直接硼氫化鈉/雙氧水燃料電池研究
摘要：采用Pt/C作為催化劑成功地組裝了直接硼氫化鈉/雙氧水燃料電池，并考察了不同操作溫度、溶液流
2010-04-19 13:58:35
6268 引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤(rùn)濕性和光致發(fā)光(PL)測(cè)量研究了HF水 溶液中化學(xué)清洗的GaP(OOl)表面。SE數(shù)據(jù)清楚地表明，溶液在浸入樣品后(W1
2021-12-22 17:30:402640 
干燥后異丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。結(jié)果表明，在這些實(shí)驗(yàn)條件下，定性和定量的微量雜質(zhì)小至單分子吸附層的1/10。結(jié)果證實(shí)，濕化學(xué)過程和干燥方法對(duì)晶片表面條件的影響。 本文介紹在硅片上吸附分子的分析結(jié)果。為了估計(jì)濕式化學(xué)處理后的微污
2021-12-30 16:31:027071 
引言 在太陽能電池工業(yè)中，最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相對(duì)昂貴，因此人們正在努力取代它。在過去的幾年中，硅異質(zhì)結(jié)(SHJ
2022-01-05 11:21:021565 
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)工作的重點(diǎn)將是酸性和堿性溶液。許多報(bào)告表明，硫
2022-01-12 16:27:332762 
。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進(jìn)行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IPA)稀釋的四甲基氫氧化銨(TMAH)以及具有表面活性劑(Triton-X-100)的硅摻雜TMAH
2022-07-08 15:46:162154 
工藝條件下制備出的二氧化硅介質(zhì)膜，這其中的二氧化硅屬于單質(zhì)類化合物介質(zhì)膜?！?b class="flag-6" style="color: red">鈍化”意味著一個(gè)物理化學(xué)過程，一個(gè)為了避免周圍環(huán)境氣氛和其他外界因素對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響而使管芯表面物化特性遲鈍化的工藝
2011-05-13 19:09:35
四氯化硅中們、V、cr、‘ Co、Ni、Cu、Pb、Zn、Mn九種金屬元素．4. 超凈贏純?cè)噭┓治觯豪浞?、硝酸、硫酸、鹽酸、氨水、雙氧水等超純無機(jī)試劑，和異丙醇(IP：A)、丙酮、四甲基氫氧化銨
2017-12-11 11:13:29
%的氯化鈉鹽水溶液，溶液PH值調(diào)在中性范圍（6.5～7.2）作為噴霧用的溶液。試驗(yàn)溫度均取35℃，要求鹽霧的沉降率在1-2ml/80cm2(h)之間。【中性鹽霧試驗(yàn)是最常用用的試驗(yàn)方法，如果不做特殊說明
2021-10-29 09:50:16
%的氯化鈉鹽水溶液，溶液PH值調(diào)在中性范圍（6.5～7.2）作為噴霧用的溶液。試驗(yàn)溫度均取35℃，要求鹽霧的沉降率在1-2ml/80cm2(h)之間。【中性鹽霧試驗(yàn)是最常用用的試驗(yàn)方法，如果不做特殊說明
2021-11-02 09:26:24
零件表面缺陷對(duì)鍍層質(zhì)量影響會(huì)有： 1.零件在工序轉(zhuǎn)移或運(yùn)輸過程中，有可能因沒有認(rèn)真保護(hù)而受到機(jī)械損傷，使零件表面產(chǎn)生拉溝、劃傷、撞擊凹陷等缺陷。這些缺陷如果不消除，零件表面處理以后仍然會(huì)
2019-04-01 00:33:06
連續(xù)再生循環(huán)使用，成本低。 2.蝕刻過程中的主要化學(xué)反應(yīng)在氯化銅溶液中加入氨水，發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)：CuCl2＋4NH3 →Cu(NH3)4Cl2在蝕刻過程中，板面上的銅被[Cu(NH3)4]2+絡(luò)離子氧化
2018-02-09 09:26:59
