大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要?！?/div>
2018-04-04 09:00:59
8214 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:023024 
的各種碳化硅（SiC）材料的供應(yīng)安全。 ? 據(jù)了解，碳化硅是高效而強大的功率半導(dǎo)體，尤其是光伏、工業(yè)電源和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域半導(dǎo)體不可或缺的基礎(chǔ)材料。雙方達成的這一協(xié)議意味著，為滿足日益增長的半導(dǎo)體需求，英飛凌給必不可少的SiC基材爭取到更多的回旋余地。 ? 該公司工業(yè)
2021-05-07 10:58:401788 極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導(dǎo)體材料
2019-01-11 13:42:03
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構(gòu)。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
，換向電感只能在DBC設(shè)計的限制范圍內(nèi)得到改善。由此產(chǎn)生的換向電感約為 20nH，對于 6 組功率模塊，這允許在中低功率范圍內(nèi)使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的發(fā)展趨勢，對 SiC 器件封裝技術(shù)進行歸納和展望。近20多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
的門檻變得越來越低，價格也在逐步下降，應(yīng)用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計，目前國內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當(dāng)前國內(nèi)品牌尚不具備競爭優(yōu)勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
范圍-5V~-15V，客戶根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開通穩(wěn)定?！ ?）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對開關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:005762 
科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:584706 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC（碳化硅）產(chǎn)能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術(shù)的自動化
2019-05-14 10:24:444139 第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的發(fā)展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續(xù)投入碳化硅器件的研發(fā)生產(chǎn)，并打入多個應(yīng)用市場。日前，在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上，該公司大中華區(qū)工業(yè)功率控制事業(yè)部副總裁于代輝和工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:217396 意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481766 碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶隙和三倍的熱導(dǎo)率。在半導(dǎo)體材料中形成器件結(jié)構(gòu)所
2021-06-15 17:27:1411132 
英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。
2020-11-13 11:48:481308 碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復(fù)雜
2022-07-28 17:05:012982 
【2022年9月19日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團 （納斯達克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應(yīng)協(xié)議
2022-09-20 11:39:121051 
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。
2022-11-09 10:53:291128 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 當(dāng)?shù)貢r間12日，英飛凌宣布，正在擴大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商合作，已與Resonac簽署一份新采購合作長單，補充并擴大了雙方2021年簽訂的合同。
2023-02-02 15:19:54667 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593 碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強，在熱、化學(xué)、機械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:087403 
功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:4410 英飛凌科技持續(xù)擴大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。
2023-02-17 09:31:15542 介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4818 援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應(yīng)商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議，以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:061194 ）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ，以配合其不斷擴大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容，實現(xiàn)更強的電氣和機械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29915 
電氣化的強勁增長 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進一步 優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng) 方面達成合作 緯湃科技（Vitesco Technologies） 和 安森美（onsemi） 今天宣布了一項價值19億美元（17.5億歐元）的 碳化硅產(chǎn)品10年期供應(yīng)協(xié)議 ，以實現(xiàn)緯湃科技在電氣化技術(shù)方面的提升。緯
2023-06-02 19:55:01975 
長達 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)?；a(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:371106 證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方
2023-07-19 11:15:031178 
協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并保留向現(xiàn)代/起亞供應(yīng)碳化硅及硅功率模塊和芯片的產(chǎn)能直至 2030 年?，F(xiàn)代/起亞將出資支持這一產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)能儲備。 ? 英飛凌與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議 ? 現(xiàn)代汽車集團執(zhí)行副總裁兼全球戰(zhàn)略辦公室（GSO）負責(zé)人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51766 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:332699 
