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基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ),外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測,以...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))射頻連接器作為一種電連接器,設(shè)計用于在兆赫茲范圍內(nèi)的無線電頻率下工作。射頻連接器作為電子連接器的細(xì)分類別,一直是連接器這個...
半導(dǎo)體裝置為了達(dá)成附加值高的系統(tǒng)LSI,需要高集成化,高速化,這其中新的布線材料,絕緣膜是不可缺少的。其中,具有低電阻的Cu,作為布線材料受到關(guān)注?;瘜W(xué)...
本文介紹了新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù),研究它們是否可以提供更低的水和化學(xué)消耗的能力,能否提供每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全...
多化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)在濕法站的應(yīng)用
半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?;蛉毕?。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、...
濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物,選擇性非常高,因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大...
一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因...
一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻,蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...
Si晶片在大氣中自然氧化,表面非常薄,但被SiO2膜復(fù)蓋。Si和在其上產(chǎn)生的SiO2膜的密合性很強(qiáng)。在高溫下進(jìn)行氧化,會產(chǎn)生厚而致密且穩(wěn)定的膜。Si的熔...
近年來,作為取代SPM(硫酸/過氧化氫)清洗的有機(jī)物去除法,通過添加臭氧的超純水進(jìn)行的清洗受到關(guān)注,其有效性逐漸被發(fā)現(xiàn)。在該清洗法中,可以實現(xiàn)清洗工序的...
通過化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管
最近,氮化鎵基藍(lán)色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進(jìn)展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而,為了實現(xiàn)固態(tài)照明,需要進(jìn)一步提高這些發(fā)光二極...
本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果,該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機(jī)物,此外,該過程是在原位進(jìn)行的,沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_...
控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
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