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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體芯片
半導(dǎo)體芯片:在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕,布線,制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片,常見的還包括砷化鎵(砷化鎵有毒,所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它),鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代,因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(D-RAM)市場占上風(fēng)。
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列卡扣式功率鋁電容器---193 PUR-SI...
2012-11-05 標(biāo)簽:太陽能電池Vishay半導(dǎo)體芯片 964 0
Vishay發(fā)布應(yīng)用于國防和航天的新款QPL氮化鉭薄膜片式電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過QPL MIL-PRF-55342測試的新款表面貼裝...
2012-11-01 標(biāo)簽:Vishay半導(dǎo)體芯片薄膜片式電阻 1.6k 0
傳統(tǒng)芯片商遭遇“滑鐵盧” 后PC時代轉(zhuǎn)型任重道遠(yuǎn)
近日,傳統(tǒng)PC芯片商英特爾和AMD先后發(fā)布2012年三季度財報,二者的營收和利潤雙雙下滑。后PC時代,傳統(tǒng)芯片商正面臨著愈發(fā)嚴(yán)峻的市場危機(jī),發(fā)力移動芯片...
2012-10-31 標(biāo)簽:PC半導(dǎo)體芯片 641 0
TriQuint推出新的雙通道、表面貼裝光調(diào)制器驅(qū)動器
TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT)今天宣布,推出業(yè)內(nèi)首個雙通道、表面貼裝的光調(diào)制器驅(qū)動器---TGA4947-SL,可降低物料清單和縮...
2012-10-30 標(biāo)簽:表面貼裝TriQuint半導(dǎo)體芯片 5.1k 0
Vishay發(fā)布用于極端環(huán)境的新款不銹鋼功率電阻VSGR
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出在40℃下功率高達(dá)20kW(可根據(jù)需要提供更高的功率值)...
2012-10-29 標(biāo)簽:Vishay功率電阻半導(dǎo)體芯片 1.4k 1
Diodes推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封裝產(chǎn)品
Diodes公司推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封裝的產(chǎn)品。X3-DFN0603-2封裝可滿足平板電腦、手機(jī)等輕巧便攜式產(chǎn)品對組件微型化日益增...
2012-10-25 標(biāo)簽:Diodes半導(dǎo)體芯片X3-DFN0603-2 2.4k 0
盛群推出BS85C20-5 Flash觸控與顯示面板驅(qū)動微控制器
盛群半導(dǎo)體繼BS85C20-3之后推出具有觸控與顯示面板驅(qū)動功能的BS85C20-5,BS85C20-5具有20個觸控按鍵并可直接驅(qū)動96顆LED與80...
2012-10-24 標(biāo)簽:顯示面板盛群半導(dǎo)體半導(dǎo)體芯片 2.1k 0
宇瞻發(fā)表mSATA Mini SSD模塊 應(yīng)儲存小型化趨勢
宇瞻發(fā)表mSATA Mini SSD模塊,朝儲存小型化趨勢精進(jìn),目前全新產(chǎn)品已進(jìn)行量產(chǎn),開始提供客戶樣品評估測試。
Vishay推出業(yè)內(nèi)首款可邦定的薄膜片式電阻---CS44系列
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業(yè)內(nèi)首款可邦定的薄膜片式電阻---CS44系列
2012-10-18 標(biāo)簽:Vishay半導(dǎo)體芯片薄膜片式電阻 3.8k 0
富士通半導(dǎo)體推出可支持10種不同接口的接口橋接芯片MB86E631
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,新推出接口橋接芯片“MB86E631”,該芯片內(nèi)部集成了一個雙核ARM? Cortex?-A9處理器與許多不同接口...
2012-10-17 標(biāo)簽:富士通半導(dǎo)體半導(dǎo)體芯片接口橋接芯片 3.4k 0
TDK新型的E-系列多層壓敏電阻確保汽車電子設(shè)備安全
TDK公司已經(jīng)擴(kuò)大了愛普科斯(EPCOS)的多層壓敏電阻產(chǎn)品范圍,新型的E-系列可確保汽車電子設(shè)備免受電流電涌脈沖的影響。
臺積電推出20奈米及CoWoS參考流程協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)下一世代晶片設(shè)計
臺積公司宣布成功推出支援20奈米制程與CoWoS技術(shù)的設(shè)計參考流程,展現(xiàn)了該公司在開放創(chuàng)新平臺(OIP)架構(gòu)中支援20奈米與CoWoS技術(shù)的設(shè)計環(huán)境已準(zhǔn)備就緒。
2012-10-11 標(biāo)簽:臺積電20nm半導(dǎo)體芯片 1.5k 0
Molecular Imprints將為半導(dǎo)體大批量制造提供先進(jìn)光刻設(shè)備
奈米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)廠商Molecular Imprints, Inc. (MII) 宣佈,該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印範(fàn)本的採購訂...
2012-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲器光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1.5k 0
挑戰(zhàn)行業(yè)極限 三星推出128GB移動存儲芯片
三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛,本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 標(biāo)簽:三星電子存儲芯片半導(dǎo)體芯片 1.3k 0
Vishay為L-NS系列低阻值表面貼裝薄膜片式電阻擴(kuò)充外形尺寸
Vishay Intertechnology, Inc推出采用0508、0612和1225外形尺寸的新款器件,擴(kuò)充其L-NS系列低阻值表面貼裝薄膜片式電阻。
新思科技28納米DesignWare IP贏得第100項(xiàng)設(shè)計
新思科技公司(Synopsys, Inc., 納斯達(dá)克股票市場代碼:SNPS)日前宣布: 該公司針對多家領(lǐng)先的晶圓代工廠優(yōu)化的28納米工藝DesignW...
2012-09-20 標(biāo)簽:28納米新思科技DesignWare 1.5k 0
恩智浦半導(dǎo)體NXP擴(kuò)展高速接口ESD保護(hù)產(chǎn)品組合
恩智浦?jǐn)U展高速接口ESD保護(hù)產(chǎn)品組合,15款電路保護(hù)器件提供超低鉗位電壓和超低電容的獨(dú)特組合。
Vishay發(fā)布10款溫度范圍擴(kuò)展至+15 5℃的新型IHLP低高 度、高電流電感器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出10款溫度范圍擴(kuò)展至+155℃的新型IHLP?低高度、高電流電感器,可用于汽車和商業(yè)應(yīng)...
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最靈活的高集成時鐘抖動清除器 (cleaner) / 乘法器 (multiplier),可充分滿足有線通信與測量測試應(yīng)用需求。
Cadence首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗(yàn)證
Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗(yàn)證
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