現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo) 地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及高性能之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、 航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換…等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。 半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測(cè)量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤 其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會(huì)發(fā)生爆炸。所以對(duì)新產(chǎn)品及使 用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。針對(duì)IGBT而言，IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。 其中，城市軌道交通車(chē)輛的牽引逆變器、輔助逆變器等重要電氣設(shè)備中，大量使用了IGBT器件，IGBT器件的各種靜態(tài)參數(shù)為 使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)，因此準(zhǔn)確測(cè)量IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)具有極其重要的實(shí)際意義。