溶液電阻率（ROSE）測(cè)試法 萃取溶液電阻率測(cè)試法的原理是，以75％異丙醇加25％去離子水（體積比）為測(cè)試溶液，沖洗印制電路板表面并使殘留在印制板表面上的污染物溶解到測(cè)試溶液中。由于這些污染物中的正負(fù)
2018-09-10 16:37:29
薄膜的存在使不銹鋼基體在各種介質(zhì)中的腐蝕受阻，這種現(xiàn)象被稱為鈍化。南京橋架廠這種鈍化膜的形成有兩種情況，一種是不銹鋼本身就有自的能力，這種自鈍化能力隨鉻含量的增加而加快，因此它才具有了抗銹性；另一種較廣泛的形成條件是不銹鋼在各種水溶液(電解質(zhì))中，在被腐蝕的過程中形成鈍化膜而使腐蝕受阻。南京電纜橋架
2010-01-12 14:38:34
對(duì)氧化鋁的需求會(huì)越來越大，高純氧化鋁的市場(chǎng)前景非?？捎^ 2、國內(nèi)外制備技術(shù)現(xiàn)狀目前，制備高純氧化鋁粉體的方法主要有膽堿化鋁水解法、硫酸鋁銨熱解法、碳酸鋁銨熱解法、異丙醇鋁水解法、高純鋁活化水解法，氯化法。1
2012-03-08 11:11:14
采用強(qiáng)陰離子交換樹脂將氯化膽堿轉(zhuǎn)化生成膽堿；之后將一定量的鋁箔加入濃度為0.1～0.2M的膽堿溶液中進(jìn)行反應(yīng)。上述水解反應(yīng)的反應(yīng)溫度應(yīng)控制在80。C左右，反應(yīng)過程中根據(jù)監(jiān)視氫氣逸出速度判斷反應(yīng)速度，當(dāng)
2012-02-20 14:04:18
被吹走或刷掉 - 它只是變成更大，更粘的混亂。是的，我知道手冊(cè)中說使用壓縮空氣和異丙醇，但這是普通的日常清潔。如何重復(fù)清洗分解的粘性泡沫？我應(yīng)該將組分浸泡在異丙醇中還是有更好的化學(xué)品？或者，我根本
2018-12-14 16:59:34
的試驗(yàn)箱內(nèi)，用規(guī)定濃度的氯化鈉溶液用壓縮空氣噴出，形成鹽霧大氣，其暴露時(shí)間由產(chǎn)品規(guī)范規(guī)定，至少為48h。四、耐振動(dòng)和沖擊。耐振動(dòng)和沖擊是電連接器(HRS連接器)的重要性能，在特殊的應(yīng)用環(huán)境中如航空和航天
2019-07-15 02:04:58
”、“刃口準(zhǔn)備”等。為什么要進(jìn)行刀具鈍化經(jīng)普通砂輪或金剛石砂輪刃磨后的刀具刃口，存在程度不同的微觀缺口(即微小崩刃與鋸口)。在切削過程中刀具刃口微觀缺口極易擴(kuò)展，加快刀具磨損和損壞?，F(xiàn)代高速切削加工和自動(dòng)化
2018-11-27 16:34:01
`由于液晶屏表面為塑料型偏振片和反射片，所以裝配、存放時(shí)應(yīng)避免劃傷弄臟。此外在前偏振片上有一層保護(hù)膜，使用時(shí)就揭去。如果器件表面污染弄臟，可以用柔軟的細(xì)布、棉花輕擦處理。如果一定要用溶劑清洗時(shí)，只能用異丙醇（甘油）、酒精、氟利昂，而不能用丙酮、芳香族類溶劑，如甲苯等，否則器件表面的偏振片就會(huì)損壞。`
2018-10-15 16:37:13
Fab廠的兄弟姐妹們，我想了解一下異丙醇在什么情況下和條件下需要使用？怎么使用？有什么注意點(diǎn)的請(qǐng)幫忙解答一下，謝謝
2018-03-31 06:18:22
: 2003更好的理解?！ ?、漏電起痕試驗(yàn)中的定義 絕緣材料在戶外及嚴(yán)酷環(huán)境中往往受到鹽露、水分、灰塵等污穢物的污染，在表面形成電解質(zhì)，在電場(chǎng)作用下，材料表面出現(xiàn)一種特殊放電破壞現(xiàn)象。在材料表面導(dǎo)電通路
2017-11-03 17:09:16
試驗(yàn)】(2) 醋酸鹽霧試驗(yàn)（ASS試驗(yàn)）是在中性鹽霧試驗(yàn)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。它是在5%氯化鈉溶液中加入一些冰醋酸，使溶液的PH值降為3.1-3.3左右，溶液變成酸性，最后形成的鹽霧也由中性鹽霧變成酸性
2021-02-04 15:08:32
設(shè)備的鹽霧試驗(yàn)方法的試驗(yàn)條件 1、鹽溶液的配置 鹽溶液是用化學(xué)純氯化鈉和電阻率不低于50000Ω·cm的蒸餾水或去離子水制成。用5分質(zhì)量的氯化鈉和95份質(zhì)量的水，經(jīng)充分混合，制成氯化鈉含量為5±1
2013-04-29 14:59:13
