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發(fā)視頻PMP30446.1-采用標(biāo)準(zhǔn) Si-MOSFET 的 99% 峰值效率、585W高壓降壓 PCB layout 設(shè)計(jì)
2024-05-19 |
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資料介紹
此參考設(shè)計(jì)將 450V 至 780V 的直流輸入源轉(zhuǎn)換為 1.5A、390V 非隔離式輸出。由于其實(shí)際功率級(jí)僅使用標(biāo)準(zhǔn)的器件組件，該參考設(shè)計(jì)是 SiC FET 和 SiC 二極管降壓轉(zhuǎn)換器的替代解決方案。為了使用額定值為 600V 的器件，將輸入源拆分，從而允許兩個(gè)相同的降壓級(jí)共用中心點(diǎn)。單個(gè)耦合電感 (1:1) 可自動(dòng)平衡中心點(diǎn)。如果兩個(gè) FET 出現(xiàn)電壓不均衡，或其柵極驅(qū)動(dòng)延遲時(shí)間略有差異，兩個(gè)小型串聯(lián)電感器可限制每個(gè)分支的電流。在 CRM 模式（臨界導(dǎo)通模式）下，該轉(zhuǎn)換器可最大程度地降低開關(guān)損耗，從而在 450V 輸入電壓和滿載條件下實(shí)現(xiàn) 99% 的峰值效率。
pcb
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