SDRAM 與 Flash 不同，它不具有掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性，但其存取速度大大高于 Flash 存儲(chǔ)器，且具有讀/寫的屬性，因此 SDRAM 在系統(tǒng)中主要用作程序的運(yùn)行空間，數(shù)據(jù)及堆棧區(qū)。當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)，CPU 首先從復(fù)位地址 0x0 處讀取啟動(dòng)代碼，在完成系統(tǒng)的初始化后，程序代碼一般應(yīng)調(diào)入 SDRAM 中運(yùn)行，以提高系統(tǒng)的運(yùn)行速度，同時(shí)，系統(tǒng)及用戶堆棧、運(yùn)行數(shù)據(jù)也都放在 SDRAM 中。

　　SDRAM 具有單位空間存儲(chǔ)容量大和價(jià)格便宜的優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用在各種嵌入式系統(tǒng)中。 SDRAM 的存儲(chǔ)單元可以理解為一個(gè)電容，總是傾向于放電，為避免數(shù)據(jù)丟失，必須定時(shí)刷新（充電）。因此，要在系統(tǒng)中使用 SDRAM，就要求微處理器具有刷新控制邏輯，或是在系統(tǒng)中另外加入刷新控制邏輯電路。S3C4510B 和 S3C44B0X 芯片及其他一些 ARM 芯片在片內(nèi)具有獨(dú)立的 SDRAM 刷新控制邏輯，可方便地與 SDRAM 接口。但某些 ARM 芯片則沒(méi)有 SDRAM 刷新控制邏輯，不能直接與 SDRAM 接口，在進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意這一點(diǎn)。

　　SDRAM 是高速的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它的同步接口和完全流水線的內(nèi)部結(jié)構(gòu)使其擁有極大的數(shù)據(jù)速率，目前 SDRAM 時(shí)鐘頻率已達(dá) 100MHz 以上。另外它們的行、列地址線共用，由行地址選通（（CAS）、列地址選通（RAS）信號(hào)分時(shí)控制?；敬鎯?chǔ)單元是內(nèi)存芯片中儲(chǔ)存信息的最小的單位，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ) 1bit 的信息，并且有一個(gè)由行地址和列地址共同定義的唯一的地址。我們都知道 8bit 可以在一起組成 1byte（這也就意味著 lbyte 具有 256 種可能的數(shù)值），而字節(jié)是內(nèi)存中最小的可尋址的單元。雖然內(nèi)存基本存儲(chǔ)單元具有唯一的地址，但是并不能進(jìn)行獨(dú)立的尋址，這將要求內(nèi)存芯片有數(shù)以百計(jì)的引腳同計(jì)算機(jī)通信，顯然這是不可能的?，F(xiàn)在內(nèi)存架構(gòu)是處于同一列的基本存儲(chǔ)單元共用一條列地址線，而處于同一行的基本存儲(chǔ)單元共用一條行地址線，組成一個(gè)基本存儲(chǔ)單元構(gòu)成的矩陣架構(gòu)。而這些矩陣架構(gòu)構(gòu)成一個(gè)內(nèi)存 Bank，SDRAM 內(nèi)部以 Bank 為組織，可由行、列地址尋址。另外為了保持內(nèi)部數(shù)據(jù)還必須進(jìn)行刷新。