重理的百分比表示?！ ?2)舉例：試求3克碳酸鈉溶解在100克水中所得溶質(zhì)重量百分比濃度?4．克分子濃度計(jì)算 定義：一升中含1克分子溶質(zhì)的克分子數(shù)表示。符號(hào)：M、n表示溶質(zhì)的克分子數(shù)、V表示溶液
2018-08-29 10:20:51
—10ML硝酸銀溶解在50—100ML蒸餾水中，并將其攪勻，隨后將2 —3克的氯化鈉倒入其中并使其全部溶解，此對(duì)溶液承乳白色。將其靜止4—5小時(shí)后在燒杯底部有淺褐色沉淀物生成，此時(shí)將上層清液倒出后用蒸餾水反復(fù)
2018-11-26 17:00:31
隨著時(shí)間一長(zhǎng)，它的清洗保養(yǎng)工作也成為重中之重的問題?！ ?、純酒精：如今，以酒精清洗機(jī)械用具已經(jīng)成為很普遍的清洗方式，但對(duì)于CCD最好不要用異丙醇這種成分的酒精，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">異丙醇在揮發(fā)時(shí)會(huì)吸收空氣中的水分
2019-12-04 16:53:57
芯片表面鋁層與鈍化層間存在分層現(xiàn)象是否屬于異常，是異常的話哪些原因會(huì)導(dǎo)致這樣的現(xiàn)象
2022-07-12 09:03:53
我的設(shè)計(jì)中使用了 ADA4530 這款芯片，用于科學(xué)研究，目前已經(jīng)進(jìn)行到了驗(yàn)證階段。
其用戶指南（UG865）中提到要使用高純度的異丙醇溶劑在超聲波水浴機(jī)中清潔。
我準(zhǔn)備購買一款市面上常見的普通
2023-11-13 13:03:48
的試驗(yàn)箱內(nèi)，用規(guī)定濃度的氯化鈉溶液用壓縮空氣噴出，形成鹽霧大氣，其暴露時(shí)間由產(chǎn)品規(guī)范規(guī)定，至少為48h。四、耐振動(dòng)和沖擊。耐振動(dòng)和沖擊是電連接器(HRS連接器)的重要性能，在特殊的應(yīng)用環(huán)境中如航空和航天
2018-01-11 10:40:29
生銹，是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">在空氣中鎳表面會(huì)形成NiO薄膜，可防止進(jìn)一步氧化。此外鎳還能抵抗苛性堿的腐蝕，是一種很好的耐腐蝕材料。室溫下干燥氣體如CL2、NH3、SO2等不與鎳發(fā)生反應(yīng)。但是在潮濕條件下會(huì)加速鎳的腐蝕
2017-09-15 10:09:37
處理類型：IPA異丙醇，無水乙醇，顯影液（負(fù)膠）聯(lián)系QQ：505050960
2014-11-14 21:02:18
%的氯化鈉鹽水溶液，溶液PH值調(diào)在中性范圍（6.5～7.2）作為噴霧用的溶液。試驗(yàn)溫度均取35℃，要求鹽霧的沉降率在1-2ml/80cm2(h)之間?！局行喳}霧試驗(yàn)是最常用用的試驗(yàn)方法，如果不做特殊說明
2022-02-18 11:15:09
氯化鋇中鋇的測(cè)定：實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?．了解測(cè)定含量的原理和方法2．掌握晶形沉淀的制備、過慮、洗滌、灼燒及恒重的基本操作技術(shù)3. 了解晶型沉淀的性質(zhì)及其沉淀的條件
2008-11-30 19:05:10
0 (GB-3-77)規(guī)定，醬油衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)要求食鹽含量不低于15(克/100毫升，以氯化鈉計(jì))。當(dāng)食鹽含量超過20g/100mL時(shí)，可認(rèn)為摻食鹽。醬油中食鹽含量快檢儀廣泛應(yīng)用
2022-05-24 20:42:55
生產(chǎn)企業(yè)、農(nóng)貿(mào)市場(chǎng)、質(zhì)量監(jiān)督、衛(wèi)生防疫等部門對(duì)食品味精安全進(jìn)行監(jiān)測(cè)。 食品安全味精硫化鈉快檢儀檢測(cè)原理：被檢樣品中的相關(guān)指標(biāo)成分與顯色劑在一定的條件下發(fā)生
2022-05-24 20:59:50
。 1.3鹽溶液采用氯化鈉(化學(xué)純、分析純)和蒸餾水或去離子水配置，其濃度為(5±1)%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))。(35±2)℃下測(cè)量pH值在6.5~7.2之間。 1.4將
