隨機變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。

極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機性變化——又稱為隨機效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項期待已久的技術(shù)帶來了更多的挑戰(zhàn)。

GlobalFoundries、英特爾、三星和臺積電希望將EUV光刻技術(shù)加入到7nm和5nm生產(chǎn)中。但就像以前一樣，EUV由幾部分組件組成，在芯片制造商能夠引入之前，它們必須整合在一起。包括光刻機、光源、光刻膠和掩膜。最近，行業(yè)已經(jīng)開始發(fā)布關(guān)于量子隨機效應(yīng)的警報，這種現(xiàn)象會引起光刻圖案隨機變化。

有些組件已經(jīng)準備就緒，而有些則發(fā)展緩慢。事實上，EUV團隊首次將光刻膠及其相關(guān)問題列為EUV的最大挑戰(zhàn)，超過了電源。經(jīng)過多年的推遲，EUV光源功率終于滿足了大批量生產(chǎn)（HVM）的要求。

光刻膠是用來制作圖案的光敏聚合物，它是造成隨機性效應(yīng)的罪魁禍首之一。根據(jù)定義，隨機效應(yīng)描述了具有光量子隨機變化的事件。它們是不可預(yù)測的，沒有穩(wěn)定的模式。

在EUV的情況下，光子擊中光刻膠并引起光化學反應(yīng)。但是對于EUV光刻膠而言，由于量子非定域效應(yīng)，每個或多個反應(yīng)期間可能出現(xiàn)新的不同的反應(yīng)。因此EUV容易發(fā)生涉及隨機效應(yīng)。一般來說，該行業(yè)將隨機性主要歸咎于光刻膠，但EUV的光掩膜和其他部分(EUV光子平均自由程較大)也可能會出現(xiàn)隨機變量。?

隨機效應(yīng)并不新鮮。事實上，這一現(xiàn)象多年來一直困擾著EUV團隊。眾所周知，隨機效應(yīng)會導(dǎo)致光刻圖案的變化。行業(yè)一直在努力解決這個問題，但人們要么低估了問題，要么沒能及時解決問題，要么兩者兼而有之。

新情況是，行業(yè)終于迎來了另一個問題。一顆先進的邏輯芯片集成了十億個甚至更多的微小通孔。 如果EUV光刻過程中出現(xiàn)問題，芯片可能會遭受由于隨機效應(yīng)引發(fā)的失效或缺陷(通孔缺失contact missing)。換言之，一顆芯片可能會因為一個觸點通孔的缺陷而失效。?

這可能是一廂情愿的想法，但芯片制造商相信他們可以躲避7nm工藝節(jié)點潛在的由隨機性引發(fā)的缺陷。事實上，EUV可能出現(xiàn)在7nm工藝節(jié)點。但在5nm甚至是7nm工藝節(jié)點的情況下，芯片制造商可能無法避免這些和其他問題，除非行業(yè)出現(xiàn)一些新的突破。GlobalFoundries高級研究員兼高級技術(shù)研究總監(jiān)Harry Levinson表示：“公平地講，我們的行業(yè)非常樂觀地看待我們向EUV光刻前進的方向。我們正準備將第一代引入到大批量生產(chǎn)中，展望第二代EUV光刻技術(shù)，抵抗隨機效應(yīng)絕對是最重要的問題之一?！?/p>

無論節(jié)點如何，EUV隨機效應(yīng)都為芯片制造商、晶圓廠工具供應(yīng)商和IC設(shè)計團體帶來了麻煩。西門子公司DFM項目總監(jiān)David Abercrombie表示：“從設(shè)計的角度來看，隨機效應(yīng)確實是隨機的，因為你無法預(yù)測變化的位置和數(shù)量。因此，沒有系統(tǒng)的方法可以說一個特定的布局特征應(yīng)該在這個區(qū)域還是在另一個區(qū)域中進行修改。換言之，除了避免的所有敏感特性的出現(xiàn)，將其轉(zhuǎn)化成傳統(tǒng)設(shè)計規(guī)則約束以外，完全沒有辦法在設(shè)計過程中補償隨機效應(yīng)影響?！?/p>

作為回應(yīng)，該行業(yè)正在采取措施解決一些問題。其中包括：

? 供應(yīng)商正在改進EUV光刻膠。

? Applied Materials和ASML正在開發(fā)一種新的電子束測量工具，承諾可以檢測出隨機性缺陷。此外，創(chuàng)業(yè)公司Fractilia已經(jīng)設(shè)計了一種方法來輔助測量。

