進一步計算發(fā)現(xiàn)，該策略對于其他過渡金屬硫族化合物半導(dǎo)體（如WS2、MoSe2、WSe2）具有普適性。在實驗上，團隊發(fā)展出高溫蒸鍍工藝在MoS2上實現(xiàn)了S...

2023-01-13 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料 1.3k 0

氧化鎵-新一代功率器件半導(dǎo)體材料

β-Ga2O3相對較低的遷移率使其能夠表現(xiàn)出比SiC和GaN更好的性能。從熔體中生長的材料的特性使得以低于塊狀氮化鎵、碳化硅和金剛石的成本制造高質(zhì)量晶體...

2023-01-03 標(biāo)簽：晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 3.1k 0

志橙半導(dǎo)體：半導(dǎo)體芯片設(shè)備提供核心部件-SiC涂層石墨基座

志橙半導(dǎo)體成立于2017年底，專注于為半導(dǎo)體芯片設(shè)備提供核心部件-SiC涂層石墨基座，據(jù)稱是國內(nèi)首家、也是唯一一家實現(xiàn)石墨盤產(chǎn)業(yè)化的細分領(lǐng)域頭部企業(yè)，現(xiàn)...

2022-12-20 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料SiC 6k 0

霍爾傳感器芯片該如何選型

根據(jù)霍爾效應(yīng)用半導(dǎo)體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對磁場敏感、結(jié)構(gòu)簡單、體積小、頻率響應(yīng)寬、輸出電壓變化大和使用壽命長等優(yōu)點。因此，在測量、自動化、計...

2022-11-24 標(biāo)簽：霍爾傳感器半導(dǎo)體材料 2.6k 0

SiC性能優(yōu)異，材料升級勢在必行

半導(dǎo)體材料按被研究和規(guī)模化應(yīng)用的時間先后順序通常分為三代。第一代：20 世紀(jì) 40 年代，硅（Si）、鍺（Ge）開始應(yīng)用，硅的自然儲量大、制 備工藝簡單...

2022-11-23 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體材料SiC 6.2k 0

遼寧將建第三代半導(dǎo)體材料項目

新瑞半導(dǎo)體成立于2022年8月，是中民實業(yè)和嘉實晶體（也成立于2022年8月）的合資公司，中民實業(yè)成立于2018年，共有地產(chǎn)、科技、金融、文旅等四大業(yè)務(wù)板塊。

2022-11-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2.3k 0

雷達數(shù)字化會帶來激動人心的前景？

這些先進性將為敏捷自適應(yīng)波束成型技術(shù)提供最大的自由度—每一個構(gòu)成元素都可能是一個潛在的波束—并在動態(tài)范圍上線性的增長。但這種構(gòu)想在天線架構(gòu)層面存在較大的...

2022-11-16 標(biāo)簽：雷達半導(dǎo)體材料數(shù)字化 1.6k 0

速顯微入選畢馬威中國“芯科技”新銳企業(yè)50

畢馬威針對中國芯片領(lǐng)域內(nèi)致力于推進通信終端及網(wǎng)絡(luò)、感知系統(tǒng)、數(shù)字處理及邏輯運用、物聯(lián)網(wǎng)實體應(yīng)用以及半導(dǎo)體材料的高成長企業(yè)，通過線上模型和線下專家團隊綜合...

2022-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料微電子速顯微電子 1.6k 0

芯啟源蟬聯(lián)畢馬威中國第三屆“芯科技”新銳企業(yè)50強

作為國內(nèi)唯一擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的智能網(wǎng)卡產(chǎn)品和技術(shù)供應(yīng)商，芯啟源將加大研發(fā)投入，擴大智能網(wǎng)卡技術(shù)、性能領(lǐng)先優(yōu)勢，為下一代前沿技術(shù)應(yīng)用場景提供符合國家行業(yè)標(biāo)...

2022-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料芯啟源 1.4k 0

一文讀懂半導(dǎo)體大硅片

單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保...

2022-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 8.5k 0

中電化合物總投資10.5億元建設(shè)的寬禁帶半導(dǎo)體材料項目

根據(jù)公告，中電化合物將分二期建設(shè)該項目：一期計劃投資2.2億元，租用杭州灣數(shù)字產(chǎn)業(yè)園1萬平方米廠房，二期征用土地70畝，形成年產(chǎn)8萬片4-6寸碳化硅襯底...

2022-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC 4.5k 0

霍爾傳感器該如何選型呢

根據(jù)霍爾效應(yīng)用半導(dǎo)體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對磁場敏感、結(jié)構(gòu)簡單、體積小、頻率響應(yīng)寬、輸出電壓變化大和使用壽命長等優(yōu)點。因此，在測量、自動化、計...

2022-10-19 標(biāo)簽：霍爾傳感器半導(dǎo)體材料 4.5k 0

常見的半導(dǎo)體材料特點

常見的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（s...

2022-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體模擬IC半導(dǎo)體材料 7.1k 0

立方砷化硼有望成為下一代電子產(chǎn)品的候選材料

同時具有高電子和空穴遷移率以及高導(dǎo)熱率的半導(dǎo)體材料有益于提升微電子和光電子器件的性能（1，2）。然而，到目前為止，仍然沒有確認(rèn)同時具有高遷移率和熱導(dǎo)率的材料。

2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料晶格熱導(dǎo)率 3.1k 0

農(nóng)業(yè)巨頭通威集團，為何能成為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料企業(yè)？

半導(dǎo)體行業(yè)是典型的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，從原材料到設(shè)計軟件、半導(dǎo)體設(shè)備，再到晶圓制造環(huán)節(jié)，濃縮的是人類智慧的結(jié)晶，技術(shù)含量極高，技術(shù)壁壘極高。 近年來，關(guān)于半導(dǎo)體...

2022-08-23 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1.8k 0

碳化硅為第三代半導(dǎo)體材料，引領(lǐng)功率及射頻領(lǐng)域革新

SiC MOSFET 較 IGBT 可同時具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢。1）碳化硅擊穿電場強度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

2022-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 4.9k 0

硅作為半導(dǎo)體材料所具備的特性還不夠理想

硅具有良好的電子遷移率，但空穴遷移率較差，而其他材料，如廣泛應(yīng)用于激光器的砷化鎵，同樣對電子具有良好的遷移率，但是對空穴則沒有。

2022-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體材料 3.5k 0

半導(dǎo)體制造材料在2022年將超過650億美元

在當(dāng)今的商業(yè)環(huán)境中，能源、物流和材料附加費在許多材料領(lǐng)域的成本都在增加。對于硅晶圓，供應(yīng)有限，因為目前的生產(chǎn)受到限制，因為今年和 2023 年沒有新的綠...

2022-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 973 0