2022-07-29 14:19:14
一、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試要求1.1測(cè)試對(duì)象為電池包或系統(tǒng)。1.2參照GB/T 28046.4中5.5.2的測(cè)試方法，按GB/T 2423.17測(cè)試條件進(jìn)行試驗(yàn)。1.3鹽溶液采用氯化鈉
2022-12-27 16:18:32
中溫氯化焙燒工藝流程
2009-03-30 20:06:371542 
巧用電烙鐵給三氯化鐵液體加熱
在腐蝕印制線路板時(shí)，希望溶液溫度稍高些
2009-09-14 11:49:011798 什么是氯化鋅電池？
高能氯化鋅電池是簡(jiǎn)單鋅碳電池的一個(gè)改良版，用來提供更長(zhǎng)的使用壽命以及更穩(wěn)定的電壓輸出。與普通鋅碳電池相比，氯化
2009-10-24 09:11:022005 如圖所示。水分檢查器有吸水布2，上面裝有緊密相間的電極3和4。布上帶有氯化鈉之類的鹽：布變潮時(shí)
2010-08-30 20:29:221176 
摘要：通過對(duì)硅片的少數(shù)載流子有效壽命、硅太陽電池的反射損失和光譜響應(yīng)這三個(gè)方面的研究，比 較了目前主要的硅太陽電池表面鈍化技術(shù)，對(duì)這些鈍化技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析和評(píng)價(jià)。從上述三個(gè)方面 的比較可以看出，R T O / S i N x 堆疊鈍化技術(shù)在提高硅太陽
2011-03-04 11:59:3352 在單晶硅太陽電池的制備過程中 ，通常利用晶體硅［ 100 ］和［ 111 ］不同晶向在堿溶液中各向異性腐蝕特性 ，在表面形成類似于金字塔的絨面結(jié)構(gòu) ，使得入射光在硅片表面多次反射 ，提高入射光
2017-09-30 10:49:528 通過對(duì)硅片的少數(shù)載流子有效壽命、硅太陽電池的反射損失和光譜響應(yīng)這三個(gè)方面的研究，比較了目前主要的硅太陽電池表面鈍化技術(shù)，對(duì)這些鈍化技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析和評(píng)價(jià)。從上述三個(gè)方面的比較可以看出，RTO/SiN x 堆疊鈍化技術(shù)在提高硅太陽電池性能上是最優(yōu)的，具有良好的應(yīng)用前景。
2017-11-07 11:48:048 鋰輝石精礦中氧化鋰含量約5.0%～ 8.5%。目前鋰輝石的提鋰產(chǎn)品主要為碳酸鋰，其工藝主要有硫酸法生產(chǎn)工藝、硫酸鹽混合燒結(jié)工藝、氯化鈉焙燒生產(chǎn)工藝、碳酸鈉加壓浸出生產(chǎn)工藝以及石灰石焙燒生產(chǎn)工藝。下面簡(jiǎn)單介紹下主要的生產(chǎn)工藝。
2018-03-19 16:38:5911211 
GB-T2423.18-2000試驗(yàn)Kb鹽務(wù)交變(氯化鈉溶液)
2018-05-22 11:29:207 溶液;在氯化鈉溶液中要先按每升加入0.26±0.02g具有一定純度的二氯化銅，然后像ESS試驗(yàn)溶液那樣加入醋酸調(diào)節(jié)PH值，讓噴霧溶液和最后的噴霧在23±2℃的情況下，PH值在3.1至3.3之間。PH值
2018-09-17 15:47:29795 溶液;在氯化鈉溶液中要先按每升加入0.26±0.02g具有一定純度的二氯化銅，然后像ESS試驗(yàn)溶液那樣加入醋酸調(diào)節(jié)PH值，讓噴霧溶液和最后的噴霧在23±2℃的情況下，PH值在3.1至3.3之間。PH值
2018-09-17 15:48:41787 將分析純的氯化鈉溶解于純凈水中，濃度為（50±10）g/L。用PH試紙在25℃的時(shí)候測(cè)定試驗(yàn)溶液的PH值為6.5～7.5。超出范圍的時(shí)候可加入分析純鹽酸或氫氧化鈉溶液進(jìn)行調(diào)整，配制好的溶液需要經(jīng)過濾后方可使用。
2019-05-27 16:33:462895 再次，使用異丙醇清除殘留物，并檢查焊點(diǎn)是否具有光滑，光亮且潤(rùn)濕良好的表面。
