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隨著MCU單片機(jī)主頻越來(lái)越高，處理能力越來(lái)越強(qiáng)大，需要的RAM資源相應(yīng)增加，單片上SRAM采用6T結(jié)構(gòu)，成本相對(duì)較高，且不容易做得太大。由于MCU管腳數(shù)量的限制，不提供外部RAM擴(kuò)展接口，無(wú)法使用并行SRAM或者SDRAM來(lái)實(shí)現(xiàn)ram擴(kuò)展。有些IO口較多的MCU有專用的接口如FSMC來(lái)連接SDRAM或并行psram，但會(huì)占用過(guò)多的管腳資源和PCB面積。面向IoT領(lǐng)域的IPUS SQPI PSRAM 。主要采用DRAM 1T1C的架構(gòu)做memory cell，相比靜態(tài)SRAM，單位面積的硅片可以實(shí)現(xiàn)更高的存
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