資料介紹
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程,并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。開(kāi)關(guān)過(guò)程中,功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過(guò)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過(guò)程。在跨越恒流區(qū)時(shí),功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導(dǎo)為正比例系列,線性增加。米勒平臺(tái)區(qū)對(duì)應(yīng)著最大的負(fù)載電流??勺冸娮鑵^(qū)功率MOSFET漏極減小到額定的值。
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程盡管MOSFET在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用,但是許多電子工程師并沒(méi)有十分清楚的理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程,以及MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中所處的狀態(tài)。一般來(lái)說(shuō),電子工程師通?;跂艠O電荷理解MOSFET的開(kāi)通的過(guò)程,如圖1所示。此圖在MOSFET數(shù)據(jù)表中可以查到。
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