2019-10-05 17:08:0012673 的犯罪團(tuán)伙竟然以工業(yè)鹽和飼料添加氯化鈉為原料假冒成食用鹽直接銷售，這種假鹽對(duì)人體有一定的危害性，工業(yè)鹽中含有超量的重金屬元素，飼料添加劑氯化鈉中多數(shù)不含碘，長(zhǎng)期使用這些假鹽會(huì)導(dǎo)致頭暈、惡心、甚至高血壓，最嚴(yán)重可能
2020-12-04 11:55:202807 氯化氫（HCl），一個(gè)氯化氫分子是由一個(gè)氯原子和一個(gè)氫原子構(gòu)成的，是無色有刺激性氣味的氣體。其水溶液俗稱鹽酸，學(xué)名氫氯酸。
2020-07-23 16:08:112123 5．電解質(zhì)液（一般為硫酸磷酸等酸性電解質(zhì)的一種或幾種混合，也有的是以氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿性電解質(zhì)的一種或幾種混合，也有的是用氯化鈉、醋酸鉀等中性電解質(zhì)的一種或幾種混合而成。）
2020-08-03 14:52:006094 
不銹鋼鈍化膜具有動(dòng)態(tài)特征，不應(yīng)看作腐蝕完全停止，而是在形成擴(kuò)散的保護(hù)層，通常在有還原劑（如氯離子）的情況下傾向于破壞鈍化膜，而在氧化劑（如空氣）存在時(shí)能保護(hù)和修復(fù)鈍化膜。
2020-11-04 11:53:1215090 行業(yè)中，通過對(duì)面粉面筋指數(shù)及含量的測(cè)定可用以分析面粉的質(zhì)量及確定用途，用以檢查購入的原料和控制加工過程。 面筋測(cè)定儀的使用必須嚴(yán)格接地，避免觸電事故的發(fā)生，應(yīng)防止氯化鈉溶液濺落儀器上，損壞儀器表面，如果遇到該
2020-11-05 15:31:112655 和質(zhì)量的測(cè)定，本文推薦應(yīng)用由托普云農(nóng)研發(fā)地面筋測(cè)定儀。 面筋測(cè)定儀的使用必須嚴(yán)格接地，避免觸電事故的發(fā)生，應(yīng)防止氯化鈉溶液濺落儀器上，損壞儀器表面，如果遇到該情況，需要及時(shí)的清理掉。每次離心結(jié)束后，要用軟毛刷清
2020-11-16 13:58:261247 、苯及其它有機(jī)溶劑中，不溶于鹽的溶液中，與水互溶。蒸氣相對(duì)密度?2.1，嗅閾值?90mg/m3,或7.84～49090mg/m3或22ppm或40ppm。? 【毒性】異丙醇具有較乙醇更好的脂溶性，所以
2020-12-31 09:36:426676 自然中普遍存在的現(xiàn)象，如云層中水分子在灰塵礦物質(zhì)表面的聚集造成的降水/降雪、生物礦物質(zhì)的形成等物理/化學(xué)過程等，都與基于結(jié)構(gòu)物態(tài)相變有關(guān)，成核結(jié)晶的熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)微觀機(jī)制是相變的核心問題。 經(jīng)典理論
2021-04-07 14:23:504123 
氫氧化鈉，無機(jī)化合物，化學(xué)式NaOH，也稱苛性鈉、燒堿、固堿、火堿、苛性蘇打，可作酸中和劑、 配合掩蔽劑、沉淀劑、沉淀掩蔽劑、顯色劑、皂化劑、去皮劑、洗滌劑等，用途非常廣泛。氫氧化鈉具有強(qiáng)堿性和有
2021-05-28 15:59:412383 我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對(duì)氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個(gè)羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個(gè)以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:531195 電感耦合等離子體質(zhì)譜ICP-MS和x射線光電子光譜XPS，研究了溶液中過氧化氫的加入及其對(duì)腐蝕的影響。ICP-MS和勢(shì)動(dòng)力學(xué)方法產(chǎn)生了相當(dāng)?shù)你~溶解率。使用原子力顯微鏡和掃描電鏡顯微鏡，在清洗溶液處理前后進(jìn)行的表面分析，沒有顯示任何點(diǎn)
2021-12-31 09:02:587018 
引言 氫氧化鉀(KOH)和添加劑2-丙醇(異丙醇，IPA)通常用于單晶硅片的堿性織構(gòu)化，以減少其反射。氫氧化鉀和異丙醇在水中的蝕刻混合物需要明確定義氫氧化鉀和異丙醇的水平，以消除鋸損傷，并獲得完全
2022-01-04 17:13:201502 
