在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國(guó)除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國(guó)家總共投資了4億元來建設(shè)寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國(guó)家工程研究中心，這個(gè)工程研究中心不僅僅承載著解決技術(shù)的問題，我們還承載著一些對(duì)原創(chuàng)性技術(shù)的布局。
2020-08-17 09:05:56
19141 寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
與緊湊封裝：產(chǎn)品符合AEC-Q100車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，工作溫度范圍覆蓋-40°C至125°C。采用節(jié)省空間的SOT23-6封裝。
主要優(yōu)勢(shì)：
充分釋放寬禁帶器件性能：高驅(qū)動(dòng)電壓與強(qiáng)大的拉灌電流能力，可確保
2025-12-26 08:20:58
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計(jì)算中的瓶頸。此外當(dāng)PBG結(jié)構(gòu)為圓環(huán)形時(shí)，一般的階梯近似不足以滿足計(jì)算精度。針對(duì)以上兩個(gè)問題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序?qū)A環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內(nèi)徑和導(dǎo)帶寬度對(duì)S參數(shù)的影響，最后設(shè)計(jì)了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)。
2019-06-27 07:01:22
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
`基于 FPAGxilinx vivado 仿真模式介紹本文介紹一下xilinx的開發(fā)軟件 vivado 的仿真模式， vivado的仿真暫分為五種仿真模式。分別為：1. run
2018-01-24 11:06:12
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說明設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
請(qǐng)問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)在北京市大興區(qū)天榮街9號(hào)世農(nóng)大廈3層會(huì)議室順利召開。此次評(píng)審會(huì)包含《碳化硅單晶》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測(cè)方法》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案討論兩部分內(nèi)容。
2017-12-13 09:05:514918 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、松山湖控股集團(tuán)、廣東風(fēng)華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，填補(bǔ)我國(guó)高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012148 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動(dòng)因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516425 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009035 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機(jī)車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038616 郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件，利用高界面質(zhì)量的凹槽半懸空柵技術(shù)，器件的fmax達(dá)320GHz，在輸出功率密度一定的情況下，功率附加效率在30GHz頻率下為目前國(guó)際GaN基HEMT中最高值。
2018-10-22 16:49:0112235 近日，2018中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)在濟(jì)南召開。會(huì)上，國(guó)家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對(duì)接提供了良好的交流互動(dòng)平臺(tái)。
2018-12-10 14:24:253989 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫?，高壓意味著低電流，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少，結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306036 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094849 5月16日上午，濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項(xiàng)目開工活動(dòng)在濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟(jì)南國(guó)際醫(yī)學(xué)中心，是濟(jì)南實(shí)施北跨發(fā)展和新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:524418 擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定以及抗輻射等優(yōu)點(diǎn)， 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用寬禁帶半導(dǎo)體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達(dá)、電子對(duì)抗系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)等
2020-01-19 17:22:002204 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊(cè)資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。 安森美半導(dǎo)體
2020-10-10 10:35:224166 
基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:261297 第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，且支持超快速開關(guān)切換頻率，帶來的測(cè)試挑戰(zhàn)也成了
2020-10-30 03:52:111116 現(xiàn)代寬禁帶功率器件（SiC， GaN）上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測(cè)技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過這一技術(shù)，設(shè)計(jì)人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:00
22 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571254 先進(jìn)研究計(jì)劃局DARPA的高功率電子器件應(yīng)用寬禁帶技術(shù)HPE項(xiàng)目的發(fā)展，介紹了SiC功率器件的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時(shí)對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:4629 器件性能的限制被認(rèn)識(shí)得越來越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場(chǎng)，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 的角度來看，這將具有現(xiàn)實(shí)意義。寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)將有望在實(shí)現(xiàn)新的電機(jī)能效和外形尺寸基準(zhǔn)方面發(fā)揮重要作用。
2021-05-01 09:56:002759 材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，吉時(shí)利源表SMU在許多學(xué)科工程師和科學(xué)家中享有盛譽(yù)，以其優(yōu)異的性能為當(dāng)代材料科學(xué)研究提供多種測(cè)試方案，今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。
2021-08-20 11:17:47719 作為2021年技術(shù)熱詞，寬禁帶總會(huì)在各大技術(shù)熱文中被提起，我們?cè)谝酝奈恼轮幸残ΨQ，寬禁帶半導(dǎo)體是電動(dòng)汽車的“寵兒”，但也有些朋友會(huì)問我們，寬禁帶半導(dǎo)體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:283017 泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
大會(huì)同期舉辦了面向寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題，邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、蘇州晶湛半導(dǎo)體
2021-12-23 14:06:342826 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴(kuò)大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2022-02-21 16:47:151118 對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534539 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 金秋10月，Bodo's寬禁帶半導(dǎo)體論壇驚艷亮相深圳ESSHOW 2021年，特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄出貨量助碳化硅達(dá)到了10億美元市場(chǎng)規(guī)模；比亞迪“漢”和現(xiàn)代Ioniq-5也都因搭載高性能碳化硅模塊受益于快速
