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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注43人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：2021個 瀏覽：95273次 帖子：53個

      功率器件技術(shù)

      IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析

      IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，...

      2023-03-20 標(biāo)簽：IGBT功率器件DBC 6.2k 0

      如何計算散熱器

      散熱器通常用于吸收和散發(fā)來自電子功率器件（如晶體管、可控硅、三端雙向可控硅等）的過多熱量，以便將器件溫度控制在其最大可容忍極限以下。

      2023-03-19 標(biāo)簽：散熱器功率器件 4k 0

      AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢

      AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

      2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 4.6k 0

      半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況

      從發(fā)展歷程來看，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展

      2023-03-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 3.3k 0

      氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結(jié)

      相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。

      2023-03-13 標(biāo)簽：功率二極管功率器件功率晶體管 851 0

      一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?

      一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?

      用傳感器如雷達(dá)、攝像頭替代人眼，用算法芯片去替代人腦，再用電子控制去替代人的手腳，最終實現(xiàn)由智能電腦來控制汽車，實現(xiàn)自動駕駛。

      2023-03-10 標(biāo)簽：電動汽車傳感器功率器件 849 0

      電動汽車“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計發(fā)展報告

      高電壓會導(dǎo)致壓縮機(jī)、PTC和電機(jī)驅(qū)動MCU成本增.加，以當(dāng)前較為成熟的2C快充，采用150kW前驅(qū)動系統(tǒng)為例，950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...

      2023-03-10 標(biāo)簽：電動汽車壓縮機(jī)IGBT 774 0

      大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點

      大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器...

      2023-03-01 標(biāo)簽：晶體管功率器件大功率晶體管 2.4k 0

      PLC梯形圖語言的編程原則及邏輯指令

      用戶程序的運算是根據(jù)PLC的輸入/輸出映象寄存器中的內(nèi)容，邏輯運算結(jié)果可以立即被后面的程序使用

      2023-02-28 標(biāo)簽：繼電器plc西門子 5.3k 0

      半導(dǎo)體保險絲/高速熔斷器選型指導(dǎo)

      高速熔斷器作為保護(hù)半導(dǎo)體的器件，通過其本體的電流可能是直流，也可能是交流，或者是脈沖電流，因此計算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。

      2023-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體保險絲功率器件 2.8k 0

      《電動汽車電力電子技術(shù)及市場-2023版》

      SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，將迅速增長并主導(dǎo)市場份額，IDTechEx在報告中給出了各類器件的應(yīng)用時間表。雖然經(jīng)過驗證的SiC MOS...

      2023-02-23 標(biāo)簽：電動汽車功率器件SiC MOSFET 2.3k 0

      SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝？

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      我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些...

      2023-02-21 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅二極管 3.8k 0

      碳化硅與碳化硅（SiC）功率器件

      在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的SiC場效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器...

      2023-02-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管功率器件sic器件 2.5k 0

      常見的功率器件有哪些？

      我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦?，改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使...

      2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件電路控制 1.4萬 0

      功率半導(dǎo)體器件簡介2

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      2023-02-20 標(biāo)簽：PN功率器件MOSEFT 1.6k 0

      功率半導(dǎo)體器件簡介1

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      2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFETPN結(jié)功率器件 1.1k 0

      碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

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      碳化硅功率器件的可靠性是指該器件在正常工作條件下，能夠持續(xù)穩(wěn)定地提供所需的功率，并且不會出現(xiàn)故障或失效的可能性。

      2023-02-19 標(biāo)簽：功率器件可靠性分析碳化硅 1.6k 0

      氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點 氮化鎵功率器件的可靠性分析

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      氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...

      2023-02-19 標(biāo)簽：電子設(shè)備功率器件氮化鎵 1.1萬 0

      氮化鎵功率器件分類 氮化鎵充電器為什么充電快

      　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。

      2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 3.3k 0

      功率ic和功率半導(dǎo)體有什么區(qū)別

      功率IC通常是一種高度集成的器件，可以實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換和控制的多種功能，如DC/DC變換器、AC/DC變換器、照明驅(qū)動、電機(jī)驅(qū)動等。功率IC通常包括功率開關(guān)...

      2023-02-18 標(biāo)簽：IC功率器件功率IC 4.5k 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機(jī)一樣。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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        +關(guān)注
        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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      • OMAPL138
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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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