引言 本文介紹了表面紋理對(duì)硅晶圓光學(xué)和光捕獲特性影響。表面紋理由氫氧化鉀(KOH)和異丙醇(IPA)溶液的各向異性蝕刻來控制。（001）晶硅晶片的各向異性蝕刻導(dǎo)致晶片表面形成金字塔面。利用輪廓測(cè)量法
2022-01-11 14:41:581824 
上降低了(100)和(h11)面的蝕刻速率。 為了在低氫氧化鉀濃度下獲得低粗糙度的(100)表面，蝕刻溶液必須含有飽和水平的異丙醇。在我們的研究中，我們研究了異丙醇濃度對(duì)具有不同晶體取向的硅襯底的蝕刻速率和表面形態(tài)的影響。還研究了氫氧化鉀濃度對(duì)(
2022-01-13 13:47:262752 
，表面的Ga-As鍵斷裂，元素砷留在砷化鎵表面。此外，用鹽酸+2-丙醇溶液蝕刻時(shí)可以觀察到吸附的2-丙醇分子，但用氨水溶液蝕刻時(shí)沒有檢測(cè)到吸附的水分子。 介紹 濕式化學(xué)蝕刻工藝在器件制造中已被廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體/電解質(zhì)界面上發(fā)生的過程
2022-01-24 15:07:302419 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對(duì)蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡(jiǎn)單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決溶解機(jī)理的問題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學(xué)反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:581600 
研究了在半導(dǎo)體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:273169 
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕刻，以提高熔融石英光學(xué)器件在351 nm波長(zhǎng)下
2022-02-24 16:26:034173 
KOH 溶液的堿濃度無關(guān) ?C。僅在堿性濃度越低，蝕刻速率越低。添加異丙醇會(huì)略微降低絕對(duì)蝕刻速率。在標(biāo)準(zhǔn) KOH 溶液中蝕刻反應(yīng)的活化能為 0.61 ± 0.03 eV 和0.62 ± 0.03 eV
2022-03-04 15:07:091824 
對(duì)于基礎(chǔ)研究和技術(shù)應(yīng)用，至關(guān)重要的是，開發(fā)有效的程序來準(zhǔn)備清潔的半導(dǎo)體表面，顯示各種可能的重建，并了解這些程序的化學(xué)性質(zhì)。對(duì)于砷化鎵001使用砷脫殼或HCl/異丙醇(HCl-iPA)處理，有令人滿意
2022-03-14 10:52:05905 
實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08999 本文根據(jù)測(cè)量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進(jìn)行了輸入電壓特性的測(cè)量來驗(yàn)證這些能帶圖，硅在陽極偏置下的鈍化作用歸因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:082042 
本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對(duì)（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響，并給出了異丙醇對(duì)氫氧化鉀溶液的蝕刻結(jié)果，為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機(jī)理，我們還對(duì)溶液的表面張力進(jìn)行了測(cè)量。
2022-03-18 13:53:01769 
在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率
2022-03-21 13:16:471326 
