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本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan?；谝唤M在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn)，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v）下工作，可能會(huì)導(dǎo)致顯著的負(fù)閾值電壓偏移，這與導(dǎo)通電阻的降低密切相關(guān)；2）該過程的時(shí)間常數(shù)在10-100s之間，并由溫度加速，活化能等于0.37ev；3）閾值電壓的變化是可恢復(fù)的，具有對(duì)數(shù)動(dòng)力學(xué)。閾值電壓的負(fù)移歸因于sin/algan界面和/或柵絕緣體中陷阱態(tài)的耗盡。
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