微波器件的薄膜化過(guò)程中會(huì)遇到很多的技術(shù)難點(diǎn)，本文以環(huán)形器薄膜化過(guò)程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來(lái)分析微波器件薄膜化過(guò)程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。工作在微波波段（300～300000兆 赫）的器件。它的電子產(chǎn)品都在向的小型化，集成化方向發(fā)展，元器件尺寸和重量已成為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮的主要因素，微波器件薄膜化對(duì)電子產(chǎn)品小型化集成化意義重大，隨著單片（MMIC）技術(shù)和混合微波集成電路（HMIC）技術(shù)的發(fā)展，薄膜化微波集成電路較好地滿(mǎn)足了電子裝備在體積和重量方面的需求。薄膜區(qū)別于塊材的性質(zhì)主要有以下方面： 1、薄膜材料的厚度很薄，很容易產(chǎn)生尺寸效應(yīng) 。 2、表面效應(yīng)很顯著。 3、薄膜材料包含大量的表面晶粒間界和缺陷態(tài)，影響電子運(yùn)輸。 4、薄膜與基片之間還會(huì)存在一定的相互作用，會(huì)影響薄膜與基片之間的粘附性以及內(nèi)應(yīng)力。環(huán)行器是一個(gè)多端口的無(wú)源器件，它的特性是使輸入信號(hào)依次環(huán)行傳輸，如圖1當(dāng)輸入信號(hào)由1端輸入時(shí)，通過(guò)環(huán)行器將由2 端輸出，不會(huì)傳至3端。

　　環(huán)形器薄膜化過(guò)程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)是：制備高質(zhì)量薄膜和減小外加磁場(chǎng)。鐵氧體薄膜制備難。薄膜材料容易對(duì)環(huán)形器引入插入損耗，如何制備高質(zhì)量的薄膜是當(dāng)前薄膜化環(huán)形器急需解決的難點(diǎn)之一 。常用薄膜制備主要方法有：磁控濺射，液相外延法，脈沖激光沉積（PLD，化學(xué)氣相沉積法。薄膜質(zhì)量要求有要厚度均勻，缺陷少，表面粗糙度小，合適的磁性能。
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