通過電位學(xué)和電位步測(cè)量，研究了氫氧化鉀溶液中（100）和（111）電極的電化學(xué)氧化和鈍化過程。在不同的表面之間觀察到顯著的差異，對(duì)n型和p型電極的結(jié)果進(jìn)行比較，得出堿性溶液中硅的電化學(xué)氧化必須
2022-03-22 15:36:401282 
我們研究了堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率來表征，而電學(xué)
2022-04-24 14:59:541064 
利用異丙醇(IPA)和氮載氣開發(fā)創(chuàng)新了一種晶片干燥系統(tǒng)，取代了傳統(tǒng)的非環(huán)保晶片干燥系統(tǒng)。研究b了IPA濃度是運(yùn)行該系統(tǒng)的最重要因素，為了防止IPA和熱量蒸發(fā)造成的經(jīng)濟(jì)損失，將干燥器上部封閉，以期開發(fā)出IPA和熱能不流失的干燥工藝。
2022-04-29 15:09:311321 
生理鹽水，又稱為無菌生理鹽水，是指生理學(xué)實(shí)驗(yàn)或臨床上常用的滲透壓與動(dòng)物或人體血漿的滲透壓基本相等的氯化鈉溶液。其濃度用于兩棲類動(dòng)物時(shí)是0.67～0.70%，用于哺乳類動(dòng)物和人體時(shí)是0.85～0.9
2022-07-04 14:51:211579 
溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來，與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機(jī)制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展，并為闡明顆粒粘附機(jī)制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:442382 
將單體和大分子交聯(lián)劑溶解于氯化鈉溶液種配成前體溶液，PNAGA-F68超分子水凝膠通過紫外線（UV）照射前體溶液5分鐘就可以固化。
2023-01-30 11:51:001427 本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時(shí)，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測(cè)試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性，并將其與常規(guī)的PECVD沉積SiN鈍化層材料進(jìn)行了對(duì)比分析。
2023-02-14 09:31:492119 
電鍍是一種利用電化學(xué)性質(zhì)，在鍍件表面上沉積所需形態(tài)的金屬覆層的表面處理工藝。
電鍍?cè)恚?b class="flag-6" style="color: red">在含有欲鍍金屬的鹽類溶液中，以被鍍基體金屬為陰極，通過電解作用，使鍍液中欲鍍金屬的陽離子在基體金屬表面沉積，形成鍍層。如圖13所示。
2023-05-29 12:07:232263 
有時(shí)候，化學(xué)物質(zhì)會(huì)吸附在表面上，這種現(xiàn)象可能發(fā)生在氣相中的固體表面以及浸沒在液體溶液中的固體表面。
2023-06-05 11:25:295403 
醋酸鹽霧試驗(yàn)
醋酸鹽霧試驗(yàn)是在中性鹽霧試驗(yàn)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。就是在5%的氯化鈉溶液中加入一些冰醋酸，使溶液的PH值降低到3左右，溶液變成酸性，最后形成的鹽霧也由中性鹽霧變?yōu)樗嵝?。其腐蝕速度比
2022-08-03 15:15:112164 
鹽霧耐久循環(huán)試驗(yàn)機(jī)中的腐蝕溶液的腐蝕溶液通常是5%濃度的氯化鈉溶液或者在氯化濃溶液中添加0.26克氯化銅作為鹽霧腐蝕溶液。此外，鹽霧耐久循環(huán)試驗(yàn)機(jī)可獨(dú)立調(diào)節(jié)鹽霧的沉降和噴灑量，確保實(shí)驗(yàn)溫度穩(wěn)定
2022-11-11 11:40:232037 
碲鎘汞（MCT）材料的表面鈍化是紅外探測(cè)器制備中的關(guān)鍵工藝之一。高性能MCT器件需要穩(wěn)定且可重復(fù)生產(chǎn)的鈍化表面和符合器件性能要求的界面。因此，探究MCT表面鈍化技術(shù)具有重要意義。國際上，MCT鈍化
