完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
文章:26647個(gè) 瀏覽:265175次 帖子:1069個(gè)
熱電阻是中低溫區(qū)最常用的一種溫度檢測(cè)器。它的主要特點(diǎn)是測(cè)量精度高,性能穩(wěn)定。其中鉑熱是阻的測(cè)量精確度是最高的,它不僅廣泛應(yīng)用于工業(yè)測(cè)溫,而且被制成標(biāo)準(zhǔn)的...
免費(fèi)電子電路仿真工具ROHM Solution Simulator
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備等電子電路設(shè)計(jì)者和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者,在ROHM官網(wǎng)上公開(kāi)了一款在線仿真工具“ROHM Sol...
關(guān)于氧化鋅的基本性質(zhì)和應(yīng)用的報(bào)告
本文概述了氧化鋅的基本性質(zhì),包括晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì),并介紹了其應(yīng)用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結(jié)構(gòu),氧化鋅的機(jī)械性質(zhì)、基本電子和光學(xué)性質(zhì)以及潛在...
半導(dǎo)體硅太陽(yáng)能電池基板的濕化學(xué)處理及電子界面特性
引言 硅(Si)在半導(dǎo)體器件制造中的大多數(shù)技術(shù)應(yīng)用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通過(guò)簡(jiǎn)單的氧化方法在硅表面制備,其特點(diǎn)是高化學(xué)...
用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...
半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析
引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對(duì)有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率...
關(guān)于晶體硅太陽(yáng)能電池單面濕法化學(xué)拋光的方法
引言 高效太陽(yáng)能電池需要對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行單獨(dú)處理。在現(xiàn)有技術(shù)中,電池的兩面都被紋理化,導(dǎo)致表面相當(dāng)粗糙,這對(duì)背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入...
2022-01-12 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 3.8k 0
引言 原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個(gè)原子,只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級(jí)原子結(jié)...
先進(jìn)清洗技術(shù)提高晶體硅太陽(yáng)能電池效率
引言 晶體硅光伏效率和場(chǎng)退化領(lǐng)域的技術(shù)差距/需求已經(jīng)被確定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。極少量的污染會(huì)導(dǎo)致光伏效率低下,并且在現(xiàn)場(chǎng)安裝后暴...
2022-01-10 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 2k 0
引言 人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域,例...
摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對(duì)工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化...
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件,技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu),會(huì)形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積...
用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化
引言 在太陽(yáng)能電池工業(yè)中,最常見(jiàn)的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相對(duì)昂貴,因此人們正在努力...
2022-01-05 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 1.6k 0
寫(xiě)在前面在模擬電路的學(xué)習(xí)過(guò)程中,你可能或多或少聽(tīng)過(guò)《你好,放大器》《新概念模擬電路》的名頭,或者通過(guò)它們學(xué)習(xí)過(guò)模電的相關(guān)知識(shí)。該系列叢書(shū)由西安交通大學(xué)電...
傳統(tǒng)的高壓隔離反激式轉(zhuǎn)換器利用光耦合器將穩(wěn)壓信息從次級(jí)側(cè)基準(zhǔn)電源電路傳輸?shù)匠跫?jí)側(cè),由此實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確穩(wěn)壓。問(wèn)題在于光耦合器會(huì)大大增加隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜性:存在傳播...
化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析
引言 化學(xué)蝕刻是通過(guò)與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來(lái)控制工件材料的溶解。該過(guò)程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的...
引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |