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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡(jiǎn)單容易
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美(ons...
2024-07-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器安森美功率器件 1.7k 0
BCD 工藝制程技術(shù)只適合某些對(duì)功率器件尤其是BJT 或大電流 DMOS 器件要求比較高的IC產(chǎn)品。BCD 工藝制程技術(shù)的工藝步驟中包含大量工藝是為了改...
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率器件導(dǎo)通時(shí),產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功...
功率器件,也稱為功率電子器件,是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分,它們具備處理高電壓和高電流的能力,是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對(duì)功率器件的詳細(xì)介紹,...
移相全橋拓?fù)渥鳛橐环N在電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的電路結(jié)構(gòu),其工作原理和特性對(duì)于深入理解DC-DC變換器的設(shè)計(jì)和優(yōu)化至關(guān)重要。 一、基本原理 移相全橋拓?fù)涫且?..
24W電源模塊的設(shè)計(jì)涉及到多個(gè)方面,包括電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、功率器件選擇、控制策略、保護(hù)機(jī)制等。 電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 24W電源模塊通常采用開關(guān)電源技術(shù),其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
2024-07-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源電源模塊功率器件 2k 0
三相PWM逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為三相交流電能的電力電子裝置,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、電力、交通等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹三相PWM逆變電路的特點(diǎn)、工作原理、...
2024-07-05 標(biāo)簽:數(shù)字信號(hào)功率器件直流電 2.6k 0
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)對(duì)于推動(dòng)向電動(dòng)移動(dòng)性的轉(zhuǎn)變和提高可再生能源系統(tǒng)的效率至關(guān)重要。隨著市場(chǎng)需求的增加,功率半導(dǎo)體公司面臨著迅速擴(kuò)大生產(chǎn)能...
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過(guò)顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特?fù)舸╇妷旱难菔鹃L(zhǎng)期以來(lái)一直激勵(lì)著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...
過(guò)去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來(lái)開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊,如...
導(dǎo)熱硅脂作為一種散熱材料,在電子設(shè)備和其他應(yīng)用中發(fā)揮著重要的作用。主要起到以下幾個(gè)方面的功能:1、傳導(dǎo)熱量:導(dǎo)熱硅脂是一種導(dǎo)熱材料,其主要作用是加強(qiáng)熱量...
英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)
所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù),并已取代了平面技術(shù),那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢(shì)方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...
碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)的爆發(fā)與行業(yè)展望
隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來(lái)的十年里將迎來(lái)全新的增長(zhǎng)機(jī)遇。預(yù)計(jì),將來(lái)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這...
2024-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 2.2k 0
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 2.4k 0
在現(xiàn)代電子行業(yè),隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多,傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。
2024-04-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1.3k 0
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