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標(biāo)簽 > 工藝
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半導(dǎo)體一些英文術(shù)語你了解嗎?半導(dǎo)體一些術(shù)語的中英文對照
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為一個(gè)起源于國外的技術(shù),很多相關(guān)的技術(shù)術(shù)語都是用英文表述。且由于很多從業(yè)者都有海外經(jīng)歷,或者他們習(xí)慣于用英文表述相關(guān)的工藝和技術(shù)節(jié)點(diǎn),那就導(dǎo)...
2018-07-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝技術(shù)術(shù)語 5.5萬 0
PCB內(nèi)層制作流程之銅面棕化(Brown Oxide)
棕化的作用:棕化工序的作用就是粗化銅表面,增大結(jié)合面積,增加表面結(jié)合力。棕化流程:棕化工藝的比較:優(yōu)點(diǎn):工藝
什么是OLED屏幕?OLED的全名為Organic Light-Emitting Diode,中文名為有機(jī)發(fā)光二極管。它是LED的一種,由美籍華裔教授登...
集成電路產(chǎn)業(yè)的特色是贏者通吃,像Intel這樣的巨頭,巔峰時(shí)期的利潤可以高達(dá)60%。那么,相對應(yīng)動(dòng)輒幾百、上千元的CPU,它的實(shí)際成本到底是多少呢?
工裝夾具設(shè)計(jì)的基本原則及規(guī)范化概述
夾具的排屑暢通性。設(shè)計(jì)時(shí)由于機(jī)床的加工空間的有限性,夾具往往被設(shè)計(jì)的空間比較緊湊,這時(shí)往往就會(huì)忽略在加工過程產(chǎn)生的鐵屑在夾具死角處存積,包括切屑液的流出...
制的區(qū)別:首選,要清楚的是:三極管是電流驅(qū)動(dòng)的,較低的電壓就可以驅(qū)動(dòng)三極管,但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)的,驅(qū)動(dòng)電壓較高,但是驅(qū)...
詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后,傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量,NAND集...
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,...
GAA,一般指全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。下面簡單介紹一下GA...
化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝(DRAM)詳解
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器...
前驅(qū)體粒度大小不一樣,需要的煅燒溫度也不相同。粒徑越小,從顆粒表面到中心的傳熱需要的時(shí)間越短,如果煅燒溫度相同,顆粒越小,煅燒需要的時(shí)間越短,單晶成長越快。
引線鍵合是指在半導(dǎo)體器件封裝過程中,實(shí)現(xiàn)芯片(或其他器件)與基板或框架互連的一種方法。作為最早的芯片封裝技術(shù),引線鍵合因其靈活和易于使用的特點(diǎn)得到了大規(guī)...
ALD技術(shù)工藝原理、優(yōu)勢及應(yīng)用
面對真空鍍膜多元的應(yīng)用市場,鍍膜技術(shù)的發(fā)展也從傳統(tǒng)的蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)技術(shù),相繼發(fā)展出PECVD、ALD原子層沉積技術(shù)、磁控濺射技術(shù)等等,技術(shù)地位日益凸...
控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
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