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本課題的研究目的旨在從改變功率VDMOS的結(jié)構(gòu)參數(shù)入手得到外延層厚度和柵源電壓對(duì)功率VDMOS縱向電場(chǎng)的影響，并且在結(jié)構(gòu)參數(shù)變化的范圍內(nèi)分析出最大電場(chǎng)位置的變化，為優(yōu)化器件的性能起到指導(dǎo)作用。通過二維仿真工具TSUPREM4和MEDICI仿真器件的結(jié)構(gòu)和電場(chǎng)并以圖表的形式計(jì)算得到最大電場(chǎng)位置的變化趨勢(shì)。通過修改器件的外延層厚度得到了在不同的參數(shù)下其縱向電場(chǎng)的分布接近封閉的拱形曲線并且隨著外延層厚度的增加最大電場(chǎng)的位置接近線性的變化趨勢(shì)，外延層厚度每增加1.5um到2.5um，最大電場(chǎng)點(diǎn)的位置會(huì)上升外延層厚度的百分之3到百分之6．、改變器件的柵源電壓使器件在進(jìn)入準(zhǔn)飽和區(qū)之后縱向電場(chǎng)分布十分穩(wěn)定不在受柵源電壓的影響而沒有進(jìn)入準(zhǔn)飽和區(qū)時(shí)電場(chǎng)隨著柵源電壓的增大而增大。
VDMOS
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