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功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

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120V低IQ理想二極管典型應(yīng)用與極限參數(shù)

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SMAG1116LX N溝道功率MOSFET | 低導(dǎo)通電阻1.6mΩ

本文詳細(xì)介紹了晟朗微推出的高性能N溝道功率MOSFET——SMAG1116LX。該產(chǎn)品采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻（1.6mΩ@Vgs=10V）...

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安森德半導(dǎo)體以功率MOSFET賦能無人機(jī)新未來

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2025-01-07 標(biāo)簽：功率MOSFET 驅(qū)動芯片電機(jī)驅(qū)動芯片 1.1k 0

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東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前...

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Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Silic...

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Arrow Electronics 是向工業(yè)和商業(yè)電子元器件和企業(yè)運(yùn)算解決方案用戶提供產(chǎn)品、服務(wù)和解決方案的全球供應(yīng)商，2016 年銷售額達(dá) 23.8 億美元。Arrow 作為供應(yīng)渠道合作伙伴，通過遍布全球 90 多個國家和地區(qū)的 465 多個地點(diǎn)構(gòu)成的全球網(wǎng)絡(luò)，為超過 125,000 家原始設(shè)備制造商、合約制造商和商業(yè)客戶提供服務(wù)。
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充電樁其功能類似于加油站里面的加油機(jī)，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場、公共停車場等）和居民小區(qū)停車場或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。
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　　Vivado設(shè)計套件，是FPGA廠商賽靈思公司2012年發(fā)布的集成設(shè)計環(huán)境。包括高度集成的設(shè)計環(huán)境和新一代從系統(tǒng)到IC級的工具，這些均建立在共享的可擴(kuò)展數(shù)據(jù)模型和通用調(diào)試環(huán)境基礎(chǔ)上。
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　　半導(dǎo)體行業(yè)隸屬電子信息產(chǎn)業(yè)，屬于硬件產(chǎn)業(yè)，以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)而發(fā)展起來的一個產(chǎn)業(yè)。
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格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由AMD拆分而來、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
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Siri是蘋果公司在其產(chǎn)品iPhone4S，iPad 3及以上版本手機(jī)和Mac上應(yīng)用的一項智能語音控制功能。
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華虹集團(tuán)在建設(shè)運(yùn)營我國第一條深亞微米超大規(guī)模8英寸集成電路生產(chǎn)線的同時，逐步發(fā)展成為以芯片制造業(yè)務(wù)為核心，集成電路系統(tǒng)集成和應(yīng)用服務(wù)、芯片制造工藝研發(fā)、電子元器件貿(mào)易、海內(nèi)外風(fēng)險投資等業(yè)務(wù)平臺共同發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。
WiFi芯片

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wifi是當(dāng)今使用最廣的一種無線網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)，實際上就是把有線網(wǎng)絡(luò)信號轉(zhuǎn)換成無線信號，供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
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基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號，或?qū)邮盏降幕鶐盘栠M(jìn)行解碼的芯片。具體地說，就是發(fā)射時，把語音或其他數(shù)據(jù)信號編碼成用來發(fā)射的基帶碼；接收時，把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號，它主要完成通信終端的信息處理功能。
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任正非

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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。

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