科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“
英飛凌具有很好的美譽度，是我們長期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項
協(xié)議的簽署，體現(xiàn)了科銳SiC
碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴充，同時將加速SiC
碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對于實現(xiàn)更快、更小、更輕、更強大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要?！?/div>
2018-04-04 09:00:59
8213 電子發(fā)燒友訊 11月20日消息，科銳（Cree）和意法半導(dǎo)體（ST）將多年的碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議擴展至超過5億美元。該擴展使Cree先進的150mm碳化硅裸片和外延片原始協(xié)議的價值翻了一番，并將在幾年
2019-11-20 10:04:107098 的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至 150mm 以上，其 SmartSiC? 晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 ? 首批200mm SmartSiC?襯底誕生于 Soitec與CEA-Leti
2022-05-06 13:48:423097 
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新
2025-02-19 11:35:411716 
的各種碳化硅（SiC）材料的供應(yīng)安全。 ? 據(jù)了解，碳化硅是高效而強大的功率半導(dǎo)體，尤其是光伏、工業(yè)電源和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域半導(dǎo)體不可或缺的基礎(chǔ)材料。雙方達成的這一協(xié)議意味著，為滿足日益增長的半導(dǎo)體需求，英飛凌給必不可少的SiC基材爭取到更多的回旋余地。 ? 該公司工業(yè)
2021-05-07 10:58:401788 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地，進入試產(chǎn)階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:005497 
片150mm晶圓的消耗量，這里還未統(tǒng)計其他手機制造商對功率器件、其他平臺對光電子應(yīng)用的需求量。碳化硅（SiC）應(yīng)用持續(xù)升溫150mm晶圓的另一突出應(yīng)用領(lǐng)域是SiC功率MOSFET。如今，SiC功率
2019-05-12 23:04:07
，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻?！ ?4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力?！ ?6
2019-01-11 13:42:03
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
。強氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng)，并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中，能促進綠色碳化硅氧化從100℃開始，隨著溫度的提高，氧化程度愈為明顯，到1400℃時為最大
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
）法”和“氨熱法”?！癗a Flux（鈉助溶）法”的優(yōu)勢是可使晶圓實現(xiàn)較大的尺寸、較高的質(zhì)量；“氨熱法”的優(yōu)勢是可提高晶圓質(zhì)量。二者融合后，可以獲得比碳化硅成本更低的的氮化鎵晶圓。據(jù)森教授表示，使用由
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
組件來實現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計。也因為消費性市場存在可觀的潛在需求，相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下，氮化鎵制程已經(jīng)吸引臺積電等晶圓代工業(yè)者投入。不過，氮化鎵陣營的業(yè)者也有問鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
90A 的 6 件拓撲結(jié)構(gòu)，適用于 1200V，以及 50A、100A 和 150A 的混合碳化硅芯片組?！ “腠?E2 模塊 SEMITOP E2是允許全面優(yōu)化的無底板模塊。憑借其位于外殼頂部的引腳
2023-02-20 16:29:54
的發(fā)展趨勢，對 SiC 器件封裝技術(shù)進行歸納和展望。近20多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
晶圓由 Wolfspeed 提供，圖片由 Wolfspeed 提供另一家電源開關(guān)和射頻設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè) Wolfspeed 正在莫霍克河谷為基于碳化硅的元件建造一個200毫米的晶圓制造廠。這家
2022-07-07 11:34:54
系列電源模塊，支持多種柵極輸出電壓，可靈活應(yīng)用于碳化硅MOSFET驅(qū)動。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 設(shè)計緊湊， 通用性強。原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
相較于硅（Si），采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
2018-10-10 11:06:5629773 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些？國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析：英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進一步加碼
2018-12-06 16:08:00140328 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:584705 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-15 10:26:284909 意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481766 英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。
2020-11-13 11:48:481308 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521 意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery 表示：“此次最新的擴大與科銳的長期晶圓供應(yīng)協(xié)議，將繼續(xù)提高我們?nèi)?SiC 襯底供應(yīng)的靈活性。
2021-08-20 17:08:141660 
碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復(fù)雜
2022-07-28 17:05:012981 
碳化硅在電動汽車和新能源等市場的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進制造工藝并專注于盡快加速產(chǎn)品在 SiC 領(lǐng)域采用的公司
2022-08-03 10:57:442685 
【2022年9月19日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團 （納斯達克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應(yīng)協(xié)議
2022-09-20 11:39:121051 
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。
2022-11-09 10:53:291128 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135 制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中，約占兩位數(shù)
2023-02-09 17:51:29868 
英飛凌科技持續(xù)擴大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。
2023-02-17 09:31:15542 摘要：對于高導(dǎo)熱碳化硅（4H-SiC、6H-SiC）圓晶的導(dǎo)熱系數(shù)測試，目前普遍都采用閃光法，但都存在測試結(jié)果偏低的現(xiàn)象。本文基于這種高導(dǎo)熱碳化硅特性和閃光法，解釋了這種測試誤差較大的原因，并通過
2023-02-20 15:55:04
0 進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113177 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:272334 
援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應(yīng)商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議，以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:061194 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。
2023-05-17 14:39:043277 
碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，化學(xué)穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強酸或強堿發(fā)生反應(yīng)，切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經(jīng)驗，現(xiàn)將
2022-12-08 16:50:464337 
碳化硅晶錠的生長、切割一直是業(yè)內(nèi)公認的難題，全球僅有少數(shù)幾家公司擁有大尺寸碳化硅晶片的制造能力的只有幾家公司在世界上得到認可，wolfspeed作為目前這個領(lǐng)域的領(lǐng)先者，是唯一一個8英寸碳化硅晶片
2023-06-28 09:59:391043 伴隨著這座采用領(lǐng)先前沿技術(shù) 200mm 碳化硅制造工廠的建設(shè)和產(chǎn)能擴充計劃的執(zhí)行，莫霍克谷器件工廠已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅 MOSFET，首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號為 C3M0040120K。莫霍克谷器件工廠后續(xù)還將開始更多產(chǎn)品型號碳化硅器件的樣品申請，并批量出貨中國市場。
2023-07-05 10:31:441294 
? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息，隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn)，Wolfspeed已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET，首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號為C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:141265 長達 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)?；a(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:371106 這份為期十年的供應(yīng)協(xié)議要求Wolfspeed在2025年為Renesas提供150mm碳化硅裸晶和外延晶圓，這強化了兩家公司對于從硅向硅碳化物半導(dǎo)體功率設(shè)備行業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-07 10:46:511227 碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動，碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線，。國內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競爭。
2023-07-14 16:22:581831 隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號，全球芯片制造商正在快速采取行動，確保碳化硅功率器件的供應(yīng)。O
2023-08-07 18:28:34799 
碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此，生產(chǎn)碳化硅晶圓的成本是同等級硅晶圓成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43635 Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:002169 
英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達成了一項重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:351190 ）與全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:011100 英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發(fā)表聲明，延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應(yīng)合同。該合作內(nèi)容還包含了一份多年的產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。
2024-01-24 14:26:311151 英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴大并延長現(xiàn)有的晶圓供應(yīng)協(xié)議。這一協(xié)議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關(guān)系，以滿足市場對碳化硅（SiC）晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:521459 為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，我們正在落實一項多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在全球范圍內(nèi)保障對于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源
2024-01-25 11:13:55455 英飛凌技術(shù)公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產(chǎn)碳化硅（SiC）材料和功率半導(dǎo)體器件的制造商 — 已經(jīng)擴大并延長了他們的現(xiàn)有長期150毫米碳化硅（SiC）晶圓供應(yīng)
2024-01-30 17:06:001340 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:141385 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:331272 全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。
2024-03-28 14:37:321316 開始安裝鑄錠設(shè)備，預(yù)計生產(chǎn)將于 2024 年 12 月或 2025 年 1 月開始。 該工廠將主要生產(chǎn)200mm（8英寸）碳化硅晶圓，其尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍。這將滿足對能源轉(zhuǎn)型
2024-04-15 16:33:10566 羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，
2024-04-23 10:17:57957 代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴大合作。根據(jù)新簽署的長期供貨協(xié)議
2024-04-26 11:30:001058 
羅姆集團與全球知名的半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（簡稱ST）近日共同宣布，雙方將深化合作關(guān)系，進一步擴展在碳化硅（SiC）襯底晶圓領(lǐng)域的合作。此次合作基于雙方現(xiàn)有的針對150mm（6英寸）碳化硅襯底晶圓的多年長期供貨協(xié)議，意法半導(dǎo)體將獲得羅姆集團旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅襯底晶圓供應(yīng)。
2024-05-07 10:16:491123 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）和為各種電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球著名半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體（以下簡稱“ST”）宣布，羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH（以下簡稱“SiCrystal”）將擴大目前已持續(xù)多年的150mm SiC晶圓長期供應(yīng)合同。
2024-05-08 14:50:561192 在全球半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)革新的浪潮中，碳化硅芯片作為新一代功率半導(dǎo)體器件的核心材料，正逐步成為市場的新寵。近日，半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的佼佼者Wolfspeed公司宣布，其碳化硅芯片制造工廠及材料制造工廠均取得了關(guān)鍵性的進展，這一里程碑式的成就無疑將進一步鞏固Wolfspeed在碳化硅功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-27 14:33:011308 以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢
2024-08-08 10:13:174710 知名碳化硅晶圓和外延片制造商Wolfspeed近期宣布了一項戰(zhàn)略調(diào)整決策，決定關(guān)閉其位于美國北卡羅來納州達勒姆的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)設(shè)施，以應(yīng)對成本控制的緊迫需求。盡管此舉的具體員工影響尚未透露，但
2024-08-26 09:42:061044 全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 Wolfspeed碳化硅助力實現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
2024-10-24 10:51:362 圓切片工藝具有重要價值。然而，該技術(shù)的原理和損傷層形成機理尚未完全明確。因此，本文將介紹超短脈沖激光輔助SiC晶圓切片工藝原理，并深入探討超短脈沖激光在材料內(nèi)部加工的機理問題。 超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片工藝原理
2024-11-25 10:02:101329 
英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)200mmSiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所
2025-02-18 17:32:451135 
的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？——溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻
2025-04-30 18:21:20761 從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落：技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為碳化硅（SiC）領(lǐng)域的先驅(qū)，Wolfspeed
2025-05-21 09:49:401088 
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19961 Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232328 9月8日消息，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補
2025-09-10 09:12:481432 全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）宣布，Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型的使命邁出關(guān)鍵一步。
2025-09-11 09:12:541415 一、引言
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅（SiC）作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著優(yōu)勢。然而，大尺寸帶來的挑戰(zhàn)
2025-09-20 10:10:23509 
碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中，我們
2025-09-22 09:31:47654 天岳先進上海工廠產(chǎn)品交付儀式舉辦當(dāng)天，英飛凌也宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，天岳先進將為德國半導(dǎo)體制造商英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競爭力的150毫米（6英寸）碳化硅晶圓和晶錠，其
2023-05-06 01:20:003980 
上漲。 ? 近期，包括羅姆、安森美、Wolfspeed、博世、三安光電、天岳先進等國內(nèi)外企業(yè)紛紛披露碳化硅項目最新進展，其中多起投資金額超百億元人民幣。就在這幾日，市場消息顯示，瑞薩電子與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議，碳化
2023-07-07 01:15:001848 
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