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相較于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高開關(guān)速度與低通態(tài)電阻特性增加了其瞬態(tài)波形的非理想特性與對(duì)雜散參數(shù)影響的敏感性，對(duì)其瞬態(tài)建模的精度提出更高的要求。通過功率開關(guān)器件瞬態(tài)過程的時(shí)間分段、機(jī)理解耦與參數(shù)解耦，突出器件開關(guān)特性，弱化物理機(jī)理，簡(jiǎn)化瞬態(tài)過程分析，建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態(tài)模型。理論計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比表明，該模型能夠較為精細(xì)地體現(xiàn)SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)波形且能夠較為準(zhǔn)確地計(jì)算SiC MOSFET開關(guān)損耗。該模型參數(shù)可全部由數(shù)據(jù)手冊(cè)提取，有較強(qiáng)的實(shí)用性。
SiC MOSFET
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