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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體技術

SiC碳化硅MOSFET銷售團隊培訓教程：電力電子變換核心拓撲與寬禁帶半導體應用

傾佳電子楊茜SiC碳化硅MOSFET銷售團隊培訓教程：電力電子變換核心拓撲與寬禁帶半導體應用 BASiC Semiconductor基本半導體一級代理商...

2026-01-11 標簽：電力電子變換寬禁帶半導體 745 0

800VDC，AI能效之鑰：AOS創(chuàng)新功率組合方案

AOS公司以創(chuàng)新方案賦能新一代AI數(shù)據(jù)中心800V直流（800VDC）電源架構——碳化硅、氮化鎵、功率MOSFET及電源IC解決方案構建高效能源基石。 ...

2025-10-14 標簽：AI VDC 碳化硅 4.2k 0

SiC二極管相比普通二極管有哪些優(yōu)勢呢?

在功率電子領域，碳化硅(SiC)技術正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。作為寬禁帶半導體的代表，SiC二極管憑借其物理特性在多方面實現(xiàn)了性能突破。寬禁帶半導體材料碳...

2025-07-21 標簽：二極管 SiC二極管寬禁帶半導體 1.6k 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導體技術的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領域，設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。本文為白皮...

2025-01-05 標簽：安森美 SiC GaN 2.8k 0

寬禁帶半導體材料有哪些

寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質(zhì)，使其在許多高科技領域具有廣泛的應用。在現(xiàn)...

2024-07-31 標簽：激光器電子器件半導體材料 3.6k 0

驅(qū)動SiC MOSFET有多容易？

得益于寬禁帶半導體的材料優(yōu)勢，SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同，對驅(qū)動設計也提出了更高...

2024-07-12 標簽：MOSFET 驅(qū)動 SiC 988 0

氮化鎵是什么結(jié)構的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結(jié)構具有許多獨特的性質(zhì)和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構、制備方法、物理性質(zhì)和應用領域。結(jié)構：氮化鎵...

2024-01-10 標簽：氮化鎵金屬晶格 6.5k 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應用領域

在當今快速發(fā)展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

2023-12-29 標簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導體 1.8k 0

碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

2023-12-20 標簽：二極管功率器件氮化鎵 1.1k 0

淺談英飛凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

在汽車和可再生能源領域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設計勝利，相關客戶的約10億歐元的預付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻。英...

2023-11-27 標簽：英飛凌 SiC GaN 832 0

寬禁帶半導體帖子

「聚焦半導體分立器件綜合測試系統(tǒng)」“測什么？為什么測！用在哪？”「深度解讀」

標簽：IGBT 光耦半導體分立器件 3445 0

BW-4022A半導體分立器件綜合測試平臺---精準洞察，卓越測量

標簽：光耦分立器件寬禁帶半導體 859 0

博微BW-4022A可以測試那些半導體器件？可以測試那些參數(shù)、精度如何？

標簽：光耦寬禁帶半導體 842 0

三極管具有什么特性？

標簽：三極管寬禁帶半導體 2336 1

寬禁帶半導體資料下載

什么是第三代半導體及寬禁帶半導體立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標簽：半導體寬禁帶半導體第三代半導體 926 0

寬禁帶半導體資訊

寬禁帶半導體軟開關損耗分析及死區(qū)時間自優(yōu)化算法：針對SiC的極致效率設計

寬禁帶半導體軟開關損耗分析及死區(qū)時間自優(yōu)化算法：針對SiC的極致效率設計在現(xiàn)代電力電子變換器設計領域，追求極致的功率密度和電能轉(zhuǎn)換效率已成為不可逆轉(zhuǎn)的...

2026-03-23 標簽：SiC 寬禁帶半導體 122 0

功率模塊前沿技術解析：寬禁帶+高集成，引領電力電子新趨勢

功率模塊的技術迭代，始終圍繞“高效、高密、高可靠、智能化”核心，寬禁帶技術和高集成設計是當下最核心的發(fā)展方向。對于電子工程師來說，提前掌握前沿技術，才能...

2026-03-19 標簽：SiC 氮化鎵功率模塊 563 0

直播報名丨2026年寬禁帶開發(fā)者論壇邀請函

多年來，英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇始終是碳化硅與氮化鎵領域?qū)＜揖奂惶玫哪甓仁?026年3月17日（中國時間16點開始），我們將在慕尼黑演播室為您全程直...

2026-03-16 標簽：英飛凌碳化硅寬禁帶半導體 831 0

TOPIC | 解鎖APCSCRM 2025 報告主題，邀請您11月25日鄭州見

第六屆亞太碳化硅及相關材料國際會議（APCSCRM 2025）將于2025年11月25日-27日在河南鄭州盛大召開。會議將以“芯聯(lián)新世界，智啟源未來（W...

2025-11-17 標簽：展會碳化硅寬禁帶半導體 1.8k 0

華大半導體旗下飛锃半導體獲評國家級專精特新“小巨人”企業(yè)

近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國家級專精特新“小巨人”企業(yè)名單，華大半導體旗下飛锃半導體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導體材料與器件領域的突出技術...

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【Join APCSCRM 2025】把握寬禁帶半導體前沿趨勢，全球領袖匯聚鄭州，11月見

第六屆亞太碳化硅及相關材料國際會議（APCSCRM 2025）將于2025年11月25日-27日在河南鄭州盛大召開。會議將以“芯聯(lián)新世界，智啟源未來（...

2025-10-22 標簽：寬禁帶半導體 607 0

Allegro推出業(yè)界首款量產(chǎn)級10MHz TMR 電流傳感器，為寬禁帶功率電子器件提供精準保護與控制

新一代 ?XtremeSense? ?TMR 電流傳感器，為電動汽車、清潔能源和數(shù)據(jù)中心等采用 GaN 與 SiC FET 的設計提供高保真電流信號，助...

2025-10-22 標簽：allegro 電流傳感器 TMR 6.1萬 0

Nexperia推出行業(yè)領先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET

基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別...

2025-05-09 標簽：MOSFET 碳化硅寬禁帶半導體 6.1萬 0

是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試而且無需焊接或探針

?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現(xiàn)快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10n...

2025-03-14 標簽：動態(tài)測試是德科技寬禁帶半導體 857 0

深度分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“三個必然”及其產(chǎn)業(yè)影響

深度分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“三個必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導體發(fā)展的“三個必然”的技術內(nèi)涵與歷史性變革分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“...

2025-03-04 標簽：SiC 功率半導體寬禁帶半導體 1.2k 0

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術。采用OLED技術制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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