物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用若要全面普及，勢必需要在人類生活環(huán)境中部署大規(guī)模傳感器等基礎(chǔ)設(shè)施，這些設(shè)備若能擁有愈長的電池續(xù)航力當(dāng)屬愈好，一來可節(jié)省維護成本、二來有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。

　　現(xiàn)階段業(yè)界也在尋找可大幅降低物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備能源消耗的辦法，為此業(yè)界發(fā)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)芯片中內(nèi)嵌“可變電阻式內(nèi)存”（ReRAM），有助達(dá)成此一節(jié)能目標(biāo)。

　　據(jù)Embedded Computing Design網(wǎng)站報導(dǎo)，若要達(dá)到物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的能源采用要求，需要導(dǎo)入各式節(jié)能策略，即使多數(shù)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備設(shè)計成可休眠或待命的模式，但再怎么說物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備仍有一定比例時間在運作，因此如何節(jié)能仍是一大技術(shù)重點。

　　其中嵌入式內(nèi)存在協(xié)助物聯(lián)網(wǎng)芯片節(jié)能上便扮演要角，因具備低功耗及低電壓操作、單體IC、快速讀寫時間、非揮發(fā)性以及高容量等有助提升物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備能源效率的優(yōu)勢。

　　什么是ReRAM

　　ReRAM不同于傳統(tǒng)Flash內(nèi)存技術(shù)，ReRAM內(nèi)存是以字節(jié)進行尋址，能以小型頁（page）進行建構(gòu)，因此ReRAM能夠獨立抹除及再寫入，能夠大幅簡化儲存控制器的復(fù)雜性。

　　ReRAM儲存單元通常在兩個金屬電極之間部署一個切換材料，當(dāng)施加電壓時該材料能夠顯現(xiàn)出不同的阻力特性，該切換材料及內(nèi)存儲存單元如何進行組構(gòu)，就成為決定ReRAM節(jié)電性的關(guān)鍵。該切換材料為燈絲奈米粒子（Filamentary nanoparticle），以及不具導(dǎo)電性的非晶硅（a-Si）這類簡易CMOS兼容性材料。

　　例如Crossbar ReRAM技術(shù)，是基于采用對CMOS友善的材料及標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程的簡易兩個終端設(shè)備結(jié)構(gòu)所開發(fā)，能夠輕易與CMOS邏輯電路進行整合，且能夠以現(xiàn)有CMOS廠房生產(chǎn)，無需采特殊的設(shè)備或材料。