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寬禁帶技術

泰克科技寬禁帶功率半導體雙脈沖測試解決方案

采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設計，需要精心的設計和測試以優(yōu)化性能。

2025-08-25 標簽：示波器泰克功率半導體 1.5k 0

氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵...

2025-05-23 標簽：半導體材料氮氧化 1.8k 0

寬禁帶技術如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

目前電氣化仍是減少碳排放的關鍵驅(qū)動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進功率...

2025-02-19 標簽：電動汽車轉(zhuǎn)換器泰克科技 1k 0

寬禁帶(WBG)半導體封裝與測試解決方案

隨著科技的不斷進步，電子設備對性能和效率的要求日益提高，為了滿足這些需求，寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(...

2024-08-14 標簽：測試半導體寬禁帶 1.6k 0

IGBT器件失效模式的影響分析

功率循環(huán)加速老化試驗中，IGBT 器件失效模式主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在多個影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗條件等。

2024-04-18 標簽：IGBT 晶體管寬禁帶 2.5k 0

氮化鎵半導體和碳化硅半導體的區(qū)別

氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以...

2023-12-27 標簽：半導體氮化鎵碳化硅半導體 4.5k 0

碳化硅器件封裝中的3個關鍵技術指標是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標簽：pcb 功率器件 SiC 1.4k 0

淺談伺服驅(qū)動技術未來開發(fā)趨勢

總體來看，伺服驅(qū)動系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是：體積減小，質(zhì)量減輕，并提升了最高轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)速；提高響應性，縮短調(diào)整時間；提高了整定性能，使調(diào)諧趨于簡單便利；提高了擴展...

2023-02-15 標簽：伺服驅(qū)動寬禁帶 1.3k 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應用建議以及碳化硅二極管應用領域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標簽：功率器件碳化硅寬禁帶 4k 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

2023-02-03 標簽：硅材料碳化硅寬禁帶 1.4k 0

碳化硅二極管優(yōu)勢有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標簽：功率器件 SiC 寬禁帶 1.1k 0

金剛石憑什么那么強大？

說起“Diamond”給人第一印象是什么？無疑是高貴優(yōu)雅，晶瑩剔透，尤其對于女性來說鉆石是充滿誘惑的，正如1948年戴比爾斯經(jīng)典廣告所宣傳“Th...

2023-02-02 標簽：金剛石半導體器件寬禁帶 1.4k 0

硅基器件與寬禁帶器件的區(qū)別

固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy...

2022-10-17 標簽：半導體熱導率寬禁帶 2.8k 0

【當代材料電學測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。

2021-03-26 標簽：萬用表 SiC GaN 1.4k 0

激光雷達的工作原理及如何利用氮化鎵消除隱患

在實際的激光雷達系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動器實現(xiàn)提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導致寄生電容...

2021-02-21 標簽：散熱器氮化鎵 GaN 8k 0

什么是激光雷達如何用氮化鎵消除激光雷達

在實際的激光雷達系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅(qū)動器實現(xiàn)提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導致寄生電容...

2021-01-11 標簽：激光器氮化鎵 adas 6.1k 0

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

寬禁帶材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和...

2020-10-10 標簽：IC設計安森美半導體寬禁帶 4.3k 0

【泰克電源設計與測試】致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設計

半橋電路（圖1）廣泛用于功率電子領域的多種應用，是現(xiàn)代設計中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門驅(qū)動器和布線正確且優(yōu)化設計時，這種電路的優(yōu)勢...

2020-08-31 標簽：示波器功率器件探頭 1.6k 0

寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

寬禁帶材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電...

2020-05-28 標簽：功率MOSFET 碳化硅寬禁帶 2.1k 0

相控陣雷達性能的基石：寬禁帶半導體

現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎是半導體器件，因此半導體器件的性能就決定了整個電子產(chǎn)品的性能，所謂半導體就是導電性能介于導體和絕緣體之間的物理器件。

2016-04-29 標簽：半導體電子寬禁帶 1.6k 0

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