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【AI技術(shù)支持】ESP32模組PSRAM的CS引腳上拉導(dǎo)致功耗上升處理

啟明云端 ? 2024-10-31 08:01 ? 次閱讀
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在游戲機(jī)產(chǎn)品上,使用ESP32-WROOM-32E/ESP32-WROOM-32UE模組,ESP-IDF版本為IDF v5.1.1時,根據(jù)外圍設(shè)計原理圖介紹,在模組內(nèi)置esp32芯片類型使用了QSPI PSRAM的情況下,IO16引腳必須接上拉電阻10K且不能用作其他功能。在這個設(shè)計下,外部psram啟用時,psram的cs是輸出低有效,IO16一直輸出低電平會跟VDD33形成短路,即使串了一個10K電阻又因為外面無法修改IO16的引腳狀態(tài),從而導(dǎo)致深度睡眠的時有140uA的大電流,針對這種情況,該怎么去降低模組功耗呢?

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啟明云端/02

這是咋回事呢?

通過驗證,之前使用不帶psram的模組,深度睡眠的功耗測試為10uA;在10K上拉后IO16引腳端電壓是1.67v, 計算 (3.3v-1.67)/10K=140ua,與目前的實際測試功耗值正好對應(yīng)。根據(jù)以上信息確定是IO16上拉電阻10K電阻導(dǎo)致深度睡眠模式下的功耗增加。

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啟明云端/03

解決方案

SO easy!

解決方案1:硬件方案、由于該上拉電阻的作用是PSRAM 運(yùn)行穩(wěn)定性,無法直接去除,但是可以適當(dāng)加大這個電阻的阻值來降低功耗;

解決方案2:軟件方案、在項目的menuconfig配置中啟用CONFIG_ESP_SLEEP_PSRAM_LEAKAGE_WORKAROUND配置項,此選項將設(shè)置 PSRAM 的 CS 管腳在睡眠期間為 PULL-UP 狀態(tài),從而避免psram的cs 引腳在浮空狀態(tài)被識別為低電平時產(chǎn)生大的電流泄漏和保護(hù)PSRAM 中的數(shù)據(jù)不被被其他 SPI 引腳上的隨機(jī)信號破壞。

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