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基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體資訊

基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)SiC模塊TOP企業(yè)獎(jiǎng)

6月19-20日，2024第四屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海隆重舉辦。在同期舉辦的2024中國(guó)優(yōu)秀電驅(qū)動(dòng)企業(yè)&優(yōu)秀產(chǎn)品頒獎(jiǎng)盛典上，基本...

2024-06-21 標(biāo)簽：功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 1.6k 0

基本半導(dǎo)體亮相SNEC上海光伏展，展示創(chuàng)新功率器件

6月13日至15日，備受矚目的SNEC第十七屆（2024）國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)在上海的國(guó)家會(huì)展中心盛大舉行。此次展會(huì)集結(jié)了全球光伏產(chǎn)業(yè)鏈...

2024-06-15 標(biāo)簽：光伏功率器件基本半導(dǎo)體 1.2k 0

基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際光伏展

? 6月13-15日，SNEC第十七屆(2024)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)在國(guó)家會(huì)展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會(huì)匯聚了超過(guò)3500家全球光...

2024-06-15 標(biāo)簽：MOSFET 光伏功率器件 1.6k 0

基本半導(dǎo)體登上央視財(cái)經(jīng)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)大講堂》

5月19日，央視財(cái)經(jīng)頻道《中國(guó)經(jīng)濟(jì)大講堂》特別策劃《產(chǎn)業(yè)鏈中堅(jiān)話強(qiáng)鏈》系列節(jié)目，特邀國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新能源汽車(chē)”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組專家、比亞迪集團(tuán)首席...

2024-05-21 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)電機(jī)控制功率器件 1.4k 0

深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)

具體來(lái)說(shuō)，該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成：首先是n+型碳化硅襯底，接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層，這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部，從外部向內(nèi)...

2024-04-19 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅基本半導(dǎo)體 1.5k 0

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)

近日，在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會(huì)上，基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn)，榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)”?；景雽?dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...

2024-04-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.8k 0

基本半導(dǎo)體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領(lǐng)先技術(shù)

近日，第38屆日本國(guó)際電子科技博覽會(huì)（NEPCON JAPAN）在東京有明國(guó)際展覽中心（TOKYO BIG SIGHT）盛大舉行。此次盛會(huì)，作為亞洲電子...

2024-03-04 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.4k 0

國(guó)芯思辰｜耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上，Rds為32mΩ

隨著新能源汽車(chē)的普及，充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%，對(duì)于車(chē)輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這...

2022-12-05 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代國(guó)芯思辰 1.6k 0

國(guó)芯思辰｜對(duì)標(biāo)科銳C4D30120D，40A/1200V碳化硅肖特基二極管B2D40120HC1用于機(jī)車(chē)空調(diào)升壓電源

在動(dòng)車(chē)或地鐵中，機(jī)車(chē)空調(diào)需要有穩(wěn)定的電力供電，保持車(chē)廂內(nèi)的空氣質(zhì)量。當(dāng)機(jī)車(chē)出現(xiàn)故障時(shí)，需要通過(guò)后備電池給空調(diào)供電。而機(jī)車(chē)中常規(guī)的后備電池電壓為直流110...

2022-11-30 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代碳化硅肖特基二極管 1.3k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓，散熱要求低，是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場(chǎng)上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主，但由于各...

2022-11-25 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 2k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體?650V碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服務(wù)器電源

如圖為1.3kW服務(wù)器電源電路框圖，主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成，輸出12V電壓；在PFC功率因數(shù)校正部分，...

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體國(guó)芯思辰 1.5k 0

國(guó)芯思辰｜1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車(chē)載OBC上的應(yīng)用，可替代C2M0080120D

車(chē)載OBC又稱車(chē)載交流充電機(jī)，安裝于電動(dòng)汽車(chē)上，通過(guò)插座和電纜與交流插座連接，以三相或者單相交流電源向汽車(chē)提供電源；車(chē)載OBC的優(yōu)點(diǎn)是不管車(chē)載電池在任何...

2022-11-17 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1.9k 0

國(guó)芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導(dǎo)體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設(shè)計(jì)

在1KWPFC電源設(shè)計(jì)中，功率因數(shù)校正部分市場(chǎng)上主流的器件方案為SiMOS管：Q1\Q2、續(xù)流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級(jí)提供穩(wěn)定的...

2022-11-15 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1.4k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機(jī)，工作結(jié)溫-55~175℃

氫能發(fā)電機(jī)特指以氫氣為原料的發(fā)電機(jī)，原理類似傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)，經(jīng)過(guò)吸氣、壓縮、爆炸、排氣過(guò)程，帶動(dòng)電機(jī)產(chǎn)生電流輸出。氫能發(fā)電機(jī)是一種環(huán)保型的發(fā)電設(shè)備，具有無(wú)噪...

2022-11-09 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體氫能源發(fā)電機(jī) 1.6k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D06065E在主體為BOOST電路的PFC電路應(yīng)用方案

計(jì)算機(jī)開(kāi)關(guān)電源是一種電容輸入型電路，其電流和電壓之間的相位差會(huì)造成交換功率的損失，此時(shí)便需要PFC電路提高功率因數(shù)。目前的PFC有兩種，一種為被動(dòng)式PF...

2022-11-07 標(biāo)簽：PFC電路基本半導(dǎo)體 1.6k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源

第5代通信技術(shù)5G頻率越高，穿透和繞射能力會(huì)相對(duì)下降，信號(hào)智能直射傳播，很多偏僻地方就會(huì)收不到信號(hào)，微基站很好彌補(bǔ)了這項(xiàng)缺陷。微基站是一種從產(chǎn)品形態(tài)、發(fā)...

2022-11-03 標(biāo)簽：微基站基本半導(dǎo)體 1.3k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS電源高效化，導(dǎo)通電阻32mΩ

UPS電源作為日常生活中的應(yīng)急備用電源，其效率要求也逐漸提高。UPS電源內(nèi)部主電路拓?fù)涠嗖捎肔LC諧振變換器，然而傳統(tǒng)的功率MOS（超級(jí)結(jié)MOS和COO...

2022-10-31 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體國(guó)芯思辰 1.9k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體SiC肖特基二極管助力OBC發(fā)展，650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列?

采用SiC功率器件可有效提高電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，獲得更高的擊穿電壓、更低的開(kāi)啟電阻、更大的熱導(dǎo)率；并且能保證在更高溫度下可以穩(wěn)定工作，使電動(dòng)汽車(chē)或混合動(dòng)力...

2022-10-26 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體國(guó)芯思辰 1.4k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位，反向電壓1200V

在許多工業(yè)設(shè)備中通常都會(huì)采用IGBT來(lái)作為主功率器件，能夠有效的減少開(kāi)關(guān)損耗，提高逆變器的效率，因此為了保護(hù)IGBT能夠正常穩(wěn)定的工作，設(shè)計(jì)師們會(huì)給IG...

2022-10-12 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1.8k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率損耗，導(dǎo)通延遲20ns

據(jù)評(píng)估，世界上超過(guò)一半的電能消耗用于各種電動(dòng)機(jī)。因此，降低電動(dòng)機(jī)的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路一般原理圖本文主要講到基本半導(dǎo)...

2022-09-30 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)基本半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代 1.7k 0

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