2022-07-29 15:49:291210 
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121578 固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy Gap），禁帶寬度反映了被束縛價(jià)電子要成為自由電子所必須獲得的額外能量。
2022-10-17 14:15:452686 隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，迎來新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341755 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391947 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。
2023-01-17 10:31:441399 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810867 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙雽?dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483753 
）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211795 
2023年6月6日，東南大學(xué)迎來了建校121周年紀(jì)念日。當(dāng)天下午，東南大學(xué)集成電路學(xué)院揭牌儀式在南京舉辦。 揭牌儀式上，“ 東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”共建合作協(xié)議正式簽署
2023-06-08 20:05:022674 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466535 
為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新？如何提
2023-06-30 10:08:301328 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測(cè)試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361260 
隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進(jìn)入了加速階段。
2023-08-24 17:43:501754 
寬禁帶半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測(cè)功能，推動(dòng)了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092639 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:551235 
SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-09-28 16:54:265233 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn)，但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛，所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說，評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也是非常強(qiáng)烈的。
2023-11-02 11:36:56534 半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:021784 
股份有限公司共建的寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心成功獲批。矽力杰創(chuàng)芯驅(qū)動(dòng)模擬未來寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體的器件與電源管理
2023-11-15 08:19:401564 能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出
2023-12-07 10:45:021167 禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓
2023-12-16 08:30:341283 
近日，全球寬禁帶領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會(huì)，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進(jìn)會(huì)在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會(huì)和萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關(guān)鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時(shí)刻。
2024-04-03 09:23:101092 會(huì)上，臨港新片區(qū)管委會(huì)聯(lián)動(dòng)萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關(guān)鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561149 功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311644 當(dāng)今，氣候變化與如何應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 7月9日，英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果，與行業(yè)伙伴一道深入探討寬禁帶領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展，攜手推動(dòng)低碳化和數(shù)
2024-06-28 08:14:351436 在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341390 下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381687 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國(guó)漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并擴(kuò)大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261671 英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動(dòng)交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311369 功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮?b class="flag-6" style="color: red">器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 的角色。它們是構(gòu)成電子器件和光電子器件的基礎(chǔ)。根據(jù)禁帶寬度的不同，半導(dǎo)體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料因其獨(dú)特的電子和光學(xué)特性，在高功率、高頻、高溫和高亮度應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。 寬禁帶半導(dǎo)
2024-07-31 09:09:063196 ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102784 
樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情近年來，電動(dòng)汽車的興起帶動(dòng)了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個(gè)市場(chǎng)。目前，工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來提高能效等級(jí)，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)
2024-12-25 17:30:32863 本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車的核心部件中，車用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，而對(duì)高效電源的需求正在加速增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評(píng)估他們的驗(yàn)證和測(cè)試方法，以應(yīng)對(duì)當(dāng)今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10867 
?無需焊接或探針，即可輕松準(zhǔn)確地測(cè)量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測(cè)試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實(shí)現(xiàn)干凈的動(dòng)態(tài)測(cè)試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更
2025-04-25 11:34:35800 
：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481454 
2025 年 8 月 15 日至 17 日，2025 IEEE 亞洲寬禁帶功率器件及應(yīng)用研討會(huì)(WiPDA Asia 2025)在北京國(guó)際會(huì)議中心成功舉辦。 本次功率器件研討會(huì)由 IEEE 電力
2025-08-28 16:00:57604 
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場(chǎng)深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680
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