? 然后，通過這些新的測量數(shù)據(jù)，芯片制造商請求有競爭力的晶圓廠工具供應(yīng)商進行合作，并一起對信息進行整合。

　　為什么是EUV？

　　芯片制造商需要EUV，因為使用今天的光刻技術(shù)來繪制微小特征變得越來越困難。

　　最初，芯片制造商將把今天的193nm沉浸式光刻和多重曝光擴展到10nm和7nm工藝節(jié)點。這些技術(shù)是可行的，但是使用它們來實現(xiàn)特定圖形變得更加困難。因此，芯片制造商最初希望將EUV用于器件的通孔層。他們將繼續(xù)在其他部分使用沉浸式光刻和多重曝光。

　　根據(jù)GlobalFoundries的數(shù)據(jù)，為了處理觸點/通孔，在今天的7nm工藝節(jié)點中，每層需要2到4個掩膜。但是，EUV每層只需要一個掩膜。

　　EUV的引入取決于技術(shù)的成熟程度。今天，ASML正在出貨其首款量產(chǎn)EUV光刻機，NXE:3400B。13.5nm波長，擁有13nm光刻圖形分辨率。

　　EUV光刻機可以曝光出優(yōu)良的圖形，但多年來EUV光源沒有產(chǎn)生足夠的功率。這影響了系統(tǒng)的整體生產(chǎn)率?，F(xiàn)在，ASML正在出貨一個246瓦的EUV光源，生產(chǎn)率為125片晶圓/每小時（wph）。這達到了HVM大規(guī)模量產(chǎn)的目標水平。

　　然而，挑戰(zhàn)遠未結(jié)束。今天的193nm光刻機可以在250wph下不間斷運行。然而，EUV的正常運行時間徘徊在70％和80％左右。ASML產(chǎn)品營銷總監(jiān)Michael Lercel表示：“我們已經(jīng)證明我們可以實現(xiàn)生產(chǎn)率指標。今年的重點是確保實現(xiàn)可用性。我們的目標是達到90%以上的可用性?！?/p>

　　此外，EUV掩膜版保護薄膜還沒有準備好?！氨∧ふ谶M步。雖然透光率仍然很低，但是我們已經(jīng)證明了這些薄膜可以在245瓦的條件下使用。在采用一些新材料的離線測試中，我們認為它們甚至可以超過300瓦。”

　　光子計數(shù)

　　光刻膠是另一個挑戰(zhàn)。多年來，行業(yè)在248nm和193nm的光刻中使用了化學放大型光刻膠（CAR）。

　　簡而言之，光刻光源產(chǎn)生光子或光粒子。光子撞擊光化學放大型光刻膠，產(chǎn)生光酸。然后，化學放大型光刻膠在曝光后的烘烤過程中進行光酸催化反應(yīng)。

　　可用于EUV的化學放大型光刻膠經(jīng)歷類似的過程之后會有不同的結(jié)果。IMEC先進圖案部門主管Gregory McIntyre表示：“在EUV案例中，情況要復(fù)雜得多，而且不是很好理解。你要有更高能量的光子，它會產(chǎn)生高能電子，并迅速躍遷為低能量電子。然后這些電子就會與被撞擊的物質(zhì)相互作用。這里有很多的未知因素，比如產(chǎn)生了多少電子，能量是多少，更重要的是，這些電子會產(chǎn)生什么樣的化學反應(yīng)。”

　　另一種解釋是，當系統(tǒng)將光刻膠暴露于EUV光照射下，將一定數(shù)量的光子送入了光刻膠。理想情況下，這些光子會均勻分散。但是光刻膠的一點可能會吸收10個光子，而另一個點可能會吸收8個光子。這種不希望的結(jié)果被稱為量子隨機效應(yīng)（量子漲落）。

　　圖1：隨機性圖像。?

