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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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通過臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實驗
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的,一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是,這些廢液的處理是極其困難的,與...
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說,是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制...
最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。
光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析
應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類型(...
一文解析對準(zhǔn)光刻蝕刻光刻的基本知識(SALELE)
通過逐步的說明,本系列說明并向您展示了確保在當(dāng)今最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)中確保布局保真度所需的自對準(zhǔn)模式創(chuàng)建的復(fù)雜性。第1部分介紹了SADP和SAQP。在本期的最后...
為什么尺寸縮小并沒按應(yīng)有的速度不斷進(jìn)步呢?為什么高端硅成本依然如此昂貴?答案就在于芯片設(shè)計的復(fù)雜性——如今的芯片設(shè)計層數(shù)繁多,各層之間還必須無縫連接。
2020-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造 2.3k 0
到2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵,而此前業(yè)界并沒有認(rèn)為浸入式技術(shù)有如此大的功效。
詳解光刻膠技術(shù)并闡述光刻膠產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和國內(nèi)發(fā)展趨勢
光刻膠是電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工關(guān)鍵材料之一,是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下...
光刻膠是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和...
隨機(jī)變化需要新方法、新工具,以及不同公司之間的合作。 極紫外(EUV)光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn),但是隨機(jī)性變化又稱為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面,并為這項期待已...
2018-03-31 標(biāo)簽:光刻膠 6.5k 0
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