2023-09-12 09:15:462192 
氧化還原成蝕刻的過程，F(xiàn)e3在銅表面將銅氧化成氯化亞銅，F(xiàn)e3被還原成Fe2。三氯化鐵+銅二氯化鐵+氯化銅，氯化銅具有還原性，可進(jìn)一步與三氯化鐵反應(yīng)生成氯化銅。像絲網(wǎng)PCB線路板、液體光致抗蝕劑、干膜、金等具有抗蝕劑層的PCB線路板的蝕
2023-10-08 09:50:223795 異丙醇作為濕電子化學(xué)品的主要有機(jī)溶劑，被廣泛用于集成電路制程中的清洗和干燥步驟，是高端芯片制造的關(guān)鍵原料。值得注意的是，由于我國超凈高純異丙醇仍需大量進(jìn)口，這成為產(chǎn)業(yè)鏈中的一環(huán)短板。
2023-12-28 14:07:082218 氯氣(Cl2)在有機(jī)合成、家用漂白劑和水處理中有著廣泛的應(yīng)用。工業(yè)生產(chǎn)Cl2需要在飽和氯化鈉以及強(qiáng)酸性溶液條件下(pH值約2)下進(jìn)行電解，導(dǎo)致陽極氯析出反應(yīng)(CER)需要使用到大量DSA(負(fù)載于Ti基底的Ru/Ir氧化物)來加速電化學(xué)反應(yīng)。
2024-04-02 11:17:212320 
，就表示樣品的耐腐蝕性越好。下面我們就來看看，鹽霧試驗(yàn)的操作步驟：1、調(diào)配5%鹽水試驗(yàn)溶液、用量杯取13、3公升純凈蒸餾水,加入700g工業(yè)鹽氯化鈉(NaCl)于純凈蒸餾水中，攪拌均勻。2、用量杯把調(diào)配
2024-06-17 17:34:211169 
準(zhǔn)確稱取固體廢物樣品2.50g（精確至0.0001g），置于250mL圓底燒瓶中，加入50.0mL碳酸鈉/氫氧化鈉混合溶液和400mg氯化鎂和50.0mL磷酸氫二鉀-磷酸二氫鉀緩沖溶液，放入攪拌子，用聚乙烯薄膜封口，將燒瓶置于攪拌加熱裝置上。
2024-09-11 13:37:531007 
集成電路的可靠性與內(nèi)部半導(dǎo)體器件表面的性質(zhì)有密切的關(guān)系，目前大部分的集成電路采用塑料封裝而非陶瓷封裝，而塑料并不能很好地阻擋濕氣和可移動(dòng)離子。為了避免外界環(huán)境的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入集成電路內(nèi)部對(duì)器件產(chǎn)生影響，必須在芯片制造的過程中淀積一層表面鈍化保護(hù)膜。
2024-10-30 14:30:418231 
利用液滴在固體基底上蒸發(fā)形成的“咖啡環(huán)”，結(jié)合不同金屬基底及非金屬基底材料，對(duì)溶液中的溶質(zhì)進(jìn)行富集。首先優(yōu)化實(shí)驗(yàn)參數(shù)，選擇分析譜線，其次分析不同明膠濃度對(duì)沉積形態(tài)的影響，尋找最佳明膠濃度，最后
2025-01-22 18:06:20778 
硅太陽能電池和組件在光伏市場(chǎng)占主導(dǎo)，但半電池切割產(chǎn)生的新表面會(huì)加劇載流子復(fù)合，影響電池效率，邊緣鈍化技術(shù)可解決此問題。Al2O3薄膜穩(wěn)定性高、介電常數(shù)高、折射率低，在光學(xué)和光電器件中有應(yīng)用前景，常用
2025-01-13 09:01:392277 
置換 基本原理： IPA（異丙醇）具有低表面張力和高揮發(fā)性，同時(shí)與水完全互溶。在干燥過程中，晶圓首先被浸入液態(tài)IPA或暴露于IPA蒸汽環(huán)境中。此時(shí)，IPA與晶圓表面殘留的水分混合，形成IPA-水混合液，通過置換作用將水分子從晶圓表面剝離。 蒸汽冷凝作用：
2025-06-11 10:38:401820 相似相溶原理快速溶解有機(jī)污漬（如油脂、光刻膠殘留物），適用于初步去脂或特定聚合物材料的清除。例如，在CCD芯片清洗中，常采用“蒸餾水→異丙醇→純丙酮”的順序循環(huán)噴淋
2025-09-01 11:21:591000 
預(yù)處理與初步去污將硅片浸入盛有丙酮或異丙醇溶液的容器中超聲清洗10–15分鐘，利用有機(jī)溶劑溶解并去除表面附著的光刻膠、油脂及其他疏水性污染物。此過程通過高頻振動(dòng)加速分子運(yùn)動(dòng)，使大塊殘留物脫離基底進(jìn)入
2025-09-03 10:05:38603 
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