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工藝

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工藝技術(shù)

半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個(gè)不成對(duì)的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非常活躍，能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標(biāo)簽：等離子體工藝 CVD 1.8k 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體...

2022-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝等離子 5.8k 0

半導(dǎo)體制造之加熱工藝

激光退火系統(tǒng)采用激光光源的能量來(lái)快速加熱晶圓表面到臨界溶化點(diǎn)溫度。由于硅的高導(dǎo)熱性，硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統(tǒng)可以在離...

2022-11-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 5k 0

半導(dǎo)體制造的合金化熱處理工藝

合金化熱處理是一種利用熱能使不同原子彼此結(jié)合成化學(xué)鍵而形成金屬合金的一種加熱工藝，半導(dǎo)體制造過(guò)程中已經(jīng)使用了很多合金工藝，自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝過(guò)程中一般...

2022-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝熱處理 7.2k 0

半導(dǎo)體生產(chǎn)中的高壓氧化工藝和氧化層測(cè)量技術(shù)

高壓氧化必須使用特殊的硬件條件，下圖是高壓氧化系統(tǒng)的說(shuō)明圖。由于硬件條件的復(fù)雜性和安全因素，先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)中并不常使用高壓氧化技術(shù)。

2022-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝氧化 5k 0

PCB管控的規(guī)范

PCB的保存和烘烤時(shí)間跟地區(qū)有很大的關(guān)系，在南方濕氣一般比較重，特別是在廣東和廣西這些地區(qū)，在每年的三四月份會(huì)出現(xiàn)有“回南天”的天氣，每天陰雨連綿，這時(shí)...

2022-08-31 標(biāo)簽：pcb 工藝 5.3k 0

磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻率

在半導(dǎo)體濕法蝕刻中，熱磷酸廣泛地用于對(duì)氮化硅的去除工藝，實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對(duì)氮化硅蝕刻率很難控制。從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)，我們...

2022-08-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 7.4k 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過(guò)程（3）

涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過(guò)程，也稱(chēng)為軟烘烤或預(yù)烘烤，包括在旋涂后通過(guò)去除多余的溶劑來(lái)干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...

2022-08-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1.6k 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。

2022-08-26 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 4k 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過(guò)程（2）

盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...

2022-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1.9k 0

點(diǎn)膠工藝用途和要求

電子產(chǎn)品芯片的微型化正變得越來(lái)越受歡迎。但是微型化帶來(lái)了焊點(diǎn)可靠性問(wèn)題。元件和基板使用錫膏進(jìn)行焊接，但是由于體積太小使得焊點(diǎn)更容易受到應(yīng)力影響而出現(xiàn)脫落...

2022-08-25 標(biāo)簽：工藝點(diǎn)膠焊盤(pán) 9k 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過(guò)程（1）

集成電路(IC)的制造需要在半導(dǎo)體(例如，硅)襯底上執(zhí)行的各種物理和化學(xué)過(guò)程。通常，用于制造 IC 的各種工藝分為三類(lèi)：薄膜沉積、圖案化和半導(dǎo)體摻雜。導(dǎo)...

2022-08-25 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體工藝 2.1k 0

濕法蝕刻工藝的原理

濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大...

2022-07-27 標(biāo)簽：晶圓工藝蝕刻 4.1k 0

壓印光刻技術(shù)是什么它是如何工作的

壓印光刻是許多新興應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)，例如微光學(xué)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、MEMS和光電傳感器;但它是什么以及它是如何工作的?

2022-07-25 標(biāo)簽：傳感器工藝光刻 2.1k 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 6.1k 0

一文詳解光刻膠剝離工藝

雖然通過(guò)蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(guò)(例如抗蝕劑)掩模對(duì)襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來(lái)完成的，但是在剝離過(guò)程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲...

2022-07-12 標(biāo)簽：工藝蝕刻光刻膠 3.1k 0

濕法蝕刻在硅片減薄中的作用

薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括用于RFID系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)變、垂直系統(tǒng)...

2022-07-05 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 4.7k 0

TSV工藝流程與電學(xué)特性研究

本文報(bào)道了TSV過(guò)程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過(guò)這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...

2022-06-16 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 4.2k 0

一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法

本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過(guò)200 ℃的多步后退火，獲得了無(wú)空洞或微裂紋的牢固結(jié)...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片鍵合 3.8k 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過(guò)程

本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過(guò)掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過(guò)程和鋅酸鹽活化對(duì)最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 2.2k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱(chēng)傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的，在2009年10月1日天安門(mén)廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專(zhuān)為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器

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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱(chēng)為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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