12 月 22 日消息，據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。
2023-12-24 10:35:241212 2023年5月，英飛凌與天科合達簽訂了長期協(xié)議，以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應(yīng)。天科合達主要為英飛凌供6英寸的碳化硅襯底，同時還將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸SiC晶圓的過渡。
2024-01-11 16:38:331213 
英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達成了一項重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:351192 ）與全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:011100 英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發(fā)表聲明，延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應(yīng)合同。該合作內(nèi)容還包含了一份多年的產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。
2024-01-24 14:26:311151 英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴大并延長現(xiàn)有的晶圓供應(yīng)協(xié)議。這一協(xié)議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關(guān)系，以滿足市場對碳化硅（SiC）晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:521459 1月23日，山東有研硅半導(dǎo)體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》，該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢，創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:571705 技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過此次擴展，雙方的合作又新增了一項多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲
2024-01-30 14:19:16898 
英飛凌技術(shù)公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產(chǎn)碳化硅（SiC）材料和功率半導(dǎo)體器件的制造商 — 已經(jīng)擴大并延長了他們的現(xiàn)有長期150毫米碳化硅（SiC）晶圓供應(yīng)
2024-01-30 17:06:001340 
近日，芯聯(lián)集成與蔚來汽車簽署了碳化硅模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議條款，芯聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V碳化硅模塊的獨家生產(chǎn)供應(yīng)商。
2024-01-31 10:29:511038 英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:141385 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:331272 近日，國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動半導(dǎo)體與國際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達成，標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應(yīng)用。
2024-03-15 09:44:431103 羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，
2024-04-23 10:17:57957 代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴大合作。根據(jù)新簽署的長期供貨協(xié)議
2024-04-26 11:30:001058 
近日，汽車電子領(lǐng)域的佼佼者意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團宣布了一項重要合作。雙方已簽署碳化硅（SiC）器件的長期供應(yīng)協(xié)議，標(biāo)志著雙方在原有合作基礎(chǔ)上，對碳化硅器件的聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471236 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進一步加速碳化硅器件
2024-06-04 14:36:531453 近日，半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與領(lǐng)先的汽車制造商吉利汽車集團宣布簽署了一份長期碳化硅（SiC）供應(yīng)協(xié)議。此舉不僅鞏固了雙方在SiC器件領(lǐng)域的現(xiàn)有合作，更標(biāo)志著雙方合作關(guān)系的進一步深化。
2024-06-06 09:40:44994 近日，工業(yè)材料領(lǐng)域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導(dǎo)體簽署了一項長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Entegris將為安森美提供制造碳化硅（SiC）半導(dǎo)體的專業(yè)技術(shù)解決方案，標(biāo)志著雙方在高科技材料供應(yīng)領(lǐng)域的深度合作邁入新階段。
2024-08-09 10:39:131084 碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs和功率模塊等
2024-11-25 16:28:542901 隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體材料，因其卓越的電學(xué)
2024-11-25 16:30:082707 碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，其制造工藝涉及多個復(fù)雜步驟，以下是對SiC制造工藝的詳細介紹： 原材料選擇與預(yù)處理 SiC生產(chǎn)的基礎(chǔ)在于原材料的精選。多用純凈
2024-11-25 16:32:276212 ????????意法半導(dǎo)體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
2024-12-05 10:41:211095 碳化硅（SiC）是一種高性能的陶瓷材料，因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件，SiC的應(yīng)用范圍廣泛，其獨特的性能使其成為許多應(yīng)用中的首選材料。 碳化硅
2025-01-23 17:11:342732 在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅（Si）作為最常用的半導(dǎo)體材料，已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而，隨著電子器件對性能要求的不斷提高，碳化硅（SiC）作為一種新型半導(dǎo)體材料
2025-01-23 17:13:032591 在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
2025-04-30 18:21:20761 
9 月 28 日消息，兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議，雙方
2025-09-29 18:24:361709 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近期國內(nèi)碳化硅襯底供應(yīng)商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單，4月底，天岳先進在2022年年報中披露去年公司與博世集團簽署了長期協(xié)議，公司將為博世供應(yīng)碳化硅襯底產(chǎn)品。 ? 5月3日在
2023-05-06 01:20:003988 
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