　　在另一個例子中，假設(shè)EUV光在三個連續(xù)和單獨的事件中擊中光刻膠。在第一個事件中，光刻膠吸收10個光子。第二次吸收9個光子，第三次吸收11個光子。這種從一個事件到下一個事件的變化稱為光子散射噪聲現(xiàn)象。

　　如果將這些事件繪制在圖表曲線上，那么光子的分布有時是不理想的。McIntyre表示：“隨著我們走向越來越小的特征尺寸，我們會發(fā)現(xiàn)高斯分布開始長出一條尾巴，并且在一邊變得不對稱。這種尾巴的增長導(dǎo)致極不可能發(fā)生事件的可能性增加?！保S機漲落效應(yīng)的影響大大增加）

　　圖2：帶尾巴的高斯分布。右邊的圖表基于1B數(shù)據(jù)點。

　　多年前，隨機效應(yīng)和散射噪聲并沒有出現(xiàn)在雷達屏幕上，但問題開始出現(xiàn)在193nm光刻技術(shù)中。在193nm處，芯片制造商在光刻圖形邊緣附近使用10mJ/cm2的劑量。Fractilia的首席技術(shù)官Chris Mack解釋說：“如果觀察1nm2的面積，那么在整個曝光過程中，平均有97個光子會穿過該區(qū)域進入光刻膠。但是如果觀察10nm2的面積，平均會有9700個光子?！?/p>

　　因此，根據(jù)Mack的說法，當有足夠數(shù)量的光子來生成一個圖案的時候，那么光子散射噪聲或隨機變異則只有1％。（在大量粒子統(tǒng)計情況下，量子漲落可以微不足道）

　　然而，EUV光子的每個光子的能量比193nm的光子高14倍。Mack表示：“這意味著，對于相同的劑量，EUV的光子數(shù)量要少14倍。因此，在上例中，我們有97個光子暴露在1nm2的區(qū)域，而EUV中只有7個光子。相對不確定性是光子數(shù)的平方根分之一。對于97個光子，這是+/-10%的不確定性。對于7個光子，不確定性為+/-40％?！?/p>

　　使得問題復(fù)雜的是，每個節(jié)點的特征尺寸都要更小一些。當你計算光刻過程中光子的數(shù)量時會發(fā)現(xiàn)，在這一點上的變化呈指數(shù)級上升。

　　這并不新鮮。多年來，Mack和其他人都警告說：“EUV隨機效應(yīng)可能導(dǎo)致圖案成像中不希望的邊緣粗糙度（LER）。LER被定義為圖案邊緣與理想形狀的偏差?！?/p>

　　LER會影響晶體管的性能。此外，LER不隨著特征大小微縮，因此它在每個節(jié)點的圖案中會占據(jù)更大的百分比。

　　圖3：線邊緣粗糙度（LER）

　　除了LER之外，業(yè)內(nèi)現(xiàn)在還擔心芯片的其他部分，特別是觸點通孔。在操作中，EUV光刻機產(chǎn)生對接觸孔進行圖案化的光子。但有時，這一過程并不完美，導(dǎo)致通孔中存在隨機性缺陷。這些缺陷表現(xiàn)為斷線或通孔合并，有時稱為“通孔丟失和通孔接觸”。

　　圖4：隨機性失效和收縮工藝窗口

　　這些缺陷是災(zāi)難性的。Mack表示：“接觸孔是一個小點，你要放一些光子。但是如果只有少量光子，接觸孔有時會得到100個光子，有時會是80個，有時會是140個，結(jié)果就是接觸孔大小的變化?！?/p>

　　這些缺陷可能會在7nm工藝節(jié)點出現(xiàn)，但它們更可能在5nm及更先進的節(jié)點處出現(xiàn)。Mentor的Abercrombie表示：“EUV中的隨機效應(yīng)實際上在CD控制的正常劑量/聚焦窗口上添加了隨機變化，以及額外的線邊緣粗糙度和光刻劑量變化。對于工程師來說，這意味著更少的工藝窗口，它可以轉(zhuǎn)化為更復(fù)雜的DRC設(shè)計規(guī)則和更少的工藝縮減?！?/p>

　　Abercrombie表示：“這使得以設(shè)計為導(dǎo)向的對策非常無效，因為你無法預(yù)測在任何特定布局位置或配置中會發(fā)生什么情況，因此無法對其進行修改。事實上，由于隨機效應(yīng)可能會對目標平均值產(chǎn)生正負偏差和LER影響，因此，根據(jù)情況在一個特定位置進行修改可能造成的傷害跟益處一樣多。隨機效應(yīng)將主要成為決定哪些層將使用哪種光刻/多重曝光技術(shù)來實現(xiàn)驗證流程節(jié)點所需的面積和產(chǎn)量要求的重要因素?！?br />