MOSFET講解-02（可下載）

1695866 2025-04-16 | pdf | 263.46 KB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

我們現(xiàn)在知道了，只要讓 MOSFET 有一個導(dǎo)通的閾值電壓，那么這個 MOSFET 就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個電路中，假設(shè) GS 電容上有一個閾值電壓，足可以讓 MOSFET 導(dǎo)通，而且電容沒有放電回路，不消耗電流。那么 DS 導(dǎo)通，理論上等效電阻無窮小，我們把這個等效電阻稱之為 Rdson。當(dāng) MOSFET 電流達(dá)到最大時，則 Rdson 必然是最小的。對于 MOSFET 來說，Rdson 越小，價格也就越貴。我們說 MOSFET 從不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通，等效內(nèi)阻 Rdson 從無窮大變成無窮小，當(dāng)然這個無窮小也有一個值的。MOSFET 導(dǎo)通了，但是它沒有回路。

以上這些就是 MOSFET 和三極管的區(qū)別。當(dāng)我們在測量 MOSFET 時，要想測量 Rdson，先用鑷子夾在 GS 兩端短路掉，把 GS 電壓先放掉，放掉之后再測量 DS 兩端的阻抗，否則測出來的值就不準(zhǔn)。

接下來我們再來看 MOS 管的損耗問題。

我們說，盡管導(dǎo)通后 Rdson 很小，但是一旦我走大電流，比如 100A，最終還是有損耗的。我們把這個損耗叫做 MOSFET 的導(dǎo)通損耗，這個導(dǎo)通損耗，是由 MOSFET 的 Rdson 決定的，當(dāng) MOSFET 選型確定了之后，它的 Rdson 不再變了。

另外，DS 上流過的 Id 電流是由負(fù)載決定的。既然是由負(fù)載決定的，我們就不能改變電流，所以，我們說 MOSFET 的導(dǎo)通損耗是由 Rdson 決定的。

我們看到，MOSFET 的 DS 之間有一個二極管，我們把這個二極管稱為 MOSFET 的體二極管。假設(shè)正向：由 D 指向 S，那么，體二極管的方向是跟正向相反的，而且，這個體二極管正向不導(dǎo)通，反向會導(dǎo) 通。所以，這個體二極管和普通二極管一樣，也有鉗位電壓，實(shí)際鉗位電壓跟體二極管上流過的電流是有關(guān)系的，體二極管上流過的電流越大，則鉗位電壓越高，這是因?yàn)轶w二極管本身有內(nèi)阻。

體二極管的功耗問題。假設(shè)體二極管的壓降是 0.7V，那么它的功耗 P=0.7V*I，所以，它的功耗也是由負(fù)載決定的。所以，功耗也蠻大的。我們把體二極管的功耗稱之為續(xù)流損耗。

體二極管的參數(shù)我們怎么去設(shè)置呢？為了安全起見，體二極管的電流，一般跟 Id 電流是接近或者相等的。另外，我們還要注意的是，這個體二極管并不是人為的刻意做上去的，而是客觀存在的。

對于 MOSFET 來說，我們來討論 GS 電容問題。

我們要知道，MOSFET 其實(shí)并不是一個 MOSFET，它實(shí)際上是由若干個小的 MOSFET 合成的。既然是合成的，我們就討論下低壓 MOSFET和高壓 MOSFET 的差異。

假設(shè)功率相等：3 KW

低壓：24V 電流：125A

高壓：310V 電流：9.7A

大家看到?jīng)]有，低壓電流大，高壓電流小。從內(nèi)阻法來分析：如果電流大，是不是等效為內(nèi)阻小??；如果電流小，是不是內(nèi)阻大啊。所以，低壓器件要求內(nèi)阻小，高壓內(nèi)阻大了。

從電壓角度比較分析：

從耐壓來看，則多個串聯(lián)；從電流來看，則多個并聯(lián)。所以：

低壓：24V 電流：125A 內(nèi)阻小多個管子并聯(lián) 耐壓很難做高

高壓：310V 電流：9.7A 耐壓高多個管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大