刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

芯片制造中的濕法刻蝕和干法刻蝕

在芯片制造過(guò)程中的各工藝站點(diǎn)，有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料，如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、pa...

2024-12-16 標(biāo)簽：芯片芯片制造刻蝕 2.7k 0

芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法

本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過(guò)程中相當(dāng)重要的步驟。刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕利用等離子...

2024-12-06 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 3.8k 0

刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過(guò)化學(xué)或物理方法去除材料層，以達(dá)到特定的設(shè)計(jì)要求...

2024-12-05 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 3.1k 0

IMD4工藝是什么意思

IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質(zhì)隔離材料，同時(shí)IMD4 會(huì)隔離第三層金屬和頂層 AL金屬。IMD4 的材...

2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 1.5k 0

IMD3工藝是什么意思

IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，同時(shí) IMD3a 會(huì)隔離第二層金屬和第三層金屬，IM...

2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 1.9k 0

IMD1工藝是什么意思

IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。

2024-11-15 標(biāo)簽：工藝刻蝕 IMD 2.1k 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 3.9k 0

半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來(lái)基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制備工藝刻蝕 3.9k 0

接觸刻蝕阻擋層應(yīng)變技術(shù)介紹

SMT僅僅是用來(lái)提高NMOS 的速度，當(dāng)工藝技術(shù)發(fā)展到45nm 以下時(shí)，半導(dǎo)體業(yè)界迫切需要另一種表面薄膜層應(yīng)力技術(shù)來(lái)提升PMOS 的速度。在SMT技術(shù)的...

2024-07-30 標(biāo)簽：PMOS 工藝流程刻蝕 5.2k 0

太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散制結(jié)后的邊緣刻蝕工藝

隧穿氧化物鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)仍吸引著光伏行業(yè)生產(chǎn)商的大量關(guān)注。然而，在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，電池會(huì)遇到繞鍍和邊緣漏電流的問(wèn)題。這些現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電池的光學(xué)和...

2024-07-27 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試儀硅片 2k 0

一文詳解微納加工刻蝕工藝

微納加工的高精度和精確度，可以在微米和納米尺度上精確控制材料的形狀和結(jié)構(gòu)，這使得制造微小器件和結(jié)構(gòu)成為可能。

2024-04-16 標(biāo)簽：集成電路刻蝕半導(dǎo)體集成電路 3.8k 0

等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢(shì)介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。

2024-04-12 標(biāo)簽：晶體管 CCP ICP 9.4k 0

淺談刻蝕的終點(diǎn)控制

當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí)，電子密度處于最低水平。一般來(lái)說(shuō)，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過(guò)調(diào)整脈沖的占空比，可以將時(shí)間平均離子能量分...

2024-04-09 標(biāo)簽：集成電路等離子體芯片制造 1.8k 0

淺析反應(yīng)離子刻蝕工藝技術(shù)

刻蝕氣體在等離子體中分解電離，形成離子和自由基等刻蝕類物質(zhì)，稱為Enchant → Enchant到達(dá)晶圓表面的過(guò)程。

2024-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶圓刻蝕 4.7k 0

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見(jiàn)形貌介紹

刻蝕過(guò)程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 2.3k 0

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過(guò)多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們?cè)诿總€(gè)...

2024-03-20 標(biāo)簽：刻蝕 3d nand 2.7k 0

微帶天線的四種基本饋電方式

射頻饋電（Microstrip Feed）：這是最常見(jiàn)的微帶天線饋電方式之一。射頻信號(hào)通過(guò)微帶線傳輸?shù)教炀€的輻射部分，通常是通過(guò)微帶線和輻射貼片之間的...

2024-03-19 標(biāo)簽：天線微帶天線刻蝕 8.2k 0

集成電路芯片制造工藝全流程

一般來(lái)說(shuō)SiO2是作為大部分器件結(jié)構(gòu)中的絕緣體或在器件制作過(guò)程中作為擴(kuò)散或離子注入的阻擋層。

2024-03-11 標(biāo)簽：集成電路芯片制造光刻技術(shù) 7.7k 0

PCB正片和負(fù)片的區(qū)別

通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫...

2024-01-17 標(biāo)簽：線路板刻蝕 PCB 2.5k 0

半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程及原理

對(duì)于電子設(shè)備來(lái)說(shuō)，它藏在內(nèi)部，又非常重要，相當(dāng)于汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)、人的心臟，所以叫“芯”。從形態(tài)來(lái)看，它是一片一片的，所以叫“片”。合起來(lái)，就是“芯片”。

2024-01-15 標(biāo)簽：集成電路芯片制造半導(dǎo)體芯片 3.4k 0

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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刻蝕

刻